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TTL與CMOS電路的區(qū)別
- 簡介：本文介紹了TTL電平和CMOS電平之間的區(qū)別以及使用注意事項(xiàng)等內(nèi)容。 TTL：雙極型器件，一般電源電壓 5V，速度快(數(shù)ns)，功耗大(mA級(jí))，負(fù)載力大，不用端多數(shù)不用處理。 CMOS：單級(jí)器件，一般電源電壓 15V，速度慢(幾百ns)，功耗低，省電(uA級(jí))，負(fù)載力小，不用端必須處理。 CMOS 和 TTL 電平的主要區(qū)別在于輸入轉(zhuǎn)換電平。 CMOS：它的轉(zhuǎn)換電平是電源電壓的 1/2，因?yàn)?CMOS 的輸入時(shí)互補(bǔ)的，保證了轉(zhuǎn)換電平是電源電壓的 1/2。 TTL：
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CMOS和TTL集成門電路多余輸入端處理
- 一、CMOS門電路 CMOS 門電路一般是由MOS管構(gòu)成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態(tài)下，柵極無電流，所以靜態(tài)時(shí)柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點(diǎn)，輸入端信號(hào)易受外界干擾，所以在使用CMOS門電路時(shí)輸入端特別注意不能懸空。在使用時(shí)應(yīng)采用以下方法： 1、與門和與非門電路：由于與門電路的邏輯功能是輸入信號(hào)只要有低電平，輸出信號(hào)就為低電平，只有全部為高電平時(shí)，輸出端才為高電平。而與非門電路的邏輯功能是輸入信號(hào)只要有低電平
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我的一些數(shù)字電子知識(shí)總結(jié)（3）
- 簡介：繼續(xù)把我在學(xué)習(xí)數(shù)字電路過程中的一些“細(xì)枝末節(jié)”小結(jié)一下，和大家共享。 1、在數(shù)字電路中，BJT一般工作在截止區(qū)或飽和區(qū)，放大區(qū)的經(jīng)歷只是一個(gè)轉(zhuǎn)瞬即逝的過程，這個(gè)過程越長，說明它的動(dòng)態(tài)性能越差;同理，CMOS管也是只工作在截止區(qū)或可變電阻區(qū)，恒流區(qū)的經(jīng)歷只是一個(gè)非常短暫的過程。因?yàn)槲覀冃枰氖谴_切的0、1值，不能過于“含糊”，否則數(shù)字系統(tǒng)內(nèi)門電路之間的抗干擾性能會(huì)大打折扣! 2、數(shù)字IC內(nèi)部很多門電路一般都是把許多CMOS管并聯(lián)起來，這樣
- 關(guān)鍵字： CMOS BJT
學(xué)習(xí)總結(jié)之電路是計(jì)算出來的
- 1、CS單管放大電路 共源級(jí)單管放大電路主要用于實(shí)現(xiàn)輸入小信號(hào)的線性放大，即獲得較高的電壓增益。在直流分析時(shí)，根據(jù)輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點(diǎn)，而根據(jù)MOSFET的I-V特性曲線可知，MOSFET的靜態(tài)工作點(diǎn)具有較寬的動(dòng)態(tài)范圍，主要表現(xiàn)為MOS管在飽和區(qū)的VDS具有較寬的取值范圍，小信號(hào)放大時(shí)輸入的最小電壓為VIN-VTH，最大值約為VDD，假設(shè)其在飽和區(qū)可以完全表現(xiàn)線性特性，并且實(shí)現(xiàn)信號(hào)的最大限度放大【理想條件下】，則確定的靜態(tài)工作點(diǎn)約為VDS=(VIN-VTH+VDD)/2，但是
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CMOS傳感3D-IC產(chǎn)能拉升 晶圓級(jí)封裝設(shè)備需求增
- 微機(jī)電(MEMS)/奈米技術(shù)/半導(dǎo)體晶圓接合暨微影技術(shù)設(shè)備廠商EVGroup(EVG)今日宣布，該公司全自動(dòng)12吋(300mm)使用聚合物黏著劑的晶圓接合系統(tǒng)目前市場(chǎng)需求殷切，在過去12個(gè)月以來，EVG晶圓接合系列產(chǎn)品包含EVG560、GEMINI以及EVG850TB/DB等訂單量增加了一倍，主要來自于晶圓代工廠以及總部設(shè)置于亞洲的半導(dǎo)體封測(cè)廠(OSAT)多臺(tái)的訂單;大部份訂單需求的成長系受惠于先進(jìn)封裝應(yīng)用挹注，制造端正加速生產(chǎn)CMOS影像感測(cè)器及結(jié)合2.5D和3D-IC矽穿孔(TSV)互連技術(shù)的垂直
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ams在光電子領(lǐng)域推出More Than Silicon計(jì)劃
- 全球領(lǐng)先的高性能模擬IC和傳感器供應(yīng)商ams晶圓代工業(yè)務(wù)部今日宣布拓展其0.35µm CMOS光電子IC晶圓制造平臺(tái)，幫助芯片設(shè)計(jì)者實(shí)現(xiàn)更高靈敏度、精確度以及更好的光濾波器性能。 該平臺(tái)是ams“More than Silicon”計(jì)劃中的另一項(xiàng)拓展，通過該平臺(tái)ams可以提供一系列技術(shù)模塊、知識(shí)產(chǎn)權(quán)、元件庫、工程咨詢及服務(wù)，利用其專業(yè)技術(shù)幫助客戶順利開發(fā)先進(jìn)的模擬和混合信號(hào)電路。 ams專有的光電子晶圓代工平臺(tái)基于先進(jìn)的0.35µm CMOS
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全球CMOS芯片占比排名表 竟然沒有中國企業(yè)
- 日本調(diào)查公司Techno Systems Research Co. Ltd發(fā)布了CCM行業(yè)的研究報(bào)告，在該份報(bào)告中，全球CMOS芯片的市場(chǎng)占比和排名情況。 從上圖可以看出： Sony(索尼)：2014年下半年占23%，2015年上半年占比為28%，銷量上升強(qiáng)勁，穩(wěn)居全球CMOS市場(chǎng)銷售之龍頭;近日，索尼公布第2季度圖像傳感器收入暴增61.7%，達(dá)1260億日元。索尼預(yù)計(jì)全年達(dá)到5800億日元，幾乎是第二名的3倍。索尼在CMOS市場(chǎng)上走強(qiáng)，得益于它在高像素領(lǐng)域的技
- 關(guān)鍵字： 索尼 CMOS
ams收購恩智浦半導(dǎo)體公司CMOS傳感器業(yè)務(wù)
- 領(lǐng)先的高性能模擬IC和傳感器供應(yīng)商ams(艾邁斯)近日宣布收購恩智浦半導(dǎo)體公司CMOS傳感器業(yè)務(wù)。收購?fù)瓿珊?，恩智浦公司旗下先進(jìn)的CMOS集成傳感器產(chǎn)品將全部納入ams旗下，有效拓展ams環(huán)境傳感器產(chǎn)品線。CMOS集成傳感器可在單一傳感器裝置內(nèi)同時(shí)測(cè)量相對(duì)濕度、壓力和溫度等多種環(huán)境參數(shù)。 ams市場(chǎng)營銷和策略執(zhí)行副總裁Thomas Riener表示：“環(huán)境傳感器可通過監(jiān)測(cè)氣味、壓力和溫度等信息模擬人體行為，提高人類對(duì)周邊環(huán)境的敏感度。通過使用電子設(shè)備獲取這些信息后，我們可以主動(dòng)高效地
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聯(lián)華電子TSV技術(shù)進(jìn)入量產(chǎn)階段，驅(qū)動(dòng)AMD Radeon R9 Fury X GPU絕佳效能
- 聯(lián)華電子今(20)日宣布，用于AMD旗艦級(jí)繪圖卡Radeon™ R9 Fury X的聯(lián)華電子硅穿孔 (TSV) 技術(shù)，已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段，此產(chǎn)品屬于AMD近期上市的Radeon™ R 300 繪圖卡系列。AMD Radeon™ R9 Fury X GPU採用了聯(lián)華電子TSV 製程以及晶粒堆疊技術(shù)，在硅中介層上融合 連結(jié) AMD提供的HBM DRAM高頻寬記憶體及GPU，使其GPU能提供4096 位元的超強(qiáng)記憶體頻寬，及遠(yuǎn)超出現(xiàn)今GDDR5業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)達(dá)4倍的每瓦性能
- 關(guān)鍵字： 聯(lián)華電子 CMOS
三維圖像指紋傳感器問世 CMOS一觸即發(fā)
- 日前，加州大學(xué)戴維斯分校和加州大學(xué)伯克利分校的研究人員開發(fā)了一種基于MEMS和CMOS技術(shù)的超聲波指紋傳感器，可以獲取指紋的三維圖像，這將大大提升指紋識(shí)別的安全性。指紋傳感器越來越被廣泛的應(yīng)用在智能手機(jī)等設(shè)備方面。采用指紋進(jìn)行解鎖與支付等功能，比傳統(tǒng)的密碼在安全性上面有了極大的提高。之前的指紋識(shí)別是通過傳感器提取的二維圖像，可以通過打印指紋圖案來繞過指紋認(rèn)證。三維圖像的提取無疑將進(jìn)一步提高指紋識(shí)別的準(zhǔn)確率與安全性。 CMOS圖像傳感器在智能手機(jī)領(lǐng)域獨(dú)領(lǐng)風(fēng)騷 自蘋果發(fā)布iPhone5s后指紋
- 關(guān)鍵字： 索尼 CMOS
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