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gan hemt 文章 進(jìn)入gan hemt技術(shù)社區(qū)
貿(mào)澤即日起供應(yīng)Qorvo旗下Custom MMIC全線產(chǎn)品
- 作為 Qorvo 產(chǎn)品的全球授權(quán)分銷商，貿(mào)澤電子 ( Mouser Electronics ) 很高興地宣布即日起Qorvo的Custom MMIC全線產(chǎn)品均可在貿(mào)澤官網(wǎng)上在線訂購(gòu)。Qorvo的Custom MMIC產(chǎn)品組合包括 高性能氮化鎵 (GaN) 和砷化鎵 (GaA) 單片微波集成電路 (MMIC) ，適用于各種航空航天、國(guó)防和商業(yè)應(yīng)用。Qorvo是一家知名的射頻和毫米波創(chuàng)新解決方案制造商，致力于實(shí)現(xiàn)一個(gè)萬(wàn)物互聯(lián)的世界。Qorvo最近
- 關(guān)鍵字： MMIC GaN
學(xué)習(xí)采用氮化鎵（GaN）技術(shù)設(shè)計(jì)最先進(jìn)的人工智能、機(jī)械人、無(wú)人機(jī)、 全自動(dòng)駕駛汽車及高音質(zhì)音頻系統(tǒng)
- EPC公司進(jìn)一步更新了其廣受歡迎的教育視頻播客系列，上載了六個(gè)視頻，針對(duì)器件可靠性及基于氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管及集成電路的各種先進(jìn)應(yīng)用，包括面向人工智能的高功率密度運(yùn)算應(yīng)用，面向機(jī)械人、無(wú)人機(jī)及車載應(yīng)用的激光雷達(dá)系統(tǒng)，以及Ｄ類放音頻放大器。宜普電源轉(zhuǎn)換公司?（EPC）更新了其廣受歡迎的 “?如何使用氮化鎵器件?” 的視頻播客系列。剛剛上載的六個(gè)視頻主要分享實(shí)用范例，目的是幫助設(shè)計(jì)師利用氮化鎵技術(shù)設(shè)計(jì)面向人工智能服務(wù)器及超薄筆記本電腦的先進(jìn)?DC/DC轉(zhuǎn)換器?、
- 關(guān)鍵字： GaN 音頻放大器
EPC公司進(jìn)一步更新了其廣受歡迎的氮化鎵（GaN）功率晶體管及集成電路的播客系列
- 日前，宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）依據(jù)《氮化鎵晶體管–高效功率轉(zhuǎn)換器件》第三版教科書(shū)的增訂內(nèi)容，更新了首7個(gè)、合共14個(gè)教程的視頻播客，與工程師分享采用氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管及集成電路的理論、設(shè)計(jì)基礎(chǔ)及應(yīng)用，例如激光雷達(dá)、DC/DC轉(zhuǎn)換及無(wú)線電源等應(yīng)用。宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）更新了其廣受歡迎的 “?如何使用氮化鎵器件?” 的視頻播客系列。該視頻系列的內(nèi)容是依據(jù)最新出版的?《氮化鎵晶體管–高效功率轉(zhuǎn)換器件》?第三版教科書(shū)的內(nèi)容制作。合共14個(gè)教程的視頻播客系列旨在為功率
- 關(guān)鍵字： GaN 播客
TI LMG341xR050 GaN功率級(jí)在貿(mào)澤開(kāi)售，支持高密度電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)
- 專注于引入新品并提供海量庫(kù)存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (?Mouser Electronics?) 即日起開(kāi)始備貨Texas Instruments (TI) 的LMG341xR050氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)。這款 600V、500 mΩ的器件具有集成柵極驅(qū)動(dòng)器和強(qiáng)大的保護(hù)功能，可讓設(shè)計(jì)人員在電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高的效率，適用于高密度工業(yè)和消費(fèi)類電源、高壓電池充電器、光伏逆變器和多電平轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。貿(mào)澤電子備貨的TI LMG341xR050 GaN功率級(jí)與硅MOSFET相比擁有多種
- 關(guān)鍵字： GaN UVLO
氮化鎵(GaN)接替硅，支持高能效、高頻電源設(shè)計(jì)
- 在所有電力電子應(yīng)用中，功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一，這主要由更高能效和更高開(kāi)關(guān)頻率驅(qū)動(dòng)。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來(lái)提供方案。對(duì)于新技術(shù)而言，GaN本質(zhì)上比其將取代的技術(shù)（硅）成本低。GaN器件與硅器件是在同一工廠用相同的制造程序生產(chǎn)出。因此，由于GaN器件小于等效硅器件，因此每個(gè)晶片可以生產(chǎn)更多的器件，從而降低了每個(gè)晶片的成本。GaN有許多性能優(yōu)勢(shì)，包括遠(yuǎn)高于硅的電子遷移率（3.4eV對(duì)比1.1eV），這使其具有比硅高1000倍的電子傳導(dǎo)效率的潛力。值得注
- 關(guān)鍵字： LDN GaN
馬瑞利牽手氮化鎵(GaN)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者TRANSPHORM Inc.
- 領(lǐng)先的汽車供應(yīng)商MARELLI近日宣布與美國(guó)一家專注于重新定義功率轉(zhuǎn)換的半導(dǎo)體公司Transphorm達(dá)成戰(zhàn)略合作。通過(guò)此協(xié)議，MARELLI將獲得電動(dòng)和混合動(dòng)力車輛領(lǐng)域OBC車載充電器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和動(dòng)力總成逆變器開(kāi)發(fā)的尖端技術(shù)，進(jìn)一步完善MARELLI在整體新能源汽車技術(shù)領(lǐng)域的布局。Transphorm被公認(rèn)為是氮化鎵(GaN)技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，提供高壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的最高效能、最高可靠性的氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體，并擁有和汽車行業(yè)（尤其是日本）直接合作的成功經(jīng)驗(yàn)。獲得這一技術(shù)對(duì)正在探索電力傳動(dòng)系統(tǒng)業(yè)務(wù)
- 關(guān)鍵字： OBC GaN
Qorvo推出業(yè)內(nèi)最高性能的寬帶 GaN 功率放大器
- 移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo?, Inc.近日推出全球性能最高的寬帶功率放大器 (PA)--- TGA2962。Qorvo今天推出的這款功率放大器是專為通信應(yīng)用和測(cè)試儀表應(yīng)用而設(shè)計(jì)，擁有多項(xiàng)性能突破：它能夠在 2-20 GHz 的頻率范圍提供業(yè)界領(lǐng)先的 10 瓦 RF 功率以及 13dB 大信號(hào)增益和 20-35% 的功率附加效率。這種組合為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員帶來(lái)提高系統(tǒng)性能和可靠性所需的靈活性，同時(shí)減少了元件數(shù)量、占用空間和成本。Qorvo 高性能解決方案業(yè)務(wù)
- 關(guān)鍵字： GaN 功率放大器
Nexperia與Ricardo合作開(kāi)發(fā)基于GaN的EV逆變器設(shè)計(jì)
- 奈梅亨，2020年2月25日：分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模擬和邏輯器件領(lǐng)域的生產(chǎn)專家Nexperia宣布與知名汽車工程咨詢公司Ricardo合作，以研制基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的EV逆變器技術(shù)演示器。 GaN是這些應(yīng)用的首選功率器件，因?yàn)镚aN FETs使系統(tǒng)以更低的成本達(dá)到更高的效率、更好的熱性能和更簡(jiǎn)單的開(kāi)關(guān)拓?fù)?。在汽車領(lǐng)域，這意味著車輛行駛里程更長(zhǎng)，而這正是所有電動(dòng)汽車消費(fèi)者最關(guān)心的問(wèn)題?，F(xiàn)在，GaN即將取代基于硅的IGBT和SiC，成為插電式混合動(dòng)力汽車
- 關(guān)鍵字： Nexperia GaN EV逆變器
納微半導(dǎo)體65W 氮化鎵(GaN)方案獲小米10 Pro充電器采用
- 小米集團(tuán)和納微（Navitas）宣布，其GaNFast充電技術(shù)已被小米采用，用于旗艦產(chǎn)品Mi 10 PRO智能手機(jī)。 小米董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官雷軍先生在2月13日的小米在線新聞發(fā)布會(huì)上宣布了此消息。 GaNFast功率IC使用氮化鎵（GaN），這是一種新的半導(dǎo)體材料，其運(yùn)行速度比以前的硅（Si）電源芯片快100倍，因此僅需45分鐘即可對(duì)Mi 10 PRO進(jìn)行0至100％的充電。
- 關(guān)鍵字： 小米 GaN 納微半導(dǎo)體
Nexperia 推出行業(yè)領(lǐng)先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)
- 近日，分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業(yè)制造商N(yùn)experia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進(jìn)入氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管(GaN)市場(chǎng)。這款器件非常耐用，柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V，工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點(diǎn)是低導(dǎo)通電阻（最大RDS(on) 僅為 60 m?）以及快速的開(kāi)關(guān)切換；效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標(biāo)是高性能要求的應(yīng)用市場(chǎng)，包括電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心、電信設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化和高端電源。Nexperi
- 關(guān)鍵字： Nexperia GaN FET 氮化鎵功率器件 MOSFET 器件
CISSOID與國(guó)芯科技簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議
- 各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID近日宣布：在湖南株洲舉行的中國(guó)IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟第五屆國(guó)際學(xué)術(shù)論壇上，公司與湖南國(guó)芯半導(dǎo)體科技有限公司（簡(jiǎn)稱“國(guó)芯科技”）簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議，將攜手開(kāi)展寬禁帶功率技術(shù)的研究開(kāi)發(fā)，充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢(shì)，并推動(dòng)其在眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用。近年來(lái)，寬禁帶半導(dǎo)體功率器件（如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等）憑借多方面的性能優(yōu)勢(shì)，在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車、智能家電、通信等領(lǐng)域開(kāi)始逐漸取代傳統(tǒng)硅器件。然而，在各類應(yīng)用中
- 關(guān)鍵字： IGBT SiC GaN
Cree積極擴(kuò)廠開(kāi)發(fā)功率及射頻元件，GaN on SiC磊晶技術(shù)發(fā)展待觀察
- 全球SiC晶圓市場(chǎng)規(guī)模約為8千多億美元，SiC晶圓與GaN on SiC磊晶技術(shù)大廠Cree為求強(qiáng)化自身功率及射頻元件研發(fā)能力，決議2019年5月于美國(guó)總部北卡羅萊納州特勒姆市，擴(kuò)建1座先進(jìn)自動(dòng)化8寸SiC晶圓生產(chǎn)工廠與1座材料超級(jí)工廠(Mega Factory)，期望借此擴(kuò)建案，提升Cree在SiC晶圓上的生產(chǎn)尺寸與提升晶圓使用市占，并提供GaN on SiC先進(jìn)磊晶技術(shù)進(jìn)一步應(yīng)用于功率及射頻元件中。
- 關(guān)鍵字： Cree 射頻 GaN on SiC磊晶技術(shù)
支持瓦特到千瓦級(jí)應(yīng)用的氮化鎵技術(shù)
- 兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)盡可能提高（和降低）。氮化鎵在任何功率級(jí)別都很關(guān)鍵。工程師正努力提高切換速度、效率和可靠性，同時(shí)減小尺寸、重量和元件數(shù)量。從歷來(lái)經(jīng)驗(yàn)來(lái)看，您必須至少對(duì)其中的部分因素進(jìn)行權(quán)衡，但德州儀器正通過(guò)所有這些優(yōu)勢(shì)實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)，同時(shí)通過(guò)在一個(gè)封裝中進(jìn)行復(fù)雜集成來(lái)節(jié)省系統(tǒng)級(jí)成本，并減少電路板元件數(shù)量。從將PC適配器的尺寸減半，到為并
- 關(guān)鍵字： 德州儀器 600V氮化鎵（GaN）功率器件
MACOM和意法半導(dǎo)體攜手合作提高硅基GaN產(chǎn)能，支持5G無(wú)線網(wǎng)絡(luò)建設(shè)
- MACOM Technology Solutions Holdings公司(納斯達(dá)克股票代碼:MTSI) (以下簡(jiǎn)稱“MACOM”)和意法半導(dǎo)體(紐約證券交易所股票代碼:STM))(以下簡(jiǎn)稱“ST”)于25日宣布，將在2019年擴(kuò)大ST工廠150mm 硅基GaN的產(chǎn)能，200mm硅基GaN按需擴(kuò)產(chǎn)。該擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃旨在支持全球5G電信網(wǎng)建設(shè)，基于2018年初 MACOM和ST宣布達(dá)成的廣泛的硅基GaN協(xié)議。 隨著全球推出5G網(wǎng)絡(luò)并轉(zhuǎn)向大規(guī)模MIMO(M-MIMO)天線配置，射頻RF功率產(chǎn)品需求預(yù)計(jì)
- 關(guān)鍵字： MACOM GaN
MACOM推出寬帶多級(jí)硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 模塊 具備靈活安裝性能，實(shí)現(xiàn)領(lǐng)先的設(shè)計(jì)敏捷性
- 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”) 宣布推出全新MAMG-100227-010寬帶功率放大器 (PA) 模塊，擴(kuò)展其硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 產(chǎn)品組合。該寬帶PA模塊經(jīng)過(guò)優(yōu)化改良，適用于陸地移動(dòng)無(wú)線電系統(tǒng)(LMR)、無(wú)線公共安全通信以及軍事戰(zhàn)術(shù)通信和電子對(duì)抗 (ECM) 領(lǐng)域。MAMG-100227-010 PA模塊兼具50Ω 全匹配、 兩級(jí)PA架構(gòu)的高效設(shè)計(jì)，以及頂端和底端安
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