high-frequency(hf) 文章 進(jìn)入high-frequency(hf)技術(shù)社區(qū)
imec采用High-NA EUV技術(shù) 展示邏輯與DRAM架構(gòu)
- 比利時微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數(shù)值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室中，利用數(shù)值孔徑0.55的極紫外光曝光機(jī)，發(fā)表了曝光后的圖形化組件結(jié)構(gòu)。在單次曝光后，9納米和5納米（間距19納米）的隨機(jī)邏輯結(jié)構(gòu)、中心間距為30納米的隨機(jī)通孔、間距為22納米的二維特征，以及間距為32納米的動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM）專用布局全部成功成形，采用的是由imec與其先進(jìn)圖形化研究計劃伙伴所優(yōu)化的材料和基線制程。透過這些研究成果，imec證實該微影技術(shù)的生態(tài)系
- 關(guān)鍵字： imec High-NA EUV DRAM
價值3.83億美元！Intel拿下全球第二臺High NA EUV光刻機(jī)
- 8月6日消息，在近日的財報電話會議上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺價值3.83億美元的High NA EUV（極紫外光刻機(jī)）。High NA EUV光刻機(jī)是目前世界上最先進(jìn)的芯片制造設(shè)備之一，其分辨率達(dá)到8納米，能夠顯著提升芯片的晶體管密度和性能，是實現(xiàn)2nm以下先進(jìn)制程大規(guī)模量產(chǎn)的必備武器。帕特·基辛格表示，第二臺High NA設(shè)備即將進(jìn)入Intel位于美國俄勒岡州的晶圓廠，預(yù)計將支持公司新一代更強(qiáng)大的計算機(jī)芯片的生產(chǎn)。此前，Intel已于去年12月接收了全球首臺High NA EUV光刻
- 關(guān)鍵字： Intel High NA EUV 光刻機(jī) 晶圓 8納米
ASML第二臺High-NA設(shè)備，即將導(dǎo)入英特爾奧勒岡廠
- 英特爾正接收ASML第二臺耗資3.5億歐元（約3.83億美元）的新High NA EUV設(shè)備。根據(jù)英特爾8/1財報電話會議紀(jì)錄，CEO Pat Gelsinger表示，英特爾12月開始接收第一臺大型設(shè)備，安裝時間需要數(shù)月，預(yù)計可帶來新一代更強(qiáng)大的電腦英文。Gelsinger在電話中指出，第二臺High NA設(shè)備即將進(jìn)入在奧勒岡州的廠房。由于英特爾財報會議后股價表現(xiàn)不佳，因此這番話并未引起注意。ASML高階主管7月曾表示，該公司已開始出貨第二臺High NA設(shè)備給一位未具名客戶，今年只記錄第一臺的收入。不過
- 關(guān)鍵字： ASML High-NA 英特爾 光刻機(jī)
臺積電CEO秘訪ASML，High-NA EUV光刻機(jī)競賽提前打響？
- 5月26日，臺積電舉辦“2024年技術(shù)論壇臺北站”的活動，臺積電CEO魏哲家罕見的沒有出席，原因是其秘密前往荷蘭訪問位于埃因霍溫的ASML總部，以及位于德國迪琴根的工業(yè)激光專業(yè)公司TRUMPF。ASML CEO Christophe Fouquet和其激光光源設(shè)備供應(yīng)商TRUMPF CEO Nicola Leibinger-Kammüller近日通過社交媒體透露了魏哲家秘密出訪的行蹤。Christophe Fouquet表示他們向魏哲家介紹了最新的技術(shù)和新產(chǎn)品，包括High-NA EUV設(shè)備將如何實現(xiàn)未來
- 關(guān)鍵字： 臺積電 ASML High-NA EUV 光刻機(jī)
High-NA EUV光刻機(jī)入場，究竟有多強(qiáng)？
- 光刻機(jī)一直是半導(dǎo)體領(lǐng)域的一個熱門話題。從早期的深紫外光刻機(jī)（DUV）起步，其穩(wěn)定可靠的性能為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展奠定了堅實基礎(chǔ)；再到后來的極紫外光刻機(jī)（EUV）以其獨特的極紫外光源和更短的波長，成功將光刻精度推向了新的高度；再到如今的高數(shù)值孔徑光刻機(jī)（High-NA）正式登上歷史舞臺，進(jìn)一步提升了光刻的精度和效率，為制造更小、更精密的芯片提供了可能。ASML 官網(wǎng)顯示，其組裝了兩個 TWINSCAN EXE:5000 高數(shù)值孔徑光刻系統(tǒng)。其中一個由 ASM 與 imec 合作開發(fā)，將于 2024 年安裝在 A
- 關(guān)鍵字： High-NA EUV
ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻機(jī)引入部分 High-NA 機(jī)型技術(shù)
- 3 月 27 日消息，據(jù)荷蘭媒體 Bits&Chips 報道，ASML 官方確認(rèn)新款 0.33NA EUV 光刻機(jī) ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻機(jī)的技術(shù)，運行效率得以提升。根據(jù)IT之家之前報道，NXE:3800E 光刻機(jī)已于本月完成安裝，可實現(xiàn) 195 片晶圓的每小時吞吐量，相較以往機(jī)型的 160 片提升近 22%。下一代光刻技術(shù) High-NA（高數(shù)值孔徑） EUV 采用了更寬的光錐，這意味著其在 EUV 反射鏡上的撞擊角度更寬，會導(dǎo)致影響晶圓吞吐量的光損失。
- 關(guān)鍵字： ASM NXE:3800E EUV 光刻機(jī) High-NA
英特爾是否正在壟斷ASML HIGH NA光刻機(jī)？
- HIGH NA 無疑是打贏下一場比賽的重要籌碼。
- 關(guān)鍵字： 英特爾 ASML HIGH NA光刻機(jī)
英特爾拿下首套High-NA EUV，臺積電如何應(yīng)對？
- 英特爾（intel）近日宣布，已經(jīng)接收市場首套具有0.55數(shù)值孔徑（High-NA）的ASML極紫外（EUV）光刻機(jī)，預(yù)計在未來兩到三年內(nèi)用于 intel 18A 工藝技術(shù)之后的制程節(jié)點。 相較之下，臺積電則采取更加謹(jǐn)慎的策略，業(yè)界預(yù)計臺積電可能要到A1.4制程，或者是2030年之后才會采用High-NA EUV光刻機(jī)。業(yè)界指出，至少在初期，High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV，這也是臺積電暫時觀望的原因，臺積電更傾向于采用成本更低的成熟技術(shù)，以確保產(chǎn)品競爭力。Hig
- 關(guān)鍵字： 英特爾 High-NA EUV 臺積電
基于ST VIPerPlus Low EMI 的豆?jié){機(jī)輔助電源方案
- 一：項目背景：家電客戶使用VIPer12做的6W輔助電源在EMI的傳導(dǎo)測試中，低頻段超標(biāo)需要整改。因成本和PCB空間原因不能加前端EMI濾波電感。需要采用VIPerPlus的頻率抖動特性解決問題。二：頻率抖動基本原理開關(guān)電源由于較高的dv/dt 和di/dt堯電路中存在的寄生電感和電容使開關(guān)電源的電磁干擾噪聲較難消除。一般在EMI測試結(jié)果中可以發(fā)現(xiàn)，開關(guān)電源在開關(guān)時刻通常容易超過EMI 限值，而在其它頻率點上卻往往具有較大的裕量。因此人們又從另一角度開發(fā)新的EMC 技術(shù)院如何通過各種方式降低開關(guān)時刻的EM
- 關(guān)鍵字： ST Low EMI jitter frequency Viper17 豆?jié){機(jī)
SK海力士引領(lǐng)High-k/Metal Gate工藝變革
- 由于傳統(tǒng)微縮(scaling)技術(shù)系統(tǒng)的限制，DRAM的性能被要求不斷提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)則成為突破這一困局的解決方案。SK海力士通過采用該新技術(shù)，并將其應(yīng)用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率設(shè)置下也實現(xiàn)了晶體管性能的顯著提高。本文針對HKMG及其使用益處進(jìn)行探討。厚度挑戰(zhàn): 需要全新的解決方案組成DRAM的晶體管(Transistor)包括存儲數(shù)據(jù)的單元晶體管(Cell Transistor)、恢復(fù)數(shù)據(jù)的核心晶體管(Core Tr
- 關(guān)鍵字： SK海力士 High-k Metal Gate
高效晶體硅電池技術(shù)-表面鈍化
- 早期采用TiO2膜或MgF2/ZnS混合膜以增加對入射光的吸收，但該方法均需先單獨采用熱氧化方法生長一層10～20umSiO2使硅片表面非晶化、且對多晶效果不理想。SixNy膜層不僅減緩漿料中玻璃體對
- 關(guān)鍵字： 晶體硅 絲網(wǎng)印刷 HF-PECVD
HF/VHF數(shù)字調(diào)制多功能發(fā)射機(jī)，附完整硬件方案和器件選型
- 本項目主要的內(nèi)容是：設(shè)計制作一臺能工作在HF及VHF波段的數(shù)字調(diào)制發(fā)射機(jī),能提供AM, FM,DSB,SSB等語音通信調(diào)制模式,及ASK,FSK,PSK等數(shù)據(jù)通信調(diào)制模式.
- 關(guān)鍵字： HF/VHF 數(shù)字調(diào)制多功能發(fā)射機(jī) V2pro DAC
基于云服務(wù)Wi-Fi的家電物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計
- 為了更加快速、便捷、廉價地實現(xiàn)家電物聯(lián)網(wǎng)，本文介紹了一款基于嵌入式微處理器，采用Wi-Fi模塊，配合機(jī)智云服務(wù)平臺，可以接入互聯(lián)網(wǎng)并對家電設(shè)備進(jìn)行遠(yuǎn)程控制的家電物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用系統(tǒng)的設(shè)計。該系統(tǒng)通過Wi-Fi模塊來接收由智能手機(jī)上家電控制軟件APP下發(fā)的控制命令，經(jīng)過數(shù)據(jù)處理，通過局域網(wǎng)或者遠(yuǎn)程方式來對家電進(jìn)行控制。經(jīng)過實驗測試，該系統(tǒng)達(dá)到性能穩(wěn)定、簡便、高性價比等預(yù)期。
- 關(guān)鍵字： STM8S003 HF-LPB100 Wi-Fi模塊 機(jī)智云 APP 201610
2014電子設(shè)計創(chuàng)新會議盛大開幕
- 2014年電子設(shè)計創(chuàng)新會議將持續(xù)召開整整三天，展覽面積進(jìn)一步擴(kuò)大，來自全球的高端企業(yè)積極踴躍地成為其贊助商。 由于EDICON?2013第一屆的成功召開，以及在觀眾、演講人和參展商的熱情感召下，2014電子設(shè)計創(chuàng)新會議(EDI?CON2014)于4月8日到10日在北京國際會議中心(BICC)盛大開幕，這是一個由行業(yè)從業(yè)人員推動的面向中國本土行業(yè)人士的國際性行業(yè)大會，本屆會議展覽面積進(jìn)一步擴(kuò)大、主題會議更加專業(yè)?！ ∪缤暌粯?，EDI?CON2014聚集了主題演講者、學(xué)術(shù)
- 關(guān)鍵字： HF/HS EDICON 5G RFID
high-frequency(hf)介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條high-frequency(hf)!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對high-frequency(hf)的理解，并與今后在此搜索high-frequency(hf)的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對high-frequency(hf)的理解，并與今后在此搜索high-frequency(hf)的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
high-frequency(hf)電路
high-frequency(hf)相關(guān)帖子
high-frequency(hf)資料下載
熱門主題
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473