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          GF 22nm工藝首次贏得中國(guó)客戶訂單

          •   AMD剝離出來(lái)的代工廠GlobalFoundries(經(jīng)常被戲稱為AMD女友)近日迎來(lái)好消息,上海復(fù)旦微電子已經(jīng)下單采納其22nmFD-SOI工藝(22FDX)?! ∵@也是GF22nm工藝第一次贏得中國(guó)客戶的訂單。  上海復(fù)旦微電子集團(tuán)股份有限公司(曾用名上海復(fù)旦微電子股份有限公司)是國(guó)內(nèi)從事超大規(guī)模集成電路的設(shè)計(jì)、開發(fā)和提供系統(tǒng)解決方案的專業(yè)公司,1998年7月由復(fù)旦大學(xué)專用集成電路與系統(tǒng)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、上海商業(yè)投資公司和一批夢(mèng)想創(chuàng)建中國(guó)最好集成電路設(shè)計(jì)公司的創(chuàng)業(yè)者共同出資創(chuàng)建,2000年8月4日在
          • 關(guān)鍵字: GF  22nm  

          GF CEO:半導(dǎo)體將迎來(lái)"黃金十年",7nm FinFET預(yù)計(jì)2019量產(chǎn)

          •   GlobalFoundries首席CEO Sanjay Jha 30日在MWC上海指出,非常看好大陸市場(chǎng)將從世界制造工廠轉(zhuǎn)型成為人工智能(AI)創(chuàng)新匯聚之地。他說(shuō),超大型數(shù)據(jù)中心與AI應(yīng)用帶來(lái)大量的影片語(yǔ)音傳輸與存儲(chǔ)器需求,將帶給未來(lái)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新的“黃金十年”?! ∵^(guò)去曾任高通CEO的Sanjay Jha演講一開場(chǎng)也從智能手機(jī)應(yīng)用角度切入。他表示,過(guò)去這1、2年內(nèi)技術(shù)猛進(jìn)帶來(lái)令人興奮的前景,智能手機(jī)帶來(lái)人們生活與科技使用習(xí)慣的改變,手機(jī)存儲(chǔ)器容量不斷提升,人們通
          • 關(guān)鍵字: GF  7nm   

          GF CEO:半導(dǎo)體將迎來(lái)“黃金十年”,7nm FinFET預(yù)計(jì)2019量產(chǎn)

          •   GlobalFoundries首席CEO Sanjay Jha 30日在MWC上海指出,非常看好大陸市場(chǎng)將從世界制造工廠轉(zhuǎn)型成為人工智能(AI)創(chuàng)新匯聚之地。他說(shuō),超大型數(shù)據(jù)中心與AI應(yīng)用帶來(lái)大量的影片語(yǔ)音傳輸與存儲(chǔ)器需求,將帶給未來(lái)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新的“黃金十年”。   過(guò)去曾任高通CEO的Sanjay Jha演講一開場(chǎng)也從智能手機(jī)應(yīng)用角度切入。他表示,過(guò)去這1、2年內(nèi)技術(shù)猛進(jìn)帶來(lái)令人興奮的前景,智能手機(jī)帶來(lái)人們生活與科技使用習(xí)慣的改變,手機(jī)存儲(chǔ)器容量不斷提升,人們通過(guò)社交媒體互
          • 關(guān)鍵字: GF  7nm   

          7nm路線圖公布:臺(tái)積電與GF即將翻身

          •   科技網(wǎng)站Anandtech公布了幾家半導(dǎo)體巨頭最新的制程路線圖,主要就是下一代的10nm和7nm工藝制程。通過(guò)路線圖可以看到臺(tái)積電與GF可以說(shuō)即將翻身,而老牌企業(yè)Intel則將在10nm制程徘徊一段時(shí)間。                       從官方公布的路線圖來(lái)看,臺(tái)積電是最快到達(dá)7nm工藝制程的廠商,在2018年第一季度就可以搞定7nm ff工藝,而GF則在2018年第二季度更新至7nm工藝。三星將會(huì)在2019年更新至
          • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  GF  

          智能管理:D-Link大型校園網(wǎng)方案

          • 大型校園網(wǎng)是指規(guī)模很大、建筑眾多,甚至有多個(gè)校區(qū)的校園網(wǎng),網(wǎng)絡(luò)覆蓋范圍通??蛇_(dá)數(shù)公里,有時(shí)還會(huì)超過(guò)十公里(存在分校時(shí)),可能同時(shí)采用多模、單模及遠(yuǎn)距離千兆光纖設(shè)備進(jìn)行傳輸。信息點(diǎn)在500個(gè)以上的大型重點(diǎn)中學(xué)和大學(xué)的校園網(wǎng)建設(shè)均具有以下需求特點(diǎn):設(shè)有眾多的多媒體網(wǎng)絡(luò)教室,大型的圖書館樓、多個(gè)實(shí)驗(yàn)樓、教學(xué)樓和辦公樓,而且學(xué)生和教工宿舍也要實(shí)現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)覆蓋。出于對(duì)整個(gè)網(wǎng)絡(luò)的運(yùn)營(yíng)管理角度考慮,大型校園網(wǎng)通常采用將三層交換功能的骨干交換機(jī)和具有安全功能的寬帶接入交換機(jī)配套使用,并輔之以網(wǎng)絡(luò)管理軟件對(duì)整個(gè)網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行監(jiān)控和維
          • 關(guān)鍵字: 智能管理  D-link  校園網(wǎng)  

          家用網(wǎng)關(guān)網(wǎng)絡(luò)解決方案

          基于MCU的脈搏血氧儀設(shè)計(jì)

          • 脈搏血氧儀是一種用于監(jiān)視病人血氧飽和度的非浸入式儀器,它正受益于從昂貴的分立元件解決方案轉(zhuǎn)向更高集成度的設(shè)計(jì)。但是,集成意味著需要就采用哪種處理架構(gòu)做出艱難抉擇。
          • 關(guān)鍵字: 脈搏血氧儀  A/D  MCU  

          基于FPGA的USB側(cè)音測(cè)距信號(hào)發(fā)生器設(shè)計(jì)

          • 隨著我國(guó)航天技術(shù)的不斷進(jìn)步,深空測(cè)距技術(shù)受到越來(lái)越多的關(guān)注。在深空測(cè)距系統(tǒng)中,中頻信號(hào)發(fā)生器對(duì)系統(tǒng)性能有著重要的意義。在USB(統(tǒng)一S頻段)系統(tǒng)中,原有的模擬電路實(shí)現(xiàn)的發(fā)射模塊存在性能不完善、輸入動(dòng)態(tài)范圍小、可控性能差、不能適應(yīng)中心頻率大范圍變化、體積大等問(wèn)題,為了解決上述問(wèn)題,可在一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)化通用數(shù)字調(diào)制信號(hào)發(fā)生器的平臺(tái)上,通過(guò)外圍的控制電路,實(shí)現(xiàn)對(duì)載波中心頻率、輸出功率、調(diào)相指數(shù)、測(cè)距音通/斷控制等參數(shù)的改變。
          • 關(guān)鍵字: PLD  USB  測(cè)距  D/A  FPGA  

          一款大功率半導(dǎo)體激光控制器的設(shè)計(jì)方案

          • 把關(guān)鍵元件(如高性能晶振、SAW 濾波器、光放大器、激光二極管) 的本機(jī)溫度限制在窄范圍內(nèi),可以提高電子系統(tǒng)的精度,一般需要將溫度控制在0. 1 ℃內(nèi),激光器的工作精度才能很好地保持在0. 1nm 內(nèi) .本文的設(shè)計(jì)方案能為大功率半導(dǎo)體激光器提供有效支持,最大電流可達(dá)2. 5A.
          • 關(guān)鍵字: 激光控制器  A/D  光電技術(shù)  恒流源  溫度探測(cè)器  

          基于ARM與FPGA控制的LTC2207在寬帶頻率特性測(cè)試儀數(shù)據(jù)采集中的應(yīng)用

          • 引言數(shù)據(jù)采集技術(shù)是一種流行且實(shí)用的電子技術(shù)。它廣泛應(yīng)用于信號(hào)檢測(cè)、信號(hào)處理、儀器儀表等領(lǐng)域。近年來(lái),隨著數(shù)字化技術(shù)的不斷發(fā)展,數(shù)據(jù)采集技術(shù)也呈現(xiàn)出速度更高、通道更多、數(shù)據(jù)量更大的發(fā)展趨勢(shì)。本
          • 關(guān)鍵字: A/D  LTC2207  FPGA  數(shù)據(jù)采集技術(shù)  

          多通道A/D轉(zhuǎn)換控制模塊的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

          • 控制信號(hào)中的模擬量傳輸正逐步改為數(shù)字量傳輸,各種非數(shù)字化設(shè)備也必將逐步為數(shù)字化智能產(chǎn)品所取代。但是,在實(shí)際生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)依然有大量的數(shù)據(jù)是模擬量,例如壓力、液位、溫度等,必須通過(guò)A/D轉(zhuǎn)換才能將這些數(shù)據(jù)送到控制系統(tǒng)進(jìn)行分析處理。為滿足實(shí)際需要,本文提出利用MC143150 Neuron芯片和12位串行模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADS7844開發(fā)與設(shè)計(jì)多通道A/D轉(zhuǎn)換控制模塊,實(shí)現(xiàn)了多個(gè)模擬量信號(hào)的并行采集、分析與處理功能,具有精度高和性能可靠等特點(diǎn)。
          • 關(guān)鍵字: 多通道  A/D  控制模塊  

          PIC單片機(jī)與16位串行D/A轉(zhuǎn)換原理

          • 下面介紹了基于PIC單片機(jī)與16位串行D/A轉(zhuǎn)換的原理:  1.基本原理  D/A轉(zhuǎn)換器相當(dāng)于一種譯碼電路,它將數(shù)字輸入傳換為模擬輸出:  其中,D是數(shù)字輸入,VR是模擬
          • 關(guān)鍵字: D/A轉(zhuǎn)換器  PIC單片機(jī)  模擬輸出  

          正確理解A/D轉(zhuǎn)換器的輸入

          • 正確理解A/D轉(zhuǎn)換器的輸入,許多嵌入式應(yīng)用都會(huì)用到A/D轉(zhuǎn)換器。然而,如果錯(cuò)誤連接了A/D轉(zhuǎn)換器輸入端的電路,就會(huì)無(wú)意識(shí)的破壞A/D轉(zhuǎn)換的測(cè)量。
          • 關(guān)鍵字: A/D  轉(zhuǎn)換器  S/H  

          電力數(shù)據(jù)采集A/D轉(zhuǎn)換器的選擇方案

          •  當(dāng)今社會(huì)對(duì)電能質(zhì)量的要求越來(lái)越高,國(guó)家還專門制定了電能質(zhì)量的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)。因此,電能質(zhì)量的測(cè)量越來(lái)越得到電力用戶的重視。電能測(cè)量時(shí),從電網(wǎng)的數(shù)據(jù)采集結(jié)果對(duì)其精度的影響起著致關(guān)重要的作用,而這其中影響最大的是把模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)的模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC),往往A/D芯片的技術(shù)參數(shù)和指標(biāo)就決定了整個(gè)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的性能指標(biāo)。本文就電能測(cè)量ADC的選擇作了綜述。
          • 關(guān)鍵字: ADC  A/D  數(shù)據(jù)采集  系統(tǒng)  

          一種采用二次曲率補(bǔ)償?shù)膸痘鶞?zhǔn)源

          • 帶隙基準(zhǔn)源廣泛應(yīng)用于各類集成電路之中。在現(xiàn)代集成電路日益發(fā)展的今天,帶隙基準(zhǔn)源扮演了極其重要的角色。在A/D,D/A轉(zhuǎn)換器以及一些模擬和數(shù)字電路中,帶隙基準(zhǔn)源起著至關(guān)重要的作用,它的溫度特性和抗噪聲能力直接決定了整體電路的精度和性能。因此,提高帶隙基準(zhǔn)源的精度是十分重要的。
          • 關(guān)鍵字: 帶隙基準(zhǔn)源  集成電路  VBE  A/D  D/A  
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