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Bulk Si技術(shù)近極限,功率半導(dǎo)體大廠加速投入GaN、SiC開發(fā)
- DIGITIMES Research觀察,傳統(tǒng)以塊體矽(Bulk Si)材料為基礎(chǔ)的功率半導(dǎo)體逐漸難提升其技術(shù)表現(xiàn),業(yè)界逐漸改以新材料尋求突破,其中氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)材料技術(shù)最受矚目,氮化鎵具有更高的切換頻率,碳化矽則能承受更高溫、更大電流與電壓,而原有的矽材仍有成本優(yōu)勢,預(yù)計(jì)未來功率半導(dǎo)體市場將三分天下。 更高的耐受溫度、電壓,或更高的切換頻率、運(yùn)作頻率,分別適用在不同的應(yīng)用,對于電動(dòng)車、油電混合車、電氣化鐵路而言需要更高電壓,對于新一代的行動(dòng)通訊基地臺(tái),或資料中心機(jī)房設(shè)備而言
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大唐半導(dǎo)體全面布局IC領(lǐng)域 自主產(chǎn)品亮相IC CHINA
- 11月20日專稿(艾斯)去年9月,我國國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金正式設(shè)立,根據(jù)該基金的發(fā)展目標(biāo),2015年我國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售收入要超過3500億元,移動(dòng)智能終端、網(wǎng)絡(luò)通信等部分重點(diǎn)領(lǐng)域集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)接近國際一流水平,32/28納米(nm)制造工藝實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)。 在政策和資本的扶持下,我國的集成電路產(chǎn)業(yè)環(huán)境相較以前大為改善。2014年,大唐電信科技股份有限公司(以下簡稱:大唐電信)整合旗下的安全芯片、智能終端芯片等芯片業(yè)務(wù),成立了大唐半導(dǎo)體設(shè)計(jì)有限公司(以下簡稱大唐半導(dǎo)體)。 在近日于上海
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IC界最強(qiáng)盛事IC CHINA2015今日盛大開展
- ? 11月11日上午,由中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、中國電子器材總公司、上海市經(jīng)濟(jì)和信息化委員會(huì)共同主辦的第十三屆中國國際半導(dǎo)體博覽會(huì)暨高峰論壇(以下簡稱IC CHINA2015)在上海新國際博覽中心隆重開幕,IC CHINA2015以”落實(shí)推進(jìn)《綱要》,加速產(chǎn)業(yè)發(fā)展“為主題,打造最具影響力的國家級半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展示平臺(tái)。 IC CHINA2015與“第86屆中國電子展”、
- 關(guān)鍵字: IC CHINA2015 上海 2015亞洲電子展
臺(tái)媒:臺(tái)灣IC產(chǎn)業(yè)面對清華紫光的對策
- 大陸國企清華紫光集團(tuán)積極擴(kuò)張IC產(chǎn)業(yè)的版圖,由于獲得國家政策與財(cái)力的支持,采取強(qiáng)勢的購并擴(kuò)張策略,把購并標(biāo)的瞄準(zhǔn)臺(tái)灣IC企業(yè),對臺(tái)灣的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生強(qiáng)大的沖擊。紫光集團(tuán)董事長趙偉國挖走DRAM大廠南亞科總經(jīng)理高啟全,并高調(diào)宣稱“臺(tái)灣既然不讓我們投資,我們就禁止臺(tái)灣產(chǎn)品在大陸銷售”、公開表達(dá)合并聯(lián)發(fā)科的意圖,更在10月30日與記憶體封測大廠力成簽約,投入新臺(tái)幣190億元參加力成的私募,成為持有力成科技25%股權(quán)的最大單一股東。 對于紫光集團(tuán)近乎侵略性的出擊,特別是在臺(tái)灣今年
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IC China 2015:智領(lǐng)半導(dǎo)體先機(jī) 成就國之大器
- 11月3日上午,IC CHINA新聞發(fā)布會(huì)在上海舉行,來自中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)執(zhí)行副理事長兼秘書長徐小田、中國電子器材總公司常務(wù)副總陳雯海、上海市集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)秘書長蔣守雷及到場的近50家媒體和企業(yè)代表,熱議當(dāng)下如何助力成就未來半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)之大國重器!國家年度半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)盛會(huì)—IC China 2015即將于11月11-13日在上海新國際博覽中心拉開帷幕。 中國電子器材總公司常務(wù)副總陳雯海 發(fā)布會(huì)上,中國電子器材總公司常務(wù)副總陳雯海表示,目前中國半導(dǎo)體市
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實(shí)時(shí)功率GaN波形監(jiān)視的設(shè)計(jì)方案
- 簡介 功率氮化鎵 (GaN) 器件是電源設(shè)計(jì)人員工具箱內(nèi)令人激動(dòng)的新成員。特別是對于那些想要深入研究GaN的較高開關(guān)頻率如何能夠?qū)е赂哳l率和更高功率密度的開發(fā)人員更是如此。RF GaN是一項(xiàng)已大批量生產(chǎn)的經(jīng)驗(yàn)證技術(shù),由于其相對于硅材料所具有的優(yōu)勢,這項(xiàng)技術(shù)用于蜂窩基站和數(shù)款軍用/航空航天系統(tǒng)中的功率放大器。在這篇文章中,我們將比較GaN FET與硅FET二者的退化機(jī)制,并討論波形監(jiān)視的必要性。 使用壽命預(yù)測指標(biāo) 功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時(shí)間執(zhí)行數(shù)個(gè)供貨商所使
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氮化鎵GaN、碳化硅SiC等寬禁帶材料將成為電力電子未來選擇
- 當(dāng)人們思考電力電子應(yīng)用將使用哪種寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體材料時(shí),都會(huì)不約而同地想到氮化鎵(GaN)或碳化硅(SiC)。這不足為奇。因?yàn)榈壔蛱蓟枋请娏﹄娮討?yīng)用中最先進(jìn)的寬禁帶技術(shù)。市場研究公司Yole Développement在其報(bào)告中指出,電力電子應(yīng)用材料碳化硅、氮化鎵和其他寬禁帶材料具有一個(gè)更大的帶隙,可以進(jìn)一步提高功率器件性能。 n型碳化硅SiC晶片到2020年將以21%的CAGR成長至1.1億美元 由碳化硅電力設(shè)備市場驅(qū)動(dòng),n型碳化硅基
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IC China 2015 同期舉辦亞洲電子展
- 2015年11月11日-13日,為期三天的年IC China2015同期舉辦第86屆中國電子展及亞洲電子展將在上海新國際博覽中心隆重開幕。本屆展會(huì)將是全中國乃至全亞洲電子行業(yè)的盛會(huì),展會(huì)以“信息化推動(dòng)工業(yè)化,電子技術(shù)促進(jìn)產(chǎn)業(yè)升級”為主題,計(jì)劃展會(huì)規(guī)模60000平方米,1200家展商、60000名買家和專業(yè)觀眾。URBANFUN城市范(東莞市雅邦坊百貨有限公司)將攜多款URBANFUN COLOR 、URBANFUN X CITY SERIES、URBANFUN X NATURE
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物聯(lián)網(wǎng)難擔(dān)重任 IC市場的新“引擎”在哪?
- PC、平板計(jì)算機(jī)與智能型手機(jī)的成長表現(xiàn)都退步,最大希望就在物聯(lián)網(wǎng),然而現(xiàn)在看來產(chǎn)業(yè)缺乏成長推力
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氮化鎵元件將擴(kuò)展功率應(yīng)用市場
- 根據(jù)YoleDeveloppement指出,氮化鎵(GaN)元件即將在功率半導(dǎo)體市場快速發(fā)展,從而使專業(yè)的半導(dǎo)體業(yè)者受惠;另一方面,他們也將會(huì)發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際整流器(InternationalRectifier;IR)等大型廠商的競爭或并購壓力。 Yole估計(jì),2015年GaN在功率半導(dǎo)體應(yīng)用的全球市場規(guī)模約為1千萬美元。但從2016-2020年之間,這一市場將以93%的年復(fù)合成長率(CAGR)成長,預(yù)計(jì)在2020年時(shí)可望達(dá)到3千萬美元的產(chǎn)值。 目前銷售Ga
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歐洲持續(xù)主導(dǎo)車用芯片應(yīng)用市場
- 根據(jù)市場調(diào)查公司IC Insights,除了車用以及軍事國防領(lǐng)域以外,亞太地區(qū)(日本除外)將主導(dǎo)2015年所有主要的晶片應(yīng)用市場。 歐洲仍將是2015年最大的車用晶片應(yīng)用市場,但亞太地區(qū)正快速地迎頭趕上。根據(jù)IC Insights預(yù)測,美洲地區(qū)的政府與軍事應(yīng)用晶片市場規(guī)模將會(huì)是其他地區(qū)的2倍以上。 IC Insights預(yù)計(jì),亞太地區(qū)的車用晶片應(yīng)用市場將在2016年以前超過歐洲,隨著中國在汽車市場需求帶動(dòng)下,將在汽車生產(chǎn)方面占據(jù)龐大且不斷成長的重要地位。
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EV/HEV市場可期 SiC/GaN功率器件步入快車道
- 根據(jù)Yole Development預(yù)測,功率晶體管將從硅晶徹底轉(zhuǎn)移至碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)基板,以期能在更小的空間中實(shí)現(xiàn)更高功率。 在最新出版的“GaN與SiC器件驅(qū)動(dòng)電力電子應(yīng)用”(GaN and SiC Devices for Power Electronics Applications)報(bào)告中,Yole Development指出,促進(jìn)這一轉(zhuǎn)型的巨大驅(qū)動(dòng)力量之一來自電動(dòng)車(EV)與混合動(dòng)力車(HEV)產(chǎn)業(yè)。Yole預(yù)期EV/HEV產(chǎn)業(yè)將持續(xù)大力推動(dòng)Si
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