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集成電路芯片熱機(jī)械應(yīng)力特征研究
- 摘要：本文在試驗(yàn)和理論兩個(gè)方面，系統(tǒng)研究了芯片熱機(jī)械應(yīng)力特征。作者利用紅外熱成像技術(shù)研究了芯片內(nèi)部熱機(jī)械應(yīng)力隨工作電流的瞬態(tài)變化關(guān)系，發(fā)現(xiàn)芯片熱機(jī)械應(yīng)力隨工作電流呈對(duì)數(shù)增長。同時(shí)本文利用有限元方法模擬計(jì)算了芯片熱機(jī)械應(yīng)力在不同電流密度下與總工作電流的關(guān)系，從而驗(yàn)證了上述實(shí)驗(yàn)結(jié)論，并發(fā)現(xiàn)隨著電流密度增加芯片內(nèi)部熱機(jī)械應(yīng)力上升速率變快。 引言 隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展，電路元件集成度不斷提高，盡管芯片總功耗在降低，由于芯片面積和元件尺寸不斷減小，導(dǎo)致芯片的熱功耗密度不斷增大，芯片內(nèi)部溫度和熱機(jī)械
- 關(guān)鍵字： 集成電路 熱機(jī)械應(yīng)力 紅外熱成像 GaAs 熱膨脹系數(shù) 201411
一種可變?cè)鲆婀β史糯笃鞯膽?yīng)用設(shè)計(jì)
- 采用電路仿真ADS軟件進(jìn)行了原理圖及版圖仿真，研究了增益控制電路在放大器中的位置對(duì)性能的影響。最終實(shí)現(xiàn)了在6~9GHz頻率范圍內(nèi)，1 dB壓縮點(diǎn)輸出功率大于33 dBm,當(dāng)控制電壓在-1~0 V之間變化時(shí)，放大器的增益在5~40dB之間變化，增益控制范圍達(dá)到了35 dB.將功率放大器與增益控制電路制作在同一個(gè)單片集成電路上，面積僅為3.5 mm×2.3 mm,具有靈活易用、集成度高和成本低的特點(diǎn)，可廣泛應(yīng)用于衛(wèi)星通信和數(shù)字微波通信等領(lǐng)域。 甚小口徑終端(verysmall apert
- 關(guān)鍵字： 功率放大器 可變?cè)鲆?/a> GaAs
RFaxis單芯/單模RF前端模塊獲Frost&Sulivan創(chuàng)新獎(jiǎng)
- 全球領(lǐng)先的單芯/單模RF前端模塊提供商RFaxis公司宣布，榮獲北美Frost&Sullivan技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)大獎(jiǎng)。RFaxis致力于單芯/單模RF前端集成電路(RFeIC?)研發(fā)，推出獨(dú)特的無線通信RF前端解決方案。?Frost&Sullivan根據(jù)其對(duì)于無線通信射頻前端模塊(RF?FEM)市場的最新分析結(jié)果，認(rèn)為RFaxis的創(chuàng)新解決方案實(shí)現(xiàn)了卓越性能、功能與經(jīng)濟(jì)性的完美結(jié)合，已經(jīng)得到證明是傳統(tǒng)GaAs?(砷化鎵)解決方案的理想替代選項(xiàng)。 傳統(tǒng)上，F(xiàn)R
- 關(guān)鍵字： RFaxis Frost&Sullivan GaAs RF
數(shù)字射頻存儲(chǔ)器用GaAs超高速3bit相位體制ADC的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字： 數(shù)字射頻存儲(chǔ)器 GaAs ADC 比較級(jí)電路
基于GaAs PIN二極管的寬帶大功率單片單刀雙擲開關(guān)
- PIN二極管廣泛應(yīng)用于限幅器、開關(guān)、衰減器、移相器等控制電路中。與MESFET和PHEMT器件相比較，PIN二極管...
- 關(guān)鍵字： GaAs PIN 二極管 單刀雙擲開關(guān)
無線基礎(chǔ)設(shè)施被視為日益增長的砷化鎵集成電路市場
- 根據(jù)市場戰(zhàn)略研究公司Strategy Analytics分析：全球無線網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施中使用砷化鎵（GaAs）半導(dǎo)體的市場預(yù)計(jì)將增長，從2011年的大約2.05億美元達(dá)到2015年約為3.2億美元。
- 關(guān)鍵字： 無線網(wǎng)絡(luò) GaAs
18 GHz移動(dòng)通訊回程中MMIC放大器運(yùn)用
- 為滿足第四代數(shù)據(jù)傳輸服務(wù)的需要，無線通訊業(yè)已向LTE(長期演進(jìn))迅猛發(fā)展。雖然某些地區(qū)的不同標(biāo)準(zhǔn)將仍將...
- 關(guān)鍵字： MMIC放大器 移動(dòng)通訊回程 GaAs LTE
砷化鎵IDM廠調(diào)高財(cái)測 臺(tái)系業(yè)者雨露均沾
- 隨著下游需求回溫，自2010年初以來，整體砷化鎵 (GaAs)市場需求回升。而在TriQuint、Skyworks及RFMD等全球砷化鎵IDM業(yè)者紛紛上調(diào)2010年度財(cái)測后，Avago也宣告調(diào)高 2010年2~4月的營收預(yù)估值。受惠于此，臺(tái)系砷化鎵晶圓代工廠宏捷科技以及穩(wěn)懋半導(dǎo)體的單月營收皆持續(xù)攀升，市場預(yù)期業(yè)者的第2季也可望持續(xù)優(yōu)于第1 季表現(xiàn)。 受惠于智能型手機(jī)(smartphone)出貨量持續(xù)成長，帶動(dòng)功率放大器(PA)的需求，也反應(yīng)在全球各家砷化鎵IDM業(yè)者的財(cái)測中。而臺(tái)系晶圓代工廠以及
- 關(guān)鍵字： GaAs 晶圓代工
高性能微波/毫米波GaAs器件提高3G/4G回程網(wǎng)絡(luò)的速度和容量
- 數(shù)據(jù)通信量的增加正在成為回程網(wǎng)絡(luò)的瓶頸 近年來，寬帶用戶數(shù)量明顯增加，并出現(xiàn)了大量手持移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備(MID)。數(shù)據(jù)和視頻應(yīng)用已超過話音(參見圖1)，導(dǎo)致傳輸網(wǎng)絡(luò)的需求量前所未有地急劇增長。市調(diào)專業(yè)機(jī)構(gòu)ABIResearch最新報(bào)告顯示，2009年移動(dòng)通信用戶總量將達(dá)到43億，2013年將接近54億。因此，數(shù)據(jù)在移動(dòng)通信中所占比例將迅速增長。保持這種增長勢頭很大程度上取決于移動(dòng)用戶能否獲得積極的寬帶體驗(yàn)。為保證各類通信的服務(wù)質(zhì)量(QoS)，收集和傳送數(shù)據(jù)的回程網(wǎng)絡(luò)必須與用戶需求保持同步。
- 關(guān)鍵字： TriQuint 3G 4G GaAs
NJR開發(fā)GaAs MMIC NJG1139UA2 適合于便攜式數(shù)字電視
- 日本無線(NJR)現(xiàn)開發(fā)完成了GaAsMMICNJG1139UA2，并已開始供貨了。該產(chǎn)品是設(shè)有旁通電路的寬帶低噪音放大器，...
- 關(guān)鍵字： GaAs MMIC NJG1139UA2 數(shù)字電視 LNA
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