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	gan system
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          CGD與中國臺灣工業(yè)技術研究院簽署GaN電源開發(fā)諒解備忘錄
          
                                                            
            
                    	
          • Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)保科技半導體公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 與與中國臺灣工業(yè)技術研究院（ITRI）簽署了諒解備忘錄，以鞏固為USB-PD適配器開發(fā)高性能GaN解決方案的合作伙伴關系、并共享市場信息、實現(xiàn)對潛在客戶的聯(lián)合訪問和推廣。Andrea Bricconi   | CGD 首席商務官“我們很高興能與ITRI合作，ITRI擁有一個電力解決方案研究團隊，在開發(fā)電力解決方案方面有著非常豐富的經(jīng)驗
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          • 關鍵字：
                        CGD  GaN  電源開發(fā)                          
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          Power Integrations收購Odyssey Semiconductor資產(chǎn)
          
                                                            
            
                    	
          • 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領域的知名公司Power Integrations近日宣布達成協(xié)議，收購垂直氮化鎵(GaN)晶體管技術開發(fā)商Odyssey Semiconductor Technologies的資產(chǎn)。這項交易預計將于2024年7月完成，屆時Odyssey的所有關鍵員工都將加入Power Integrations的技術部門。此次收購將為該公司專有的PowiGaN?技術的持續(xù)開發(fā)提供有力支持。PowiGaN技術已廣泛應用于該公司的眾多產(chǎn)品系列，包括InnoSwitch? IC、HiperPFS
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          • 關鍵字：
                        Power Integrations  Odyssey  氮化鎵  GaN                          
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          SGS為地平線Matrix Mono System頒發(fā)ISO 26262產(chǎn)品認證證書 
          
                                                            
            
                    	
          • 2024年4月25日，在北京國際汽車展覽會現(xiàn)場，國際公認的測試、檢驗和認證機構(gòu)SGS通標標準技術服務有限公司（以下簡稱“SGS”）正式為北京地平線信息技術有限公司（以下簡稱地平線）Matrix
 Mono System產(chǎn)品頒發(fā)ISO 26262:2018 ASIL B Compliant 
功能安全產(chǎn)品認證證書。獲得此證書標志著地平線Matrix Mono System產(chǎn)品已經(jīng)按照ISO 
26262:2018版標準要求，實現(xiàn)了功能安全等級ASIL B完整性的要求。SGS為地平線Matrix Mon
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          • 關鍵字：
                        SGS  地平線  Matrix Mono System  ISO 26262                          
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          Transphorm與偉詮電子合作推出新款GaN器件
          
                                                            
            
                    	
          • 近日，Transphorm與偉詮電子宣布推出兩款新型系統(tǒng)級封裝氮化鎵（GaN）器件（SiP），與去年推出的偉詮電子旗艦GaN SiP一起，組成首個基于Transphorm SuperGaN平臺的系統(tǒng)級封裝GaN產(chǎn)品系列。新推出的兩款SiP器件型號分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了偉詮電子的高頻多模（準諧振/谷底開關）反激式PWM控制器和Transphorm的150 mΩ和480 mΩ SuperGaN FET。與上一款240 mΩ器件（WT7162RHUG24A）相同，兩
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          • 關鍵字：
                        功率半導體  氮化鎵  GaN                          
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          GaN FET讓您實現(xiàn)高性能D類音頻放大器
          
                                                            
            
                    	
          • D類音頻放大器參考設計(EPC9192)讓模塊化設計具有高功率和高效，從而可實現(xiàn)全定制、高性能的電路設計。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布近日推出EPC9192參考設計，可實現(xiàn)優(yōu)越、緊湊型和高效的D類音頻放大器，于接地參考、分離式雙電源單端 (SE)設計中發(fā)揮200 V eGaN FET器件(EPC2307)的優(yōu)勢，在4Ω負載時，每聲道輸出功率達700 W。EPC9192是可擴展的模塊化設計，其主板配有兩個PWM調(diào)制器和兩個半橋功率級子板，實現(xiàn)具備輔助管理電源和保護功能的雙通道放大器。這種設計的靈活性高，使
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          • 關鍵字：
                        GaN FET  D類音頻放大器                          
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          氮化鎵器件讓您實現(xiàn)具成本效益的電動自行車、無人機和機器人
          
                                                            
            
                    	
          • 基于氮化鎵器件的逆變器參考設計(EPC9193)讓您實現(xiàn)具有更高性能的電機系統(tǒng)，其續(xù)航里程更長、精度更高、扭矩更大，而且同時降低了系統(tǒng)的總成本。宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）近日宣布推出EPC9193，它是使用EPC2619 eGaN?FET的三相BLDC電機驅(qū)動逆變器，具有14V~65V的寬輸入直流電壓范圍和兩種配置，分別為標準和高電流版本：●? ?EPC9193 是標準參考設計，在每個開關位置使用單個FET，可提供高達30ARMS 的最大輸出電流。●? ?EPC91
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          • 關鍵字：
                        氮化鎵器件  電動自行車  無人機  機器人  EPC  GaN  宜普                          
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          將達100億美元，SiC功率器件市場急速擴張
          
                                                            
            
                    	
          • SiC 市場的快速擴張主要得益于電動汽車的需求，預計 2023 年市場將比上年增長 60%。
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          • 關鍵字：
                        GaN  SiC                          
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          GaN引領未來寬帶功率放大器——Qorvo TGA2962
          
                                                            
            
                    	
          • Qorvo是一家在射頻解決方案領域具有顯著影響力的美國公司。它通過提供創(chuàng)新的射頻技術，為移動、基礎設施與國防/航空航天市場提供核心技術及解決方案，致力于實現(xiàn)全球互聯(lián)。Qorvo在射頻前端模塊、濾波器、功率放大器、開關、調(diào)諧器等領域都展現(xiàn)出了強大的技術實力和市場地位。它是全球主要的功頻放大器供貨商，其產(chǎn)品在市場上具有較高的認可度和廣泛的應用。這使得Qorvo在推動5G網(wǎng)絡、云計算、物聯(lián)網(wǎng)等新興應用市場的發(fā)展方面發(fā)揮了重要作用。在Qorvo所擅長的寬帶功率放大器領域之中，GaN材料展露出了重要的應用潛力。由于
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          • 關鍵字：
                        Qorvo  GaN  寬帶功率放大器                          
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          納微半導體與您相約亞洲充電展，最新GaN+SiC技術展望快充未來
          
                                                            
            
                    	
          • 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領導者——納微半導體近日宣布將參加于2024年3月20-22日在深圳福田會展中心舉辦的亞洲充電展，邀請觀眾造訪由最新氮化鎵和碳化硅技術打造，象征著全電氣化未來的“納微芯球”展臺。納微半導體將展出最新的GaNFast?和GeneSiC?應用及解決方案，包括：●? ?功率水平更高、以應用為導向的GaNSense? Halfbridge半橋氮化鎵技術●? ?高性能、速度快的第三代高速碳化硅技術●? &
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          • 關鍵字：
                        納微半導體  亞洲充電展  GaN+SiC  快充                          
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          英飛凌攜手Worksport利用氮化鎵降低便攜式發(fā)電站的重量和成本
          
                                                            
            
                    	
          • 英飛凌科技股份公司近日宣布與Worksport Ltd.合作，共同利用氮化鎵（GaN）降低便攜式發(fā)電站的重量和成本。Worksport將在其便攜式發(fā)電站轉(zhuǎn)換器中使用英飛凌的GaN功率半導體GS-065-060-5-B-A提高效能和功率密度。在采用英飛凌GaN晶體管后，該功率轉(zhuǎn)換器將變得更輕、更小，系統(tǒng)成本也將隨之降低。此外，英飛凌還將幫助Worksport優(yōu)化電路和布局設計，進一步縮小尺寸并提高功率密度。Worksport首席執(zhí)行官Steven Rossi表示：“英飛凌高質(zhì)量標準和穩(wěn)固的供應鏈為我們提供了
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          • 關鍵字：
                        英飛凌  Worksport  氮化鎵  GaN  便攜式發(fā)電站                          
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          EPC推出首款具有最低1mΩ導通電阻的GaN FET
          
                                                            
            
                    	
          • 全球增強型氮化鎵(GaN)功率 FET 和 IC領域的領導者宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）推出 100 V、1 mOhm EPC2361。這是市場上具有最低導通電阻的GaN FET，與EPC的上一代產(chǎn)品相比，其功率密度提高了一倍。EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm，采用耐熱QFN封裝，頂部裸露，封裝尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面積僅為15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的體積小超過五倍。憑借超低導通電阻
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          • 關鍵字：
                        EPC  1mΩ  導通電阻  GaN FET                          
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          適用于自主駕駛車輛LiDAR的GaN FET快速指南
          
                                                            
            
                    	
          • 激光探測及測距 (LiDAR) 的應用包括自主駕駛車輛、無人機、倉庫自動化和精準農(nóng)業(yè)。在這些應用中，大多都有人類參與其中，因此人們擔心 LiDAR 激光可能會對眼睛造成傷害。為防止此類傷害，汽車 LiDAR 系統(tǒng)必須符合 IEC 60825-1 1 類安全要求，同時發(fā)射功率不超過 200 W。通用解決方案一般采用 1 至 2 ns 脈沖，重復頻率為 1 至 2 MHz。這很有挑戰(zhàn)性，因為需要使用微控制器或其他大型數(shù)字集成電路 (IC) 來控制激光二極管，但又不能直接驅(qū)動它，這樣就必須增加一個柵極
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          • 關鍵字：
                        自主駕駛  LiDAR  GaN  FET                          
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          帶隙對決：GaN和SiC，哪個會占上風？
          
                                                            
            
                    	
          • 電力電子應用希望納入新的半導體材料和工藝。
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          • 關鍵字：
                        GaN  SiC                          
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          SR-ZVS與GaN：讓電源開關損耗為零的魔法
          
                                                            
            
                    	
          • 當今，快充市場正迎來前所未有的機遇與挑戰(zhàn)。風暴仍在繼續(xù)，快充市場的迅猛發(fā)展，用戶對于充電器的功率需求也在不斷增大；移動設備的普及，用戶對于充電器體積的要求也越來越高；同時為了在激烈的市場競爭中脫穎而出，低成本是每個快充產(chǎn)品必須考慮的因素。種種這些都對快充技術的要求愈發(fā)嚴格，不僅需要高效率、高功率，還需要適應多樣化的標準和滿足用戶個性化的需求。在種種挑戰(zhàn)之下，PI推出了InnoSwitch5-Pro 離線反激式開關IC，在內(nèi)部集成750V或900V PowiGaN?初級開關、初級側(cè)控制器、FluxLink?
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          • 關鍵字：
                        PI  SR-ZVS  GaN  氮化鎵                          
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          EPC GaN FET可在數(shù)納秒內(nèi)驅(qū)動激光二極管，實現(xiàn)75~231A脈沖電流
          
                                                            
            
                    	
          • 宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）推出三款激光驅(qū)動器電路板，這些板采用了符合AEC-Q101認證標準、快速轉(zhuǎn)換的GaN FET以實現(xiàn)具備卓越性能的激光雷達系統(tǒng)。EPC推出三款評估板，分別是EPC9179、EPC9181和EPC9180，它采用75 A、125 A、231 A脈沖電流激光驅(qū)動器和通過車規(guī)級AEC-Q101認證的EPC GaN FET - EPC2252、EPC2204A 和EPC2218A。它比前代氮化鎵器件的體積小30%和更具成本效益。這些電路板專為長距離和
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          • 關鍵字：
                        EPC GaN FET  激光二極管                          
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          gan system介紹
          
      			
          
		      	
          
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