gan 文章 進入gan 技術社區(qū)
納芯微新品，專門用于驅(qū)動E?mode（增強型）GaN 開關管的半橋芯片NSD2621
- 前言現(xiàn)階段的大多數(shù) GaN 電源系統(tǒng)都是由多個芯片組成。GaN 器件在電路板上組裝前采用分立式的元件組裝會產(chǎn)生寄生電感，從而影響器件的性能。例如驅(qū)動器會在單獨的芯片上帶有驅(qū)動器的分立晶體管，受到驅(qū)動器輸出級和晶體管輸入之間以及半橋開關節(jié)點之間的寄生電感的影響，同時GaN HEMT 具有非常高的開關速度，如果寄生電感未被抑制，將會導致信號傳輸?shù)牟▌印＝?，納芯微推出了兩款全新的GaN相關產(chǎn)品，分別是GaN驅(qū)動NSD2621，一顆高壓半橋柵極驅(qū)動芯片，專門用于驅(qū)動E?mode（增強型）GaN 開關管；集成化的
- 關鍵字： GaN 納芯微 半橋驅(qū)動芯片
納芯微全新推出GaN相關產(chǎn)品NSD2621和NSG65N15K
- 納芯微全新推出GaN相關產(chǎn)品，包含GaN驅(qū)動NSD2621與集成化的Power Stage產(chǎn)品NSG65N15K，均可廣泛適用于快充、儲能、服務器電源等多種GaN應用場景。其中，NSD2621是一顆高壓半橋柵極驅(qū)動芯片，專門用于驅(qū)動E?mode（增強型）GaN 開關管；NSG65N15K是一顆集成化的Power Stage產(chǎn)品，內(nèi)部集成了高壓半橋驅(qū)動器和兩顆650V耐壓的GaN開關管。NSD2621產(chǎn)品特性： 01. SW引腳耐壓±700V 02. 峰值驅(qū)動電流2A/-4A 03.&n
- 關鍵字： 納芯微 GaN
基于安森美半導體高頻率準諧振NCP1342搭配GaN的65W PD電源適配器
- 電源適配器曾在電子產(chǎn)品中占據(jù)相當大的空間，而市場對于高功率密度的需求也正日益增高。過去硅(silicon)電源技術的發(fā)展與創(chuàng)新曾大幅縮減產(chǎn)品尺寸，但卻難有更進一步的突破。在現(xiàn)今的尺寸規(guī)格下，硅材料已無法在所需的頻率下輸出更高的功率。對于未來的5G無線網(wǎng)絡、機器人，以及再生能源至數(shù)據(jù)中心技術，功率將是關鍵的影響因素。GaN作為款能帶隙材質(zhì)，在電子遷移率遠遠高于硅，輸出電容也大大小于硅，致使其可工作在更高頻率以致變壓器尺寸可以做的更小來實現(xiàn)更高功率的小尺寸電源。?場景應用圖?產(chǎn)品實體圖?方案方塊圖?核心技術優(yōu)
- 關鍵字： 安森美 NCP1342 PD QR 高頻率 GaN
基于安森美半導體有源鉗位的NCP1568搭配GaN的65W PD電源適配器
- 電源適配器曾在電子產(chǎn)品中占據(jù)相當大的空間，而市場對于高功率密度的需求也正日益增高。過去硅(silicon)電源技術的發(fā)展與創(chuàng)新曾大幅縮減產(chǎn)品尺寸，但卻難有更進一步的突破。在現(xiàn)今的尺寸規(guī)格下，硅材料已無法在所需的頻率下輸出更高的功率。對于未來的5G無線網(wǎng)絡、機器人，以及再生能源至數(shù)據(jù)中心技術，功率將是關鍵的影響因素。GaN作為款能帶隙材質(zhì)，在電子遷移率遠遠高于硅，輸出電容也大大小于硅，致使其可工作在更高頻率以致變壓器尺寸可以做的更小來實現(xiàn)更高功率的小尺寸電源。?場景應用圖?展示板照片?方案方塊圖?核心技術優(yōu)
- 關鍵字： 安森美 有源鉗位 NCP1568 GaN PD電源 適配器
世平基于安森美半導體 NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver 應用于小型化工業(yè)電源供應器方案
- 安森美GAN_Fet驅(qū)動方案(NCP51820)。 數(shù)十年來，硅來料一直統(tǒng)治著電晶體世界。但這個狀況在發(fā)現(xiàn)了砷化鎵（GaAs）和砷化鎵、磷（GaAsP）等不同特性的材料后,已經(jīng)逐漸開始改變。由開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導體，它們具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性。但問題在于化合物半導體更難制造且更昂貴。雖然它們比硅具有明顯的優(yōu)勢。作為解決方案出現(xiàn)的兩個化合物半導體器件是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率電晶體。這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結(jié)MOSFET競爭。GaN和SiC器
- 關鍵字： NCP51820 安森美 半導體 電源供應器 GaN MOS Driver
英飛凌推出業(yè)界首款PFC和混合反激式組合IC，提高基于GaN的USB-C EPR適配器與充電器的性能
- 【2022年11月24日，德國慕尼黑訊】USB供電（USB-PD）已成為快速充電以及使用統(tǒng)一Type-C連接器為各種移動和電池供電設備供電的主流標準。在最新發(fā)布的USB-PD rev 3.1標準中，擴展功率范圍（EPR）規(guī)格可支持寬輸出電壓范圍和高功率傳輸。統(tǒng)一化和大功率容量再加上低系統(tǒng)成本的小外型尺寸已成為推動適配器和充電器市場發(fā)展的主要驅(qū)動力。為了加速這一趨勢，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出全新XDP?數(shù)字電源XDPS2221。這款用于USB-PD的高度集
- 關鍵字： 英飛凌 PFC和混合反激式組合IC GaN USB-C EPR適配器
基于安森美半導體NCP1342驅(qū)動GAN--65W 1A1C -超小尺寸PD快充電源方案
- 此電源設計最大輸出功率為65W，配備1A1C雙口輸出，單USB-C口輸出65W（20V/3.25A），單USB-A口輸出；雙口同時輸出時，C+A同降為5V方案全系列采用雙面板、最簡化設計理念,尺寸才51X51X31mm！上下兩片1.0mm左右厚銅散熱既滿足EMI又導熱好！通標變壓器設計，21V效率最高達到93%,驅(qū)動與MOS均采用美國安森美半導體技術！?場景應用圖?展示板照片?方案方塊圖?C口支持協(xié)議?核心技術優(yōu)勢1.51.5*51.5*31 超小體積 功率密度：1.26cm3/W2. QR架構(gòu)，COST
- 關鍵字： 安森美 NCP1342 65W PD GAN 1A1C 超小尺寸PD
格芯獲得3000萬美元政府基金研發(fā)GaN芯片
- 據(jù)外媒《NBC》報道，近日，晶圓代工廠商格芯（GlobalFoundries）獲得3000萬美元政府基金，在其佛蒙特州EssexJunction工廠研發(fā)和生產(chǎn)GaN芯片。該資金是2022年綜合撥款法案的一部分。這些芯片被用于智能手機、射頻無線基礎設施、電動汽車、電網(wǎng)等領域。格芯稱，電動汽車的普及、電網(wǎng)升級改造以及5G、6G智能手機上更快的數(shù)據(jù)傳輸給下一代半導體帶來需求。格芯總裁兼首席執(zhí)行官Thomas Caulfield表示，GaN芯片將比前幾代芯片能更好地處理高熱量和電力需求。Caulfield在一份聲
- 關鍵字： 格芯獲 GaN
GaN IC縮小電機驅(qū)動器并加快eMobility、電動工具、 機器人和無人機的上市時間
- EPC9176是一款基于氮化鎵器件的逆變器參考設計，增強了電機驅(qū)動系統(tǒng)的性能、續(xù)航能力、精度和扭矩，同時簡化設計。該逆變器尺寸極小，可集成到電機外殼中，從而實現(xiàn)最低的EMI、最高的功率密度和最輕盈。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）宣布推出EPC9176。這是一款三相BLDC電機驅(qū)動逆變器，采用EPC23102 ePower? 功率級GaN IC，內(nèi)含柵極驅(qū)動器功能和兩個具有5.2 mΩ典型導通電阻的GaN FET。EPC9176在20 V和80 V之間的輸入電源電壓下工作，可提供高達28 Apk(2
- 關鍵字： GaN IC 電機驅(qū)動器
世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅(qū)動器NCP51561 應用于高頻小型化工業(yè)電源
- 現(xiàn)階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會導致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會影響關斷速度，而硅元件也無法再提升。因此開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性，使得這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結(jié)MOSFET競爭。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個產(chǎn)品設計做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導體開關的器
- 關鍵字： GaN 氮化鎵 SiC 碳化硅 NCP51561 onsemi
使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
- 氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業(yè)的熱門話題，因為它可以使得 80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動汽車 (EV) 車載充電器和 EV 充電站等設計得以實現(xiàn)。在許多應用中， GaN 能夠提高功率密度和效率，因此它取代了傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET)。但由于 GaN 的電氣特性和它所能實現(xiàn)的性能，使用 GaN 進行設計面臨與硅不同的一系列挑戰(zhàn)。不同類型的 GaN FET 具有不同的器件結(jié)構(gòu)。GaN FET 包括耗盡型 (d-mode)、增強型 (e-mode)、共源共柵型 (ca
- 關鍵字： TI GaN
大聯(lián)大友尚集團推出基于onsemi和GaN System產(chǎn)品的PD快充電源方案
- 2022年9月20日，致力于亞太地區(qū)市場的領先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下友尚推出基于安森美（onsemi）NCP1623和NCP1343產(chǎn)品以及氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN System）GS-065-011-2-L功率晶體管的PD快充電源方案。 圖示1-大聯(lián)大友尚基于onsemi和GaN System產(chǎn)品的PD快充電源方案的展示板圖 以手機、電腦為代表的移動智能設備已經(jīng)成為人們?nèi)粘Ｉ畹闹匾ぞ?，然而隨著這些設備所覆蓋的功能越來越多，設備有限的續(xù)航能力已經(jīng)無法滿足用戶對
- 關鍵字： 大聯(lián)大友尚 onsemi GaN System PD快充電源
使用集成GaN解決方案提高功率密度
- 氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業(yè)的熱門話題，因為它可以使得 80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動汽車 (EV) 車載充電器和 EV 充電站等設計得以實現(xiàn)。在許多應用中， GaN 能夠提高功率密度和效率，因此它取代了傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET)。但由于 GaN 的電氣特性和它所能實現(xiàn)的性能，使用 GaN 進行設計面臨與硅不同的一系列挑戰(zhàn)。不同類型的 GaN FET 具有不同的器件結(jié)構(gòu)。GaN FET 包括耗盡型 (d-mode)、增強型 (e-mode)、共源共柵型 (ca
- 關鍵字： 德州儀器 GaN 功率密度
GaN將在數(shù)據(jù)服務器中挑起效率大梁
- 雖然增加可再生能源是全球的大趨勢，但這還不夠，能源效率是另一個重點領域，這是因為服務器及其冷卻系統(tǒng)對能源消耗，占據(jù)了數(shù)據(jù)中心將近40%的運營成本。GaN具有獨特的優(yōu)勢，提供卓越的性能和效率，并徹底改變數(shù)據(jù)中心的配電和轉(zhuǎn)換、節(jié)能、減少對冷卻系統(tǒng)的需求，并最終使數(shù)據(jù)中心更具成本效益和可擴展性。數(shù)字化和云端服務的快速建置推動了全球數(shù)據(jù)服務器的產(chǎn)業(yè)規(guī)模的成長。今天，數(shù)據(jù)服務器消耗了全球近1%的電力，這個數(shù)字預計會不斷的成長下去。次世代的產(chǎn)業(yè)趨勢，例如虛擬世界、增強實境和虛擬現(xiàn)實，所消耗大量電力將遠超現(xiàn)今地球上所能
- 關鍵字： GaN 數(shù)據(jù)服務器 效率
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473