<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>

          首頁  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
          EEPW首頁 >> 主題列表 >> gaas hbt

          集成電路芯片熱機械應(yīng)力特征研究

          •   摘要:本文在試驗和理論兩個方面,系統(tǒng)研究了芯片熱機械應(yīng)力特征。作者利用紅外熱成像技術(shù)研究了芯片內(nèi)部熱機械應(yīng)力隨工作電流的瞬態(tài)變化關(guān)系,發(fā)現(xiàn)芯片熱機械應(yīng)力隨工作電流呈對數(shù)增長。同時本文利用有限元方法模擬計算了芯片熱機械應(yīng)力在不同電流密度下與總工作電流的關(guān)系,從而驗證了上述實驗結(jié)論,并發(fā)現(xiàn)隨著電流密度增加芯片內(nèi)部熱機械應(yīng)力上升速率變快。   引言   隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展,電路元件集成度不斷提高,盡管芯片總功耗在降低,由于芯片面積和元件尺寸不斷減小,導(dǎo)致芯片的熱功耗密度不斷增大,芯片內(nèi)部溫度和熱機械
          • 關(guān)鍵字: 集成電路  熱機械應(yīng)力  紅外熱成像  GaAs  熱膨脹系數(shù)  201411  

          一種可變增益功率放大器的應(yīng)用設(shè)計

          •   采用電路仿真ADS軟件進行了原理圖及版圖仿真,研究了增益控制電路在放大器中的位置對性能的影響。最終實現(xiàn)了在6~9GHz頻率范圍內(nèi),1 dB壓縮點輸出功率大于33 dBm,當(dāng)控制電壓在-1~0 V之間變化時,放大器的增益在5~40dB之間變化,增益控制范圍達到了35 dB.將功率放大器與增益控制電路制作在同一個單片集成電路上,面積僅為3.5 mm×2.3 mm,具有靈活易用、集成度高和成本低的特點,可廣泛應(yīng)用于衛(wèi)星通信和數(shù)字微波通信等領(lǐng)域。   甚小口徑終端(verysmall apert
          • 關(guān)鍵字: 功率放大器  可變增益  GaAs  

          全面解讀LED芯片知識

          •   1、LED芯片的制造流程是怎樣的?   LED芯片制造主要是為了制造有效可靠的低歐姆接觸電極,并能滿足可接觸材料之間最小的壓降及提供焊線的壓墊,同時盡可能多地出光。渡膜工藝一般用真空蒸鍍方法,其主要在1.33×10?4Pa高真空下,用電阻加熱或電子束轟擊加熱方法使材料熔化,并在低氣壓下變成金屬蒸氣沉積在半導(dǎo)體材料表面。一般所用的P型接觸金屬包括AuBe、AuZn等合金,N面的接觸金屬常采用AuGeNi合金。鍍膜后形成的合金層還需要通過光刻工藝將發(fā)光區(qū)盡可能多地露出來,使留下來的合金層能滿
          • 關(guān)鍵字: LED  GaAs  

          RFaxis單芯/單模RF前端模塊獲Frost&Sulivan創(chuàng)新獎

          •   全球領(lǐng)先的單芯/單模RF前端模塊提供商RFaxis公司宣布,榮獲北美Frost&Sullivan技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)大獎。RFaxis致力于單芯/單模RF前端集成電路(RFeIC?)研發(fā),推出獨特的無線通信RF前端解決方案。?Frost&Sullivan根據(jù)其對于無線通信射頻前端模塊(RF?FEM)市場的最新分析結(jié)果,認為RFaxis的創(chuàng)新解決方案實現(xiàn)了卓越性能、功能與經(jīng)濟性的完美結(jié)合,已經(jīng)得到證明是傳統(tǒng)GaAs?(砷化鎵)解決方案的理想替代選項?! 鹘y(tǒng)上,F(xiàn)R
          • 關(guān)鍵字: RFaxis  Frost&Sullivan  GaAs  RF  

          數(shù)字射頻存儲器用GaAs超高速3bit相位體制ADC的設(shè)計與實現(xiàn)

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: 數(shù)字射頻存儲器  GaAs  ADC  比較級電路  

          基于GaAs PIN二極管的寬帶大功率單片單刀雙擲開關(guān)

          • PIN二極管廣泛應(yīng)用于限幅器、開關(guān)、衰減器、移相器等控制電路中。與MESFET和PHEMT器件相比較,PIN二極管...
          • 關(guān)鍵字: GaAs  PIN    二極管    單刀雙擲開關(guān)  

          超低噪聲的S頻段放大器設(shè)計

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: 超低噪聲  S頻段  放大器  GaAs  

          一種基于MMIC技術(shù)的S波段GaAs單刀單擲開關(guān)

          • 摘要:射頻開關(guān)作為一個系統(tǒng)的重要組成部分其性能直接影響整個系統(tǒng)的指標(biāo)和功能。其中插入損耗和隔離度以及開關(guān)速度是射頻開關(guān)最重要的幾個指標(biāo)。在實際測試中,S波段脈沖信號源需要產(chǎn)生快前沿的窄脈沖信號。在此基于
          • 關(guān)鍵字: 單刀  單擲  開關(guān)  GaAs  波段  MMIC  技術(shù)  基于  

          利用GaAs PHEMT設(shè)計MMIC LNA

          • 在通信接收器中低噪聲放大器(LNA)對于從噪聲中析出信號十分關(guān)鍵??刂葡到y(tǒng)內(nèi)噪聲還有其他技術(shù),包括過濾和低 ...
          • 關(guān)鍵字: GaAs  PHEMT  MMIC  LNA  

          瑞薩電子推出新型SiGe:C異質(zhì)接面晶體管

          • 2011年9月13日 日本東京訊—高級半導(dǎo)體廠商瑞薩電子株式會社(TSE:6723,以下簡稱“瑞薩電子”)宣布推出新款SiGe:C異質(zhì)接面晶體管 (SiGe:C HBT, 注1)NESG7030M04,可作為低噪聲放大晶體管用于無線局域網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、衛(wèi)星無線電及類似應(yīng)用。本裝置的制程采用全新開發(fā)的硅鍺:碳(SiGe:C)材料 (注2) 并達到領(lǐng)先業(yè)界的低噪聲效能。
          • 關(guān)鍵字: 瑞薩  晶體管  SiGe:C HBT  

          無線基礎(chǔ)設(shè)施被視為日益增長的砷化鎵集成電路市場

          • 根據(jù)市場戰(zhàn)略研究公司Strategy Analytics分析:全球無線網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施中使用砷化鎵(GaAs)半導(dǎo)體的市場預(yù)計將增長,從2011年的大約2.05億美元達到2015年約為3.2億美元。
          • 關(guān)鍵字: 無線網(wǎng)絡(luò)  GaAs  

          18 GHz移動通訊回程中MMIC放大器運用

          • 為滿足第四代數(shù)據(jù)傳輸服務(wù)的需要,無線通訊業(yè)已向LTE(長期演進)迅猛發(fā)展。雖然某些地區(qū)的不同標(biāo)準(zhǔn)將仍將...
          • 關(guān)鍵字: MMIC放大器  移動通訊回程  GaAs  LTE  

          基于SiGe HBT的射頻有源電感設(shè)計

          • 電感在射頻單片集成電路中具有重要作用,主要具備阻抗轉(zhuǎn)換、諧振、反饋、濾波等功能。隨著無線通信技術(shù)的迅速...
          • 關(guān)鍵字: SiGe  HBT  射頻有源電感  晶體  反饋  

          基于SiGe HBT的射頻有源電感的設(shè)計

          • 本文設(shè)計了四種結(jié)構(gòu)的射頻有源電感, 其中包括兩種正電感和兩種負電感。研究結(jié)果表明由晶體管構(gòu)成的有源電感的性能受晶體管的組態(tài)及偏置影響較大。四種電路結(jié)構(gòu)中,由共射放大器與共集放大器級聯(lián)反饋構(gòu)成的有源電感性能較好。采用回轉(zhuǎn)器原理實現(xiàn)的有源電感,電感值不隨面積減小而減小。改變晶體管的偏置電壓,有源電感具有可調(diào)諧性。
          • 關(guān)鍵字: 電感  設(shè)計  有源  射頻  SiGe  HBT  基于  
          共46條 2/4 « 1 2 3 4 »

          gaas hbt介紹

          您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條gaas hbt!
          歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對gaas hbt的理解,并與今后在此搜索gaas hbt的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

          熱門主題

          樹莓派    linux   
          關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
          Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
          《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
          備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473
          看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();