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          EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> gate driver

          臺(tái)積電宣布驚人之舉 28nm制程節(jié)點(diǎn)將轉(zhuǎn)向Gate-last工藝

          •   去年夏季,一直走Gate-first工藝路線的臺(tái)積電公司忽然作了一個(gè)驚人的決定:他們將在其28nm HKMG柵極結(jié)構(gòu)制程技術(shù)中采用Gate-last工藝。不過據(jù)臺(tái)積電負(fù)責(zé)技術(shù)研發(fā)的高級(jí)副總裁蔣尚義表示,臺(tái)積電此番作出這種決定是要“以史為鑒”。以下,便讓我們?cè)谑Y尚義的介紹中,了解臺(tái)積電28nm HKMG Gate-last工藝推出的背景及其有關(guān)的實(shí)現(xiàn)計(jì)劃。   Gate-last是用于制作金屬柵極結(jié)構(gòu)的一種工藝技術(shù),這種技術(shù)的特點(diǎn)是在對(duì)硅片進(jìn)行漏/源區(qū)離子注入操作以及隨后的高溫
          • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  Gate-last  28nm   

          無須降壓電容的低零件成本LED Driver

          •   特點(diǎn)-   工作電壓范圍:5V~450V   支持四種調(diào)光方式:開關(guān)調(diào)光、脈沖信號(hào)(PWM)調(diào)光、DC調(diào)光(0~5V)、熱平衡調(diào)光。   多重保護(hù)功能:LED開路保護(hù)、LED短路保護(hù)、過電流保護(hù)、過溫度保護(hù)   支持隔離或非
          • 關(guān)鍵字: 綠達(dá)  LED Driver  

          特許半導(dǎo)體四季度上馬32nm工藝 明年轉(zhuǎn)入28nm

          •   新加坡特許半導(dǎo)體計(jì)劃在今年第四季度推出32nm制造工藝,明年上半年再進(jìn)一步轉(zhuǎn)入28nm。   特許半導(dǎo)體很可能會(huì)在明天的技術(shù)論壇上公布32nm SOI工藝生產(chǎn)線的試運(yùn)行計(jì)劃,并披露28nm Bulk CMOS工藝路線圖,另外45/40nm LP低功耗工藝也已就緒。   特許的28nm工藝并非獨(dú)立研發(fā),而是在其所處的IBM技術(shù)聯(lián)盟中獲取的,將會(huì)使用高K金屬柵極(HKMG)技術(shù)以及Gate-first技術(shù)(Intel是Gate-last的堅(jiān)定支持者)。   特許半導(dǎo)體2009年技術(shù)論壇將在臺(tái)灣新竹市
          • 關(guān)鍵字: 特許半導(dǎo)體  32nm  28nm  Gate-first  

          臺(tái)積電28納米明年1Q試產(chǎn) 迎擊IBM陣營(yíng)

          •   臺(tái)積電28納米制程再邁大步,預(yù)計(jì)最快2010年第1季底進(jìn)入試產(chǎn),2011年明顯貢獻(xiàn)營(yíng)收,臺(tái)積電可望在28納米世代迎接中央處理器(CPU)代工訂單,目前28納米制程技術(shù)最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,仍是來自IBM陣營(yíng)的Global Foundries與新加坡特許(Chartered),雙方競(jìng)爭(zhēng)更趨激烈。   臺(tái)積電表示,已將低耗電制程納入28納米高介電層/金屬閘(HKMG)制程技術(shù)藍(lán)圖,預(yù)計(jì)2010年第3季進(jìn)行試產(chǎn),至于28納米低功耗制程(28LP)、高效能制程(28HP)則分別于2010年第1季底、第2季底進(jìn)入試產(chǎn)
          • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  28納米  gate-last  

          面向未來汽車應(yīng)用的高可靠性創(chuàng)新半導(dǎo)體方案綜述

          Intersil :衛(wèi)星電源管理解決方案

          • 本文介紹了Intersil的衛(wèi)星電源管理解決方案。
          • 關(guān)鍵字: PWM  Driver  Hard  

          LCD Driver IC 測(cè)試方法及其對(duì)測(cè)試系統(tǒng)提出的挑戰(zhàn)

          • LCD Driver IC 測(cè)試方法及其對(duì)測(cè)試系統(tǒng)提出的挑戰(zhàn)(2)         假設(shè)被測(cè)的是256色、384 LCD輸出且具有Dot 翻轉(zhuǎn)功能的IC,那么由公式可得需要測(cè)試的電壓值個(gè)數(shù)為:  256(顏色深度)x384(pin數(shù))x2(Dot 翻轉(zhuǎn)) =196,608  一般的DC測(cè)試部件的測(cè)試時(shí)間為幾到幾十個(gè)uS,由此可知測(cè)試時(shí)間將會(huì)比較長(zhǎng)。如果IC的色彩深度高一些的話(65535色),測(cè)試時(shí)間根本無法讓人接受,因此在進(jìn)行此類測(cè)試時(shí)需要使用數(shù)字采樣器(Dig
          • 關(guān)鍵字: LCD  Driver  IC  液晶顯示  LCD  

          LCD Driver IC 測(cè)試方法及其對(duì)測(cè)試系統(tǒng)提出的挑戰(zhàn)

          • LCD Driver IC 測(cè)試方法及其對(duì)測(cè)試系統(tǒng)提出的挑戰(zhàn)LCD顯示器件在中國(guó)已有二十多年的發(fā)展歷程,已經(jīng)從最初的以數(shù)字顯示為主轉(zhuǎn)變?yōu)橐渣c(diǎn)陣字符、圖形顯示為主。LCD顯示設(shè)備以其低電壓驅(qū)動(dòng)、微小功耗、能夠與CMOS電路和LSI直接匹配、具有極薄的扁平結(jié)構(gòu)、可以在極亮的環(huán)境光下使用、工藝簡(jiǎn)單等等特點(diǎn)成為了極有發(fā)展前景的顯示器件?! CD顯示器件種類繁多、發(fā)展迅速,從種類到原理、從結(jié)構(gòu)到效應(yīng)、從使用方式到應(yīng)用范圍差異很大,從測(cè)試原理上來說也就會(huì)有一些不同,目前比較常用的是STN和TFT的LCD顯示器件。由
          • 關(guān)鍵字: LCD  Driver  IC  液晶顯示  LCD  
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