摘要：為了實現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測器，利用自洽的薛定諤-泊松方法對GaN基多量子阱結構的能帶結構進行了研究?？紤]了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應，通過設計適當?shù)牧孔于褰Y構，利用自發(fā)極化和壓電極化的互補
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設計 探測器 紅外 量子 GaN
摘要：氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場等特點，使其具有帶寬寬，高效特性等優(yōu)點。為了研究GaN功率放大器的特點，使用了Agilent ADS等仿真軟件，進行電路仿真設計，設計制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電
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GaN S波段 寬帶 放大器
摘要：大面積單結集成型a－Si:H太陽電池的結構設計技術，并分析了制備工藝對其性能的影響。關鍵詞：太陽電池設計分析Structural Device and Preparation Analysis of Large AreaSingle Junction Integrated a－ Si:H
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結構設計 制備 分析 電池 太陽 結集 成型 Si:H 大面積
氮化鎵(GaN)作為第三代半導體材料的典型代表之一，由于其寬帶隙、高擊穿電場強度等特點，被認為是高頻功率半導體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點，基于Agilent ADS仿真軟件，利用負載／源牽引方法設計制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細說明了設計步驟并對放大器進行了測試，數(shù)據(jù)表明放大器在2．3～2．4 GHz范圍內可實現(xiàn)功率超過15W，附加效率超過67％的輸出。實驗結果證實，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點。
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設計 功率放大器 GaN 一種
引言 近年來，光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛，提高效率和降低成本成為整個行業(yè)的目標。在晶體Si太陽電池的薄片化發(fā)展過程中，出現(xiàn)了許多嚴重的問題，如碎片、電池片隱裂、表面污染、電極不良等，正是這些缺陷限制了電池的光電
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電池 缺陷 應用 太陽 Si 技術 檢測 晶體 發(fā)光
目前國際上商品化的GaN基LED均是在藍寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍寶石由于硬度高、導電性和導熱性差等原因，對后期器件加工和應用帶來很多不便，SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處，而價格相對便宜的Si襯底由于有著優(yōu)良的導熱導電性能和成熟的器件加工工藝等優(yōu)勢，因此Si襯底GaN基LED制造技術受到業(yè)界的普遍關注。
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GaN LED 襯底 功率型
Automated DDR3 Analysis
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Quamtum-SI DDR3 仿真
美國iSuppli公布了關于GaN(氮化鎵)功率半導體市場將迅速增長的調查報告)。報告顯示，2010年的市場規(guī)模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式，不斷擴大市場規(guī)模。iSuppli預測，該產(chǎn)品在高性能服務器、筆記本電腦、手機及有線通信設備等方面的應用將取得進展。
目前，GaN功率半導體正處于在研究室評測階段，或者剛開始商用化的階段。不過，GaN功率半導體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導通電阻較低等優(yōu)點，可提高電源電路的轉
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GaN MOSFET
摘 要：介紹SI-PROG編程器的工作原理，利用PC機串口UART芯片實現(xiàn)單片機的ISP下載。PC機串口8250芯片中SOUT，DTR，RTS，CTS四個引腳的電平可通過其內部的幾個寄存器分別進行控制或讀取，利用引腳可實現(xiàn)單片機的ISP下栽
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及其 程序設計 原理 工作 編程器 SI-PROG
使用國產(chǎn)6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型，利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級GaNMMIC，研制出具有通孔結構的GaN MMIC芯片，連續(xù)波測試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時連續(xù)波輸出功率大于10W，帶內增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個采用國產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。
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MMIC SiC GaN 襯底
合成儀器(SI)由模塊化組件構建并啟用高速處理器和近代總線技術,有望給測試用戶帶來更多的功能與靈活性,較低廉的總成本、更高速操作、更小的物理占用面積以及較長的使用壽命。然而,生產(chǎn)廠家和用戶共同面臨的一個問題是缺乏統(tǒng)一的,能滿足體系結構和商品化要求的設計標準。PXI和VXI模塊儀器是這類應用的最佳候選,但對SI設計人員亦有諸多限制,最終形成具有專用接口與控制模塊包裝的混合系統(tǒng)。
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測試測量 SI LXI
一直以來,信號完整性都是模擬工程師考慮的問題,但是隨著串行數(shù)據(jù)鏈接的傳輸速率向GHz級發(fā)展,數(shù)字硬件設計人員現(xiàn)在也必須關注這個重要的問題。
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Tundra SI 串行
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布，成功開發(fā)出一種革命性的GaN功率器件技術平臺。與此前最先進的硅基技術平臺相比，該技術平臺可將關鍵特定設備的品質因子 (FOM) 提高1/10，顯著提高計算和通信、汽車和電器等終端設備的性能，并降低能耗。
開拓性GaN功率器件技術平臺是IR基于該公司的GaN器件專利技術，歷經(jīng)5年研發(fā)而成的成果。
IR的GaN功率器件技術平臺有助于實現(xiàn)電源轉換解決方案的革命性進步。通過有效利用公司60年來在電源轉換專業(yè)知識方面
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IR 功率器件 GaN 終端
要預測客戶對一款手機性能的接受程度，從而預測手機設計的品質，需要進行實際使用測試。使用測試是一種很有價值...
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GAN 蜂窩 話音質量
Cree發(fā)布了兩款突破性的GaN HEMT三極管，用于覆蓋4.9-5.8GHz頻帶的WiMAX。新款三極管CGH55015F與CGH55030F是首次發(fā)布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX產(chǎn)品，其性能級別進一步證實了Cree在GaN技術上的的領導地位。
新款15-watt與30-watt器件的重要潛在特性包括：
1. 相比于類似功率級的GaAs MOSFET器件，效率增加四倍
2. 相比于商業(yè)可用硅LDMOS，提高了工作頻率
3. 在免授權的5.8G
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三極管 WiMAX Cree GaN
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