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	gallium gan
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          GaN基量子阱紅外探測器的設(shè)計
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 摘要：為了實現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測器，利用自洽的薛定諤-泊松方法對GaN基多量子阱結(jié)構(gòu)的能帶結(jié)構(gòu)進行了研究?？紤]了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng)，通過設(shè)計適當(dāng)?shù)牧孔于褰Y(jié)構(gòu)，利用自發(fā)極化和壓電極化的互補
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        設(shè)計  探測器  紅外  量子  GaN                          
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          一種S波段寬帶GaN放大器的設(shè)計
          
                                                            
            
                    	
          • 摘要：氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場等特點，使其具有帶寬寬，高效特性等優(yōu)點。為了研究GaN功率放大器的特點，使用了Agilent ADS等仿真軟件，進行電路仿真設(shè)計，設(shè)計制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        GaN  S波段  寬帶  放大器                            
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          一種GaN寬禁帶功率放大器的設(shè)計
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表之一，由于其寬帶隙、高擊穿電場強度等特點，被認(rèn)為是高頻功率半導(dǎo)體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點，基于Agilent ADS仿真軟件，利用負(fù)載／源牽引方法設(shè)計制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細(xì)說明了設(shè)計步驟并對放大器進行了測試，數(shù)據(jù)表明放大器在2．3～2．4 GHz范圍內(nèi)可實現(xiàn)功率超過15W，附加效率超過67％的輸出。實驗結(jié)果證實，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點。
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        設(shè)計  功率放大器  GaN  一種                          
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          基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)
          
                                                            
            
                    	
          • 目前國際上商品化的GaN基LED均是在藍寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍寶石由于硬度高、導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性差等原因，對后期器件加工和應(yīng)用帶來很多不便，SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處，而價格相對便宜的Si襯底由于有著優(yōu)良的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能和成熟的器件加工工藝等優(yōu)勢，因此Si襯底GaN基LED制造技術(shù)受到業(yè)界的普遍關(guān)注。
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          • 關(guān)鍵字：
                        GaN  LED  襯底  功率型                            
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          GaN功率半導(dǎo)體市場將迅速增長，2013年市場規(guī)模達1.8億
          
                                                            
            
                    	
          • 　　美國iSuppli公布了關(guān)于GaN(氮化鎵)功率半導(dǎo)體市場將迅速增長的調(diào)查報告)。報告顯示，2010年的市場規(guī)模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式，不斷擴大市場規(guī)模。iSuppli預(yù)測，該產(chǎn)品在高性能服務(wù)器、筆記本電腦、手機及有線通信設(shè)備等方面的應(yīng)用將取得進展。
　　目前，GaN功率半導(dǎo)體正處于在研究室評測階段，或者剛開始商用化的階段。不過，GaN功率半導(dǎo)體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導(dǎo)通電阻較低等優(yōu)點，可提高電源電路的轉(zhuǎn)
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          • 關(guān)鍵字：
                        GaN  MOSFET                          
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          SiC襯底X波段GaN MMIC的研究
          
                                                            
            
                    	
          • 使用國產(chǎn)6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型，利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級GaNMMIC，研制出具有通孔結(jié)構(gòu)的GaN MMIC芯片，連續(xù)波測試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時連續(xù)波輸出功率大于10W，帶內(nèi)增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個采用國產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。
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          • 關(guān)鍵字：
                        MMIC  SiC  GaN  襯底                            
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          IR推出革命性氮化鎵基功率器件技術(shù)平臺
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布，成功開發(fā)出一種革命性的GaN功率器件技術(shù)平臺。與此前最先進的硅基技術(shù)平臺相比，該技術(shù)平臺可將關(guān)鍵特定設(shè)備的品質(zhì)因子 (FOM) 提高1/10，顯著提高計算和通信、汽車和電器等終端設(shè)備的性能，并降低能耗。
　　開拓性GaN功率器件技術(shù)平臺是IR基于該公司的GaN器件專利技術(shù)，歷經(jīng)5年研發(fā)而成的成果。
　　IR的GaN功率器件技術(shù)平臺有助于實現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換解決方案的革命性進步。通過有效利用公司60年來在電源轉(zhuǎn)換專業(yè)知識方面
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          • 關(guān)鍵字：
                        IR  功率器件  GaN  終端                          
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          測試具備UMA/GAN功能的移動電話技術(shù)問題
          
                                                            
            
                    	
          • 要預(yù)測客戶對一款手機性能的接受程度，從而預(yù)測手機設(shè)計的品質(zhì)，需要進行實際使用測試。使用測試是一種很有價值...
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          • 關(guān)鍵字：
                        GAN  蜂窩  話音質(zhì)量                          
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          Cree推出用于5GHzWiMAX的GaN HEMT三極管
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　Cree發(fā)布了兩款突破性的GaN HEMT三極管，用于覆蓋4.9-5.8GHz頻帶的WiMAX。新款三極管CGH55015F與CGH55030F是首次發(fā)布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX產(chǎn)品，其性能級別進一步證實了Cree在GaN技術(shù)上的的領(lǐng)導(dǎo)地位。
　　新款15-watt與30-watt器件的重要潛在特性包括：
　　1. 相比于類似功率級的GaAs MOSFET器件，效率增加四倍
　　
　　2. 相比于商業(yè)可用硅LDMOS，提高了工作頻率
　　3. 在免授權(quán)的5.8G
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          • 關(guān)鍵字：
                        三極管  WiMAX  Cree  GaN                          
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          研究人員公布低成本GaN功率器件重大進展
          
                                                            
            
                    	
          • 　　研究人員介紹，他們第一次在200mm硅（111）晶圓上沉積了無裂縫的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)。高清晰XRD測量顯示出很高的晶體質(zhì)量，并且研究人員還報告了“出色的”表面形貌和均勻性。AlGaN和GaN薄膜是在Aixtron應(yīng)用實驗室的300mmCRIUS金屬-有機化學(xué)氣相外延（MOVPE）反應(yīng)腔中生長的。???????
　　“對實現(xiàn)在大尺寸硅晶圓上制作GaN器件的目標(biāo)來說，在200mm硅晶圓上生長出
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          • 關(guān)鍵字：
                        硅晶圓  GaN  200mm  MEMC                          
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          如何測試具備UMA/GAN功能的移動電話
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　要預(yù)測客戶對一款手機性能的接受程度，從而預(yù)測手機設(shè)計的品質(zhì)，需要進行實際使用測試。使用測試是一種很有價值的工具，本文將介紹如何進行此類測試。
　　UMA/GAN是一種能讓移動電話在傳輸話音、數(shù)據(jù)、既有話音也有數(shù)據(jù)或既無話音也無數(shù)據(jù)時在蜂窩網(wǎng)絡(luò)(例如 GERAN--GSM/EDGE 無線接入網(wǎng))和IP接入網(wǎng)絡(luò)(例如無線 LAN)之間無縫切換的系統(tǒng)。作為網(wǎng)絡(luò)融合發(fā)展過程中一項里程碑式的技術(shù)，UMA/GAN能讓手機用戶得以享受固定寬帶網(wǎng)提供的服務(wù)。UMA/GAN最初叫做免許可移動接入(UMA)網(wǎng)，之后被3
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          • 關(guān)鍵字：
                        移動電話  UMA  GAN  SEGW  WLAN                          
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          中國首臺具有自主知識產(chǎn)權(quán)MOCVD設(shè)備問世
          
                                                            
            
                    	
          • 　　由青島杰生電氣有限公司承擔(dān)的國家863半導(dǎo)體照明工程重點項目“氮化鎵-MOCVD深紫外”LED材料生長設(shè)備研制取得突破，我國首臺具有自主知識產(chǎn)權(quán)的并能同時生長6片外延片的MOCVD設(shè)備研制成功。 　　
　　該設(shè)備在高亮度的藍光發(fā)光二極管(LED)、激光器(LD)、紫外光電探測器、高效率太陽能電池、高頻大功率電子器件領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。MOCVD是半導(dǎo)體照明上游關(guān)鍵設(shè)備，目前國內(nèi)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的研發(fā)和生產(chǎn)所需設(shè)備全部依賴進口。在此之前，杰生電氣已先后研發(fā)出2英寸單片和2英寸3片的
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          • 關(guān)鍵字：
                        青島杰生電氣  MOCVD  LED  LD  GaN                          
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          藍色激光的應(yīng)用
          
                                                            
                    
          
                
          
                                                

                
          
	                
          
		                	
          
	
          
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          gallium gan介紹
          
      			
          
		      	
          
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          熱門主題
          
      			
          
      			
          
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(function(){
    var bp = document.createElement('script');
    var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0];
    if (curProtocol === 'https') {
        bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js';
    }
    else {
        bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js';
    }
    var s = document.getElementsByTagName("script")[0];
    s.parentNode.insertBefore(bp, s);
})();