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          技術(shù)講座:用氧化鎵能制造出比SiC性價(jià)比更高的功率元件(一)

          • 與SiC和GaN相比,β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件,因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源...
          • 關(guān)鍵字: SiC  功率元件  GaN  導(dǎo)通電阻  

          采用IMEC的SiC技術(shù)完成生物電信號(hào)采集

          • 采用IMEC的SiC技術(shù)完成生物電信號(hào)采集,人體信息監(jiān)控是一個(gè)新興的領(lǐng)域,人們設(shè)想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來診斷癲癇病人,可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動(dòng)空間,并最終通過因特網(wǎng)實(shí)現(xiàn)家庭監(jiān)護(hù)。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了,但如何將他們的體積
          • 關(guān)鍵字: IMEC  SiC  生物電信號(hào)采集    

          硅上GaN LED分析

          • 硅上GaN LED不必受應(yīng)力的影響,一定量的應(yīng)力阻礙了輸出功率。英國一個(gè)研究小組通過原位工具監(jiān)測溫度和晶片曲率,制備出低位錯(cuò)密度的扁平型150mm外延片,并將這些芯片安裝到器件中,使得內(nèi)量子效率接近40%。硅襯底在
          • 關(guān)鍵字: GaN  LED  分析    

          世界首家“全SiC”功率模塊開始量產(chǎn)

          • 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社(總部:日本京都市)推出的“全SiC”功率模塊(額定1200V/100A)開始投入量產(chǎn)。該產(chǎn)品的內(nèi)置功率半導(dǎo)體元件全部采用SiC(Silicon Carbide:碳化硅)構(gòu)成。
          • 關(guān)鍵字: 羅姆  半導(dǎo)體  SiC  

          用SiC撬動(dòng)新能源、汽車電子新興市場

          • 由于具有低功耗、高耐壓、高耐溫、高可靠性等優(yōu)點(diǎn),SiC功率器件被廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車/混合動(dòng)力車中的逆變器、轉(zhuǎn)換器、PFC電路等領(lǐng)域、傳統(tǒng)工業(yè)(尤其是軍工)中的功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域以及太陽能、風(fēng)能等新能源中的整流、逆變等領(lǐng)域,很多半導(dǎo)體廠商都看好SiC技術(shù)的未來,并積極投身其中,在08年收購生產(chǎn)SiC晶圓的德國SiCrystal公司之后,羅姆半導(dǎo)體(ROHM)已經(jīng)在SiC領(lǐng)域形成了從晶圓制造、前期工序、后期工序再到功率模塊的一條龍生產(chǎn)體系,并率先市場SiC器件的量產(chǎn),羅姆要將SiC器件應(yīng)用于哪些新興領(lǐng)域?如何發(fā)揮其
          • 關(guān)鍵字: 羅姆  太陽能  SiC  

          瑞薩電子推出三款低損耗碳化硅功率器件

          • 全球領(lǐng)先的高級(jí)半導(dǎo)體和解決方案的供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社(以下簡稱“瑞薩電子”)宣布推出三款碳化硅(SiC)復(fù)合功率器件,它們是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款產(chǎn)品在單一封裝中結(jié)合了多個(gè)碳化硅二極管和多個(gè)功率晶體管,組成電源轉(zhuǎn)換電路。這些功率器件是瑞薩電子推出的采用碳化硅的第二個(gè)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品系列。碳化硅是一種能有效降低損耗的新材料。全新功率器件旨在用于家電(如空調(diào))、PC服務(wù)器和太陽能發(fā)電系統(tǒng)等電力電子產(chǎn)品。
          • 關(guān)鍵字: 瑞薩電子  功率器件  SiC  

          科銳推出芯片型碳化硅功率器件

          • 碳化硅(SiC)功率器件領(lǐng)域的市場領(lǐng)先者科銳公司將繼續(xù)引領(lǐng)高效率電子電力模組變革,宣布推出業(yè)界首款符合全面認(rèn)證的可應(yīng)用于電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件??其J碳化硅ZFET MOSFET器件和二極管適用于高階電力電子電路,與傳統(tǒng)硅器件相比,可實(shí)現(xiàn)更高的能源效率。
          • 關(guān)鍵字: 科銳  SiC  MOSFET  

          利用氬氣改善p型GaN LED的性能

          • 如果你想要得到顯著的摻雜剖面結(jié)構(gòu)及低阻值的p型GaN,那么就要考慮把你的載體氣體由氫氣置換成氬氣。作者:Vla...
          • 關(guān)鍵字: GaN  LED    

          采用GaN LED的便攜式DNA分析儀

          • 在當(dāng)今社會(huì),DNA分析的重要性毋庸置疑。就拿上個(gè)月發(fā)生的案例來說:英國倫敦一位名叫DamilolaTaylor的十歲男孩...
          • 關(guān)鍵字: GaN  LED    

          羅姆與APEI聯(lián)合開發(fā)出SiC溝槽MOS模塊

          • 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社(總部:日本京都市)日前面向EV、HEV車(電動(dòng)汽車、混合動(dòng)力車)及工業(yè)設(shè)備,與擁有電力系統(tǒng)和電源封裝技術(shù)的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯(lián)合開發(fā)出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊“APEI HT2000”。該模塊一改傳統(tǒng)的Si模塊的設(shè)計(jì),由于最大限度地利用了SiC器件的特點(diǎn),從而大幅改善了電氣特性、機(jī)械特性,同時(shí)實(shí)現(xiàn)了超小型化、輕量化、高效化,在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
          • 關(guān)鍵字: 羅姆  SiC  MOS  

          羅姆開發(fā)出世界首家壓鑄模類型SiC功率模塊

          • 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社(總部:日本京都市)日前面向EV/HEV車(電動(dòng)汽車/混合動(dòng)力車)和工業(yè)設(shè)備的變頻驅(qū)動(dòng),開發(fā)出符合SiC器件溫度特性的可在高溫條件下工作的SiC功率模塊。該模塊采用新開發(fā)的高耐熱樹脂,世界首家實(shí)現(xiàn)了壓鑄模類型、225℃高溫下工作,并可與現(xiàn)在使用Si器件的模塊同樣實(shí)現(xiàn)小型和低成本封裝,在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
          • 關(guān)鍵字: 羅姆  SiC  

          大功率LED關(guān)鍵材料GaN開始侵食硅功率MOSFET市場

          • 超級(jí)半導(dǎo)體材料GaN(氮化鎵)的時(shí)代正開啟。它比傳統(tǒng)的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓,已成為大功率LED的關(guān)鍵材料之...
          • 關(guān)鍵字: LED  GaN  MOSFET  

          羅姆半導(dǎo)體: “四大戰(zhàn)略”迸發(fā)強(qiáng)勁動(dòng)力

          • 據(jù)羅姆中國營業(yè)本部村井美裕介紹,面對(duì)未來的50年,羅姆提出了“相乘戰(zhàn)略”、“功率器件戰(zhàn)略”、“LED戰(zhàn)略”和“傳感器戰(zhàn)略”四大企業(yè)戰(zhàn)略。
          • 關(guān)鍵字: 羅姆  SiC  LED  

          富士電機(jī)擬擴(kuò)增SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)線

          •   富士電機(jī)計(jì)劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導(dǎo)體,并在2012年前于該公司位于日本長野縣的松元制作所增設(shè)一條產(chǎn)線,此為該公司首次在自家工廠設(shè)置碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)線,未來預(yù)計(jì)在2012年春季開始量產(chǎn)。   
          • 關(guān)鍵字: 富士電機(jī)  SiC  

          SiC寬帶功率放大器模塊設(shè)計(jì)分析

          • 引言  隨著現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展, 功率放大器已成為無線通信系統(tǒng)中一個(gè)不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產(chǎn)生技術(shù)已成為現(xiàn)代通信對(duì)抗的關(guān)鍵技術(shù)。作為第三代半導(dǎo)體材料碳化硅( SiC) , 具有寬禁帶、高熱導(dǎo)率、高擊穿場
          • 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì)  分析  模塊  功率放大器  寬帶  SiC  
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