high-current 文章 進(jìn)入high-current技術(shù)社區(qū)
imec采用High-NA EUV技術(shù) 展示邏輯與DRAM架構(gòu)
- 比利時(shí)微電子研究中心(imec),在荷蘭費(fèi)爾德霍溫與艾司摩爾(ASML)合作建立的高數(shù)值孔徑極紫外光(high-NA EUV)微影實(shí)驗(yàn)室中,利用數(shù)值孔徑0.55的極紫外光曝光機(jī),發(fā)表了曝光后的圖形化組件結(jié)構(gòu)。在單次曝光后,9納米和5納米(間距19納米)的隨機(jī)邏輯結(jié)構(gòu)、中心間距為30納米的隨機(jī)通孔、間距為22納米的二維特征,以及間距為32納米的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)專用布局全部成功成形,采用的是由imec與其先進(jìn)圖形化研究計(jì)劃伙伴所優(yōu)化的材料和基線制程。透過這些研究成果,imec證實(shí)該微影技術(shù)的生態(tài)系
- 關(guān)鍵字: imec High-NA EUV DRAM
價(jià)值3.83億美元!Intel拿下全球第二臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)
- 8月6日消息,在近日的財(cái)報(bào)電話會(huì)議上,Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺(tái)價(jià)值3.83億美元的High NA EUV(極紫外光刻機(jī))。High NA EUV光刻機(jī)是目前世界上最先進(jìn)的芯片制造設(shè)備之一,其分辨率達(dá)到8納米,能夠顯著提升芯片的晶體管密度和性能,是實(shí)現(xiàn)2nm以下先進(jìn)制程大規(guī)模量產(chǎn)的必備武器。帕特·基辛格表示,第二臺(tái)High NA設(shè)備即將進(jìn)入Intel位于美國俄勒岡州的晶圓廠,預(yù)計(jì)將支持公司新一代更強(qiáng)大的計(jì)算機(jī)芯片的生產(chǎn)。此前,Intel已于去年12月接收了全球首臺(tái)High NA EUV光刻
- 關(guān)鍵字: Intel High NA EUV 光刻機(jī) 晶圓 8納米
ASML第二臺(tái)High-NA設(shè)備,即將導(dǎo)入英特爾奧勒岡廠
- 英特爾正接收ASML第二臺(tái)耗資3.5億歐元(約3.83億美元)的新High NA EUV設(shè)備。根據(jù)英特爾8/1財(cái)報(bào)電話會(huì)議紀(jì)錄,CEO Pat Gelsinger表示,英特爾12月開始接收第一臺(tái)大型設(shè)備,安裝時(shí)間需要數(shù)月,預(yù)計(jì)可帶來新一代更強(qiáng)大的電腦英文。Gelsinger在電話中指出,第二臺(tái)High NA設(shè)備即將進(jìn)入在奧勒岡州的廠房。由于英特爾財(cái)報(bào)會(huì)議后股價(jià)表現(xiàn)不佳,因此這番話并未引起注意。ASML高階主管7月曾表示,該公司已開始出貨第二臺(tái)High NA設(shè)備給一位未具名客戶,今年只記錄第一臺(tái)的收入。不過
- 關(guān)鍵字: ASML High-NA 英特爾 光刻機(jī)
臺(tái)積電CEO秘訪ASML,High-NA EUV光刻機(jī)競賽提前打響?
- 5月26日,臺(tái)積電舉辦“2024年技術(shù)論壇臺(tái)北站”的活動(dòng),臺(tái)積電CEO魏哲家罕見的沒有出席,原因是其秘密前往荷蘭訪問位于埃因霍溫的ASML總部,以及位于德國迪琴根的工業(yè)激光專業(yè)公司TRUMPF。ASML CEO Christophe Fouquet和其激光光源設(shè)備供應(yīng)商TRUMPF CEO Nicola Leibinger-Kammüller近日通過社交媒體透露了魏哲家秘密出訪的行蹤。Christophe Fouquet表示他們向魏哲家介紹了最新的技術(shù)和新產(chǎn)品,包括High-NA EUV設(shè)備將如何實(shí)現(xiàn)未來
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 ASML High-NA EUV 光刻機(jī)
High-NA EUV光刻機(jī)入場,究竟有多強(qiáng)?
- 光刻機(jī)一直是半導(dǎo)體領(lǐng)域的一個(gè)熱門話題。從早期的深紫外光刻機(jī)(DUV)起步,其穩(wěn)定可靠的性能為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ);再到后來的極紫外光刻機(jī)(EUV)以其獨(dú)特的極紫外光源和更短的波長,成功將光刻精度推向了新的高度;再到如今的高數(shù)值孔徑光刻機(jī)(High-NA)正式登上歷史舞臺(tái),進(jìn)一步提升了光刻的精度和效率,為制造更小、更精密的芯片提供了可能。ASML 官網(wǎng)顯示,其組裝了兩個(gè) TWINSCAN EXE:5000 高數(shù)值孔徑光刻系統(tǒng)。其中一個(gè)由 ASM 與 imec 合作開發(fā),將于 2024 年安裝在 A
- 關(guān)鍵字: High-NA EUV
ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻機(jī)引入部分 High-NA 機(jī)型技術(shù)
- 3 月 27 日消息,據(jù)荷蘭媒體 Bits&Chips 報(bào)道,ASML 官方確認(rèn)新款 0.33NA EUV 光刻機(jī) ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻機(jī)的技術(shù),運(yùn)行效率得以提升。根據(jù)IT之家之前報(bào)道,NXE:3800E 光刻機(jī)已于本月完成安裝,可實(shí)現(xiàn) 195 片晶圓的每小時(shí)吞吐量,相較以往機(jī)型的 160 片提升近 22%。下一代光刻技術(shù) High-NA(高數(shù)值孔徑) EUV 采用了更寬的光錐,這意味著其在 EUV 反射鏡上的撞擊角度更寬,會(huì)導(dǎo)致影響晶圓吞吐量的光損失。
- 關(guān)鍵字: ASM NXE:3800E EUV 光刻機(jī) High-NA
英特爾是否正在壟斷ASML HIGH NA光刻機(jī)?
- HIGH NA 無疑是打贏下一場比賽的重要籌碼。
- 關(guān)鍵字: 英特爾 ASML HIGH NA光刻機(jī)
英特爾拿下首套High-NA EUV,臺(tái)積電如何應(yīng)對?
- 英特爾(intel)近日宣布,已經(jīng)接收市場首套具有0.55數(shù)值孔徑(High-NA)的ASML極紫外(EUV)光刻機(jī),預(yù)計(jì)在未來兩到三年內(nèi)用于 intel 18A 工藝技術(shù)之后的制程節(jié)點(diǎn)。 相較之下,臺(tái)積電則采取更加謹(jǐn)慎的策略,業(yè)界預(yù)計(jì)臺(tái)積電可能要到A1.4制程,或者是2030年之后才會(huì)采用High-NA EUV光刻機(jī)。業(yè)界指出,至少在初期,High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV,這也是臺(tái)積電暫時(shí)觀望的原因,臺(tái)積電更傾向于采用成本更低的成熟技術(shù),以確保產(chǎn)品競爭力。Hig
- 關(guān)鍵字: 英特爾 High-NA EUV 臺(tái)積電
SK海力士引領(lǐng)High-k/Metal Gate工藝變革
- 由于傳統(tǒng)微縮(scaling)技術(shù)系統(tǒng)的限制,DRAM的性能被要求不斷提高,而HKMG(High-k/Metal Gate)則成為突破這一困局的解決方案。SK海力士通過采用該新技術(shù),并將其應(yīng)用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率設(shè)置下也實(shí)現(xiàn)了晶體管性能的顯著提高。本文針對HKMG及其使用益處進(jìn)行探討。厚度挑戰(zhàn): 需要全新的解決方案組成DRAM的晶體管(Transistor)包括存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的單元晶體管(Cell Transistor)、恢復(fù)數(shù)據(jù)的核心晶體管(Core Tr
- 關(guān)鍵字: SK海力士 High-k Metal Gate
除了照明業(yè)務(wù),GE還將出售Current?
- 外媒報(bào)道稱,GE日前透露,它已將其傳統(tǒng)照明業(yè)務(wù)和其新型照明和能源部門Current更緊密地結(jié)合在一起,同時(shí)也正在為這兩項(xiàng)業(yè)務(wù)尋找買家。 GE上月末公開了其2017年第四季度的財(cái)報(bào)。從報(bào)表上看,GE四季度的整體收入下降了5%。其中,照明業(yè)務(wù)的收入下降了7%,從2016年第四季度的5.84億美元下滑至5.46億美元。 這家陷入困境的企業(yè)還在其第四季度財(cái)務(wù)報(bào)告中發(fā)布了一條腳注,稱該公司目前正在將Current和其他照明業(yè)務(wù)的收入作為一個(gè)部門來算,即照明業(yè)務(wù)部門。
- 關(guān)鍵字: GE Current
high-current介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條high-current!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對high-current的理解,并與今后在此搜索high-current的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對high-current的理解,并與今后在此搜索high-current的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
熱門主題
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473