hdr-cmos 文章進(jìn)入hdr-cmos技術(shù)社區(qū)

耶魯大學(xué)與SRC公司聯(lián)合開發(fā)下一代內(nèi)存芯片技術(shù)FeDRAM

　　SRC公司與耶魯大學(xué)的研究者們周二宣布發(fā)明了一種能顯著提高內(nèi)存芯片性能的新技術(shù)。這項技術(shù)使用鐵電體層來替換傳統(tǒng)內(nèi)存芯片中的電容結(jié)構(gòu)作為基本的存儲單元，科學(xué)家們將這種內(nèi)存稱為鐵電體內(nèi)存(FeDRAM),這種內(nèi)存芯片的存儲單元將采用與CMOS微晶體管類似的結(jié)構(gòu)，不過其門極采用鐵電體材料而不是傳統(tǒng)的電介質(zhì)材料制作。　　這種技術(shù)能使存儲單元的體積更小，信息的保存時間比傳統(tǒng)方式多1000倍左右，刷新的時間間隔可以更大，因此耗電量也更小，還可以像閃存芯片中那樣在一個存儲單元中存儲多位數(shù)據(jù)。此外，有關(guān)的制
關(guān)鍵字：內(nèi)存芯片 CMOS FeDRAM

CMOS圖像傳感器集成A/D轉(zhuǎn)換器技術(shù)的研究

片上集成A/D轉(zhuǎn)換器是CMOS圖像傳感器的關(guān)鍵部件，文章分析和比較了三類不同集成方式：芯片級，列級和象素級的原理，性能和特點。最后，展望了CMOS圖像傳感器上集成A/D轉(zhuǎn)換器的未來發(fā)展趨勢。
關(guān)鍵字： CMOS 圖像傳感器集成轉(zhuǎn)換器

國產(chǎn)芯片已達(dá)國際主流芯片品質(zhì)

　　今年國內(nèi)拉動內(nèi)需，特別是3G的啟動建設(shè)和FTTH進(jìn)入實質(zhì)性的發(fā)展階段，使光模塊市場一片紅火，預(yù)計今年我們可實現(xiàn)60%的業(yè)務(wù)增長。　　由于對IC行業(yè)來說光通信市場不大，所以光收發(fā)IC芯片的供應(yīng)商并不是很多，在國內(nèi)我們是第一家量產(chǎn)高速收發(fā)芯片的IC公司。　　國內(nèi)芯片企業(yè)的優(yōu)勢主要是在成本上，研發(fā)成本、管理成本、銷售成本都比國外企業(yè)要低。對IC來說，基于同樣的工藝，制造成本幾乎是一樣的。要取得制造成本的優(yōu)勢必須發(fā)揮技術(shù)優(yōu)勢，采用相對低成本的工藝，做出同樣的產(chǎn)品性能。我們采用CMOS工藝的收發(fā)IC芯片
關(guān)鍵字： 3G CMOS IC設(shè)計 FTTH

ST慶祝Nano2012框架協(xié)議正式啟動

　　意法半導(dǎo)體和法國電子信息技術(shù)實驗室CEA-LETI宣布，法國經(jīng)濟(jì)、工業(yè)和就業(yè)部長，以及國家和地區(qū)政府的代表、CEA-LETI和意法半導(dǎo)體的管理層，齊聚法國格勒諾布爾(Grenoble)市的Crolles分公司，共同慶祝Nano2012研發(fā)項目正式啟動。IBM的代表也參加了啟動儀式。IBM公司是意法半導(dǎo)體和CEA-LETI的重要合作伙伴，與雙方簽署了重要的技術(shù)開發(fā)協(xié)議。　　Nano2012是由意法半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)的國家/私營戰(zhàn)略研發(fā)項目，聚集研究院和工業(yè)合作伙伴，得到法國國家、地區(qū)和本地政府的財政支持，旨
關(guān)鍵字： ST CMOS 32nm 22nm Nano2012

豪威CMOS傳感器量產(chǎn) 擴(kuò)大對臺積電訂單

　　CMOS影像傳感器(CMOS Image Sensor)大廠豪威科技(OmniVision)與臺積電合作，采用最新背面照度(Backside Illumination，BSI)制程的傳感器新產(chǎn)品，陸續(xù)獲得一線智能型手機(jī)OEM廠設(shè)計案(design win)，預(yù)計本季度開始大量出貨。　　豪威已開始擴(kuò)大對臺積電下單，臺積電(2330)也已完成1.1微米間距BSI制程傳感器的功能測試，并計畫在12寸廠以65納米投片。
關(guān)鍵字：臺積電 CMOS 傳感器 65納米

從快生活到優(yōu)生活“新摩爾定律”主導(dǎo)半導(dǎo)體業(yè)創(chuàng)新

　　幾十年來，摩爾定律所闡述的生產(chǎn)力效益定律一直是半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的驅(qū)動力。它催生了數(shù)字處理器、寬帶和大容量存儲器。這些技術(shù)大幅提升了PC、手機(jī)等產(chǎn)品的生產(chǎn)力。然而，經(jīng)濟(jì)學(xué)正給半導(dǎo)體行業(yè)帶來革命性轉(zhuǎn)變。未來，“新摩爾定律”將發(fā)揮重要作用。　　產(chǎn)品研發(fā)從性能驅(qū)動轉(zhuǎn)為經(jīng)濟(jì)學(xué)驅(qū)動　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是個相對年輕的產(chǎn)業(yè)。自摩爾定律預(yù)測芯片上晶體管的數(shù)量每18個月翻一番以來，半導(dǎo)體器件制造商一直追求生產(chǎn)力的提升。這一定律確實沒錯。如今消費應(yīng)用的SoC可能集成了幾億個晶體管。然而，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正
關(guān)鍵字： NXP 摩爾定律 CMOS 晶體管

MEMS代工產(chǎn)業(yè)呈高度分散與高競爭性

　　法國市場研究機(jī)構(gòu)Yole Development針對微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)市場發(fā)表最新報告指出，目前全球至少50家公司正在提供MEMS代工服務(wù)，使得該領(lǐng)域變得高度分散與高競爭性，但又是整體MEMS產(chǎn)業(yè)不可缺少的一塊。　　Yole表示，大型的開放MEMS代工廠現(xiàn)在都很賺錢，并開始升級到8吋晶圓制程;不過由于MEMS在消費性應(yīng)用領(lǐng)域的高成長性，以及來自其它高潛力應(yīng)用市場的商機(jī)，也吸引了許多來自主流半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新進(jìn)者投入競爭。　　Yole并指出，由于這些來自半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新進(jìn)者，具備能結(jié)合CMOS技術(shù)
關(guān)鍵字： MEMS 晶圓 CMOS

高清視頻CMOS電流舵數(shù)/模轉(zhuǎn)換器的設(shè)計

關(guān)鍵字：數(shù)／模轉(zhuǎn)換器電流舵型DAC CMOS

韓國三星發(fā)布采用45nm工藝技術(shù)的應(yīng)用處理器

　　韓國三星電子發(fā)布了采用45nm低功耗CMOS工藝技術(shù)的應(yīng)用處理器“S5P6440”。其特點是圖形性能高、功耗及成本低等。適用于PND等家電產(chǎn)品。　　該處理器配備有英國ARM工作頻率533MHz或667MHz的CPU內(nèi)核“ARM1176”。CPU內(nèi)核、芯片上的所有硬件加速器及周邊部件接口均由工作頻率166MHz、64bit總線“AXI”連接。　　還配備有支持現(xiàn)行及新一代多值NAND閃存的錯誤訂正用硬件，以及支持移動DDR或D
關(guān)鍵字：三星 45納米 CMOS S5P6440

集成電路發(fā)展哲理

　　半導(dǎo)體技術(shù)極其豐富多彩，身陷其景，會有“不識廬山真面目，只緣身在此山中”的感觸。為此，既要“近賞細(xì)微”，又要“臨空瀏覽”，以期從中領(lǐng)悟到一些哲理。　　本演講根據(jù)半導(dǎo)體技術(shù)“由簡入繁”、又“化繁為簡”的螺旋式發(fā)展史事，探討主流半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展哲理，供大家參考討論。　　發(fā)展歷程　　根據(jù)IC Knowledge 的歸納[1]，可以把集成電路(IC)的發(fā)展歷程劃分為四個階段：
關(guān)鍵字：集成電路 CMOS EPROM DSP DRAM MPU 200907

在危機(jī)中尋找突破點

　　在金融海嘯中，博通(Broadcom)公司2008年增長了25%，成了半導(dǎo)體行業(yè)的明星企業(yè)。不過該公司在2009年一季度營收有所下降，博通的解釋是增長率會根據(jù)產(chǎn)品或者最終市場和季節(jié)性有所差別，并且很大程度上受到了金融危機(jī)的影響。不過，博通尤其是WLAN部門的發(fā)展經(jīng)驗可圈可點。　　Michael Hurlston Broadcom公司副總裁　　兼無線連接集團(tuán)WLAN事業(yè)部總經(jīng)理　　運營成本控制　　博通擅長運營成本控制，不同的事業(yè)部有不同的特點：一些
關(guān)鍵字： Broadcom WLAN 65納米 CMOS PA Wi-Fi 200907

基于CMOS閾值電壓的基準(zhǔn)電路設(shè)計

摘要：在數(shù)／?；旌霞呻娐吩O(shè)計中電壓基準(zhǔn)是重要的模塊之一。針對傳統(tǒng)電路產(chǎn)生的基準(zhǔn)電壓易受電源電壓和溫度影響的缺點，提出一種新的設(shè)計方案，電路中不使用雙極晶體管，利用PMOS和NMOS的閾值電壓產(chǎn)生兩個獨立于電
關(guān)鍵字： CMOS 閾值電壓基準(zhǔn) 電路設(shè)計

應(yīng)用于智能手機(jī)的的高性能、小封裝邏輯電平轉(zhuǎn)換方案

　　近一兩年來，在蘋果公司iPhone手機(jī)的帶動下，智能手機(jī)市場迅速擴(kuò)大。智能手機(jī)等便攜產(chǎn)品的一個重要特點是功能越來越多，從而支持更廣泛的消費需求。但智能手機(jī)等便攜產(chǎn)品內(nèi)部用于支持不同功能的集成電路(IC)或模塊的工作電壓往往不同，如基帶處理器和應(yīng)用處理器電壓一般在1.5 V至1.8 V之間，而現(xiàn)有許多外設(shè)工作電壓一般為2.6至3.3 V，如USIM卡、Wi-Fi模塊、調(diào)頻(FM)調(diào)諧器模塊工作電壓為2.8 V，而相機(jī)模塊為2.7 V。　　　　因此，智能手機(jī)等便攜產(chǎn)品中的不同IC與外設(shè)模塊之間
關(guān)鍵字：安森美智能手機(jī) 電平轉(zhuǎn)換器 CMOS

高清視頻CMOS電流舵數(shù)／模轉(zhuǎn)換器的設(shè)計

摘要：高清晰電視(HDTV)和無線通信網(wǎng)絡(luò)的發(fā)展，對轉(zhuǎn)換器速度和精度提出了更高的要求。基于新型傳輸門(TG) 結(jié)構(gòu)組成的電流源單元矩陣和譯碼邏輯電路，提出一種適用于高清晰視頻使用的高速8位CMOS電流舵數(shù)／模轉(zhuǎn)換器(
關(guān)鍵字：轉(zhuǎn)換器設(shè)計電流 CMOS 視頻高清轉(zhuǎn)換器

基于電流折疊技術(shù)的CMOS全差分VCO設(shè)計

摘要：針對目前通信系統(tǒng)應(yīng)用上對壓控振蕩器的片上集成、寬調(diào)諧、調(diào)幅、啟動特性和功耗等提出的綜合性要求，分析和設(shè)計了一種壓控調(diào)頻調(diào)幅振蕩器，其延遲單元采用全差分結(jié)構(gòu)，以消除共模噪聲和增加延遲控制的靈活性
關(guān)鍵字： CMOS VCO 電流折疊技術(shù)