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基于SRAM芯片立體封裝大容量的應(yīng)用
- 靜態(tài)隨機存儲器(static?RAM)，簡稱SRAM。在電子設(shè)備中，常見的存儲器有SRAM(靜態(tài)隨機訪問存儲器)、FLASH(閃速存儲器)、DRAM(動態(tài)存儲器)等。其中不同的存儲器有不同的特性，SRAM無需刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失。與SDRAM相比，SRAM不需要時鐘信號，即可保持數(shù)據(jù)不丟失?！ ?、VDMS16M32芯片介紹 VDSR16M32是一款工作電壓3.3V，16Mbit，32位數(shù)據(jù)總線的立體封裝SRAM模
- 關(guān)鍵字： SRAM FLASH DRAM VDSR16M32
2014年Flash LED市場走勢將呈現(xiàn)M型化
- FlashLED在智慧型手機的滲透率已達100%，看準Flash商機，LED業(yè)者積極投入Flash市場。2013年FlashLED的規(guī)格以驅(qū)動電流1000mA、500mA與350mA為主流，業(yè)內(nèi)人士認為，2014年FlashLED市場將呈現(xiàn)M型化發(fā)展，高階規(guī)格以驅(qū)動電流1000mA所主導，而低階則會以驅(qū)動電流350mA為主。 LEDFlash具有高穩(wěn)定性、發(fā)光角度小、低電壓即可驅(qū)動、不需要充電與壽命較長等特性，F(xiàn)lashLED已成為智慧型手機標配，以2013年FlashLED市況來看，主流規(guī)
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國際廠競搶Flash LED新高地 明年恐見殺價潮
- LED產(chǎn)品價格不斷下滑，壓縮各廠獲利空間，廠商除靠壓低生產(chǎn)成本外，也持續(xù)開發(fā)高毛利產(chǎn)品領(lǐng)域以求生存，因此高毛利的FlashLED(閃光燈)成為各廠欲競逐的市場，除國際大廠PhilipsLumileds、CREE、OSRAM等外，臺廠有億光、新世紀、光寶科等業(yè)者，但近期市場傳出，韓廠三星將走出過去堅守的4139封裝規(guī)格，計劃加入主流的2016規(guī)格戰(zhàn)局。隨著市場競爭者越來越多，估計FlashLED明年將會見到一波價格下殺潮。 消費者對于智慧型手機要求越來越高，除處理效能要接近電腦外，就連照相功能也向
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flash介紹
閃存（Flash ROM）：
是一種電擦除非易失型存儲器，由浮柵型場效應(yīng)管構(gòu)成，寫入時，利用熱電子注入，使浮柵帶電；擦除時，則利用高壓下的隧道效應(yīng)，使浮柵失去電子。
FLASH閃存是半導體技術(shù)，內(nèi)部是相對靜態(tài)的，體積小，抗震性很高（便于攜帶）。加上半導體技術(shù)發(fā)展很快，價格下降也很快，這是目前的MP3大多數(shù)是用FLASH閃存的原因。
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