在過去十年里，CMOS圖像傳感器技術經過連續(xù)改進和不斷提高，已經使其從主要服務于低端市場轉移到一些要求最苛刻的高性能應用。伴隨著這種趨勢，CMOS圖像傳感器已經開始主導圖像傳感器市場，并為原始設備制造商（OEM）
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提供 巨大 大市 機遇 應用 多種 圖像 傳感器 主導 CMOS
近年來，隨著CMOS工藝技術的不斷改進，CMOS傳感器的應用范圍也越來越廣泛，包括數(shù)碼相機、電腦攝像頭、視頻電話、手機、視頻會議、智能型安保系統(tǒng)、汽車倒車視像雷達、玩具，以及工業(yè)、醫(yī)療等應有盡有。實際上，CMOS
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CMOS 圖像 傳感器 方案 半導體 安森美 工業(yè) 醫(yī)療 應用
東芝在半導體業(yè)務中提出了新戰(zhàn)略。東芝計劃將把瞄準全球份額首位的NAND閃存業(yè)務實力，應用于其他半導體業(yè)務。具體做法是在分離式半導體業(yè)務、從原系統(tǒng)LSI業(yè)務中剝離出來的模擬成像IC業(yè)務、以及與硬盤業(yè)務進行了整合的存儲產品業(yè)務中，應用在存儲器業(yè)務中積累的制造技術實力。由此來培育出繼存儲器業(yè)務之后的又一支柱業(yè)務。東芝執(zhí)行董事高級常務、東芝半導體與存儲器公司社長小林清志在2011年8月公布了這一戰(zhàn)略。
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東芝 CMOS 傳感器
摘要：分析了Gilbert結構有源雙平衡混頻器的工作機理，以及混頻器的轉換增益、線性度與跨導、CMOS溝道尺寸等相關電路參數(shù)間的關系，并據(jù)此使用ADS軟件進行設計及優(yōu)化。在采用TSMC 0．25mu;m CMOS工藝，射頻信號為2．
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設計 平衡 CMOS ADS 采用
1 引言 鋰電池產品以高能量密度、長循環(huán)壽命、快速充放電、高電池電壓、工作溫度范圍廣、無記憶等優(yōu)異特性占據(jù)了市場很大份額。然而，鋰電池產品在充放電過程中的過充電、過放電、放電過電流及其它異常狀態(tài)(例如
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保護 電路設計 電池 聚合物 CMOS 工藝 基于
為數(shù)億部數(shù)碼相機提供SOC解決方案的全球領先供應商卓然公司﹝納斯達克證券交易所代碼：ZRAN﹞日前宣布，其高度集成的COACH 14數(shù)碼相機處理器平臺可用于3D、全高清視頻、混合型及單電數(shù)碼相機。
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卓然 CMOS COACH 14
手機高級功率放大器解決方案的新領軍人 Amalfi Semiconductor日前宣布推出前端 GSM/GPRS 蜂窩手機用 CMOS 發(fā)射模塊，該模塊是世界上最經濟的高性能模塊。利用體效應互補金屬氧化物半導體工藝自身的可擴展性，AdaptiveRF 體系結構可融合高度集成的派生功能，包括交換機和復合濾波器，可不斷大幅降低前端產品的成本、體積和功耗。
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Amalfi CMOS
CCD和CMOS是當前主要的兩項成像技術，它們產生于不同的制造工藝背景，就當前技術言仍各具優(yōu)劣。選擇CCD或CMOS攝像機應依據(jù)適用環(huán)境和要求，合適選用CCD或CMOS技術，便能使圖像監(jiān)控達到預期的效果。另外，還可看到，C
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分析 技術 主要 CMOS CCD
摘要：利用共源共柵電感可以提高共源共柵結構功率放大器的效率。這里提出一種采用共源共柵電感提高效率的5.25GHzWLAN的功率放大器的設計方案，使用CMOS工藝設計了兩級全差分放大電路，在此基礎上設計輸入輸出匹配網(wǎng)絡
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CMOS 共源共柵 功率放大器 方案
摘要：傳統(tǒng)基準電路主要采用帶隙基準方案，利用二級管PN結具有負溫度系數(shù)的正向電壓和具有正溫度系數(shù)的VBE電壓得出具有零溫度系數(shù)的基準。針對BJT不能與標準的CMOS工藝兼容的缺陷，利用NMOS和PMOS管的兩個閾值電壓VT
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CMOS VTH 電壓基準
摘要：文章基于CMOS 0．18mu;m工藝，在Hspice下，對四利PMOS管基準電壓源進行了分析和仿真，文中給出了每種電路仿真時的電路參數(shù)和仿真結果。
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仿真 分析 電壓 基準 CMOS
艾克賽利(Accelicon)，器件級建模驗證以及PDK解決方案的技術領導者，宣布將出席于2011年10月3日到6日在美國亞利桑那州Tempe市舉辦的IEEE國際絕緣體上硅大會(2011 IEEE International SOI Conference)，并在會上介紹業(yè)內最新BSIM-IMG模型的應用情況。
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艾克賽利 CMOS
圖1中電路會根據(jù)一個脈沖，切換一個DPDT（雙刀雙擲）鎖存繼電器的狀態(tài)。它包括一個瞬動開關至步進電壓信號發(fā)生器，一個差分脈沖轉換器，一個繼電器驅動器，以及一個繼電器線圈。 瞬動開關提供驅動電路的步進電壓信
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研究 電路 CMOS 繼電器
摘要：片上系統(tǒng)射頻功率放大器是射頻前端的重要單元。通過分析和對比各類功率放大器的特點，電路采用SMIC0．35-mu;mCMOS工藝設計2．4 GHz WLAN全集成線性功率放大器。論文中設計的功率放大器采用不同結構的兩級放大
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4GHz CMOS 35 集成
我們發(fā)現(xiàn)日益改進的靜電學及晶體管傳輸有助于形成一種成熟的方法，這種方法能夠降低有源和待機功耗。要做到這一點，新型晶體管結構和材料拓展了性能?功耗設計空間，使之超躍了傳統(tǒng)的本體硅晶體管。最終，通過構成一個由多層系統(tǒng)-電路-器件電源管理生態(tài)系統(tǒng)構成的底層，晶體管的創(chuàng)新將會繼續(xù)在定義下一代提高功效的策略時發(fā)揮關鍵作用。
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CMOS 器件 功效 功率 提高 MOSFET 方案 非傳統(tǒng)
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