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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> hdr-cmos

          APTINA榮獲成像技術(shù)創(chuàng)新大獎

          • CMOS成像技術(shù)的領(lǐng)先創(chuàng)新廠商Aptina公司宣布其Aptina MobileHDR 技術(shù)最近在6Sight Mobile Imaging Summit上榮獲國際成像行業(yè)協(xié)會(International Imaging Industry Association, I3A)頒發(fā)VISION 2020成像技術(shù)創(chuàng)新銅獎。
          • 關(guān)鍵字: Aptina  CMOS  

          Silicon Labs廣播收音機IC出貨量突破十億顆

          •   高性能模擬與混合信號IC領(lǐng)導(dǎo)廠商Silicon Laboratories 今日宣布其廣播收音機IC出貨量已達十億顆,締造了廣播音頻市場的重要里程碑。Silicon Labs的數(shù)字CMOS廣播收音機芯片廣泛應(yīng)用于手機、便攜式媒體播放器(PMP)、個人導(dǎo)航裝置(PND)、汽車信息娛樂系統(tǒng)、桌面和床頭收音機、便攜式收音機、音響和許多其他消費電子產(chǎn)品。   Silicon Labs公司于2005年推出業(yè)界首顆單芯片F(xiàn)M接收器。作為業(yè)界最小、最高性能和集成度的FM廣播收音機IC,Si4700 IC重構(gòu)了消
          • 關(guān)鍵字: Silicon-Labs  IC  CMOS  

          CMOS Sensor的調(diào)試經(jīng)驗

          • 目前,包括移動設(shè)備在內(nèi)的很多多媒體設(shè)備上都使用了攝像頭,而且還在以很快的速度更新?lián)Q代。目前使用的攝像頭分為兩種:CCD(Charge Couple Device電荷偶合器件)和 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor互補
          • 關(guān)鍵字: Sensor  CMOS  調(diào)試  經(jīng)驗    

          “寬動態(tài)”未來或成視頻監(jiān)控攝像機標(biāo)配

          • 寬動態(tài)攝像機作為攝像機一個非常重要的分支,在明暗反差太大、光線來源單一的場合,發(fā)揮了重要的作用。寬動...
          • 關(guān)鍵字: 寬動態(tài)攝像機  CCD+DSP  CMOS+DPS  

          CMOS振蕩器設(shè)計

          • 1 引言   集成電路是采用半導(dǎo)體制作工藝,在一塊較小的單晶硅片上制作上許多晶體管及電阻器、電容器等元器件,并按照多層布線或遂道布線的方法將元器件組合成完整的電子電路。 一個典型的數(shù)字鎖相環(huán)結(jié)構(gòu)如圖1 所示
          • 關(guān)鍵字: 設(shè)計  振蕩器  CMOS  

          標(biāo)準(zhǔn)有助于規(guī)范納米行業(yè)的秩序

          • 制定行業(yè)公認(rèn)的標(biāo)準(zhǔn)是研究納米技術(shù)必不可少的先期工作        就像1849年出現(xiàn)的加利福尼亞淘金熱一樣,納米技術(shù)的出現(xiàn)也帶來了巨大機遇和極大風(fēng)險。正如在淘金熱時代出現(xiàn)了很多新技術(shù)、利益和挑戰(zhàn)一樣,人們對納米技術(shù)的探索也將不可避免地促使人們開發(fā)一些新工具突破納米關(guān)鍵技術(shù),抓住創(chuàng)造巨大財 富的機遇,但是也存在給環(huán)境、健康和安全帶來災(zāi)難性影響的可能性。盡管納米技術(shù)將毋庸置疑地形成很多爆炸性的技術(shù),催生很多新的研究領(lǐng)域,但是也可能對那些不了解
          • 關(guān)鍵字: 納米  CMOS  

          高k柵介質(zhì)中電荷俘獲行為的脈沖特征分析

          •        本文介紹了電荷俘獲的原理以及直流特征分析技術(shù)對俘獲電荷進行定量分析的局限性。接下來,本文介紹了一種超快的脈沖I-V分析技術(shù),能夠?qū)哂锌焖偎矐B(tài)充電效應(yīng)(FTCE)的高k柵晶體管的本征(無俘獲)性能進行特征分析。 先進CMOS器件高k柵技術(shù)的進展        近年來,高介電常數(shù)(高k)材料,例如鉿氧化物(HfO2)、鋯氧化物(ZrO2)、氧化鋁(Al2O3)以及
          • 關(guān)鍵字: 脈沖  CMOS  

          SuVolta全新CMOS平臺有效降低集成電路功耗

          •   SuVolta日前宣布推出PowerShrink?低功耗平臺。該平臺可以有效降低CMOS集成電路2倍以上的功耗,同時保持性能并提高良率。SuVolta和富士通半導(dǎo)體有限公司(Fujitsu Semiconductor Limited)今天還共同宣布,富士通已獲得授權(quán)使用SuVolta創(chuàng)新型PowerShrink?低功耗技術(shù)。   
          • 關(guān)鍵字: SuVolta  CMOS  

          安森美半導(dǎo)體擴充產(chǎn)品陣容推出緊湊150 mA器件

          • ?????? 6月9日,應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美(ON Semiconductor)半導(dǎo)體推出五款超小封裝的低壓降(LDO) 線性穩(wěn)壓器,強化用于智能手機及其他便攜電子應(yīng)用的現(xiàn)有產(chǎn)品陣容。這些新器件基于互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù),均能提供150毫安(mA)的輸出電流。   NCP4682和NCP4685超低電流穩(wěn)壓器的供電電流僅為典型值1微安(μA),輸出電壓范圍為1.2伏(V)至3.3 V。
          • 關(guān)鍵字: 安森美  CMOS  NCP4682  

          PowerShrink平面CMOS平臺有效降低IC功耗

          • SuVoltaPowerShrink低功耗平臺支持電壓調(diào)節(jié)降低功耗50%以上并能保持IC性能.
          • 關(guān)鍵字: SuVolta  CMOS  PowerShrink  

          0.18 μm CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計

          • 基準(zhǔn)電壓源可廣泛應(yīng)用于A/D、D/A轉(zhuǎn)換器、隨機動態(tài)存儲器、閃存以及系統(tǒng)集成芯片中。使用0.18 μm CMOS工藝設(shè)計了具有高穩(wěn)定度、低溫漂、低輸出電壓為0.6 V的CMOS基準(zhǔn)電壓源。
          • 關(guān)鍵字: 設(shè)計  電壓  基準(zhǔn)  CMOS  0.18  

          一種恒跨導(dǎo)CMOS運算放大器的設(shè)計

          • 摘要:設(shè)計了一種寬帶軌對軌運算放大器,此運算放大器在3.3 V單電源下供電,采用電流鏡和尾電流開關(guān)控制來實現(xiàn)輸入級總跨導(dǎo)的恒定。為了能夠處理寬的電平范圍和得到足夠的放大倍數(shù),采用用折疊式共源共柵結(jié)構(gòu)作為前
          • 關(guān)鍵字: CMOS  運算放大器    

          雙眼勝過單目:大陸集團新推立體攝像機

          • 日前,大陸集團表示將推出新款立體攝像機(StereoCamera),作為其ContiGuard?安全系統(tǒng)元件之一,用于汽車前向...
          • 關(guān)鍵字: 大陸集團  立體攝像機  CMOS  CCD傳感器  

          低功率CMOS無線射頻芯片設(shè)計要點

          • 無線通訊市場的趨勢一直朝向低成本、低消耗功率、小體積等目標(biāo)。短距離裝置產(chǎn)品(Short-RangeDevices)...
          • 關(guān)鍵字: 低功率  CMOS  無線射頻芯片  Zigbee  

          應(yīng)用于頻率合成器的寬分頻比CMOS可編程分頻器設(shè)計

          • 提出一種應(yīng)用于射頻頻率合成器的寬分頻比可編程分頻器設(shè)計。該分頻器采用脈沖吞吐結(jié)構(gòu),可編程計數(shù)器和吞脈沖計數(shù)器都采用改進的CMOS源極耦合(SCL)邏輯結(jié)構(gòu)的模擬電路實現(xiàn),相對于采用數(shù)字電路實現(xiàn)降低了電路的噪聲和減少了版圖面積。同時,對可編程分頻器中的檢測和置數(shù)邏輯做了改進,提高分頻器的工作頻率及穩(wěn)定性。最后,采用TSMC的0.13/μm CMOS工藝,利用Cadence Spectre工具進行仿真,在4.5 GHz頻率下,該分頻器可實現(xiàn)200~515的分頻比,整個功耗不超過19 mW,版圖面積為106 μ
          • 關(guān)鍵字: 可編程  設(shè)計  CMOS  合成器  頻率  應(yīng)用  
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