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imec采用High-NA EUV技術 展示邏輯與DRAM架構
- 比利時微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數(shù)值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室中，利用數(shù)值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發(fā)表了曝光后的圖形化組件結構。在單次曝光后，9納米和5納米（間距19納米）的隨機邏輯結構、中心間距為30納米的隨機通孔、間距為22納米的二維特征，以及間距為32納米的動態(tài)隨機存取內存（DRAM）專用布局全部成功成形，采用的是由imec與其先進圖形化研究計劃伙伴所優(yōu)化的材料和基線制程。透過這些研究成果，imec證實該微影技術的生態(tài)系
- 關鍵字： imec High-NA EUV DRAM
價值3.83億美元！Intel拿下全球第二臺High NA EUV光刻機
- 8月6日消息，在近日的財報電話會議上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺價值3.83億美元的High NA EUV（極紫外光刻機）。High NA EUV光刻機是目前世界上最先進的芯片制造設備之一，其分辨率達到8納米，能夠顯著提升芯片的晶體管密度和性能，是實現(xiàn)2nm以下先進制程大規(guī)模量產的必備武器。帕特·基辛格表示，第二臺High NA設備即將進入Intel位于美國俄勒岡州的晶圓廠，預計將支持公司新一代更強大的計算機芯片的生產。此前，Intel已于去年12月接收了全球首臺High NA EUV光刻
- 關鍵字： Intel High NA EUV 光刻機 晶圓 8納米
High-NA EUV光刻機入場，究竟有多強？
- 光刻機一直是半導體領域的一個熱門話題。從早期的深紫外光刻機（DUV）起步，其穩(wěn)定可靠的性能為半導體產業(yè)的發(fā)展奠定了堅實基礎；再到后來的極紫外光刻機（EUV）以其獨特的極紫外光源和更短的波長，成功將光刻精度推向了新的高度；再到如今的高數(shù)值孔徑光刻機（High-NA）正式登上歷史舞臺，進一步提升了光刻的精度和效率，為制造更小、更精密的芯片提供了可能。ASML 官網顯示，其組裝了兩個 TWINSCAN EXE:5000 高數(shù)值孔徑光刻系統(tǒng)。其中一個由 ASM 與 imec 合作開發(fā)，將于 2024 年安裝在 A
- 關鍵字： High-NA EUV
ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻機引入部分 High-NA 機型技術
- 3 月 27 日消息，據(jù)荷蘭媒體 Bits&Chips 報道，ASML 官方確認新款 0.33NA EUV 光刻機 ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻機的技術，運行效率得以提升。根據(jù)IT之家之前報道，NXE:3800E 光刻機已于本月完成安裝，可實現(xiàn) 195 片晶圓的每小時吞吐量，相較以往機型的 160 片提升近 22%。下一代光刻技術 High-NA（高數(shù)值孔徑） EUV 采用了更寬的光錐，這意味著其在 EUV 反射鏡上的撞擊角度更寬，會導致影響晶圓吞吐量的光損失。
- 關鍵字： ASM NXE:3800E EUV 光刻機 High-NA
英特爾是否正在壟斷ASML HIGH NA光刻機？
- HIGH NA 無疑是打贏下一場比賽的重要籌碼。
- 關鍵字： 英特爾 ASML HIGH NA光刻機
英特爾拿下首套High-NA EUV，臺積電如何應對？
- 英特爾（intel）近日宣布，已經接收市場首套具有0.55數(shù)值孔徑（High-NA）的ASML極紫外（EUV）光刻機，預計在未來兩到三年內用于 intel 18A 工藝技術之后的制程節(jié)點。 相較之下，臺積電則采取更加謹慎的策略，業(yè)界預計臺積電可能要到A1.4制程，或者是2030年之后才會采用High-NA EUV光刻機。業(yè)界指出，至少在初期，High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV，這也是臺積電暫時觀望的原因，臺積電更傾向于采用成本更低的成熟技術，以確保產品競爭力。Hig
- 關鍵字： 英特爾 High-NA EUV 臺積電
SK海力士引領High-k/Metal Gate工藝變革
- 由于傳統(tǒng)微縮(scaling)技術系統(tǒng)的限制，DRAM的性能被要求不斷提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)則成為突破這一困局的解決方案。SK海力士通過采用該新技術，并將其應用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率設置下也實現(xiàn)了晶體管性能的顯著提高。本文針對HKMG及其使用益處進行探討。厚度挑戰(zhàn): 需要全新的解決方案組成DRAM的晶體管(Transistor)包括存儲數(shù)據(jù)的單元晶體管(Cell Transistor)、恢復數(shù)據(jù)的核心晶體管(Core Tr
- 關鍵字： SK海力士 High-k Metal Gate
Littelfuse完成對C&K Switches的并購
- 致力于打造可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全之世界的工業(yè)技術制造公司Littelfuse, Inc.宣布完成對C&K Switches (“C&K”)的并購。C&K 是高性能機電開關和互連解決方案的領先設計和制造商，在工業(yè)、交通運輸、航空航天和數(shù)據(jù)通信等多個終端市場擁有廣泛而活躍的全球業(yè)務。 Littelfuse電子業(yè)務部高級副總裁兼總經理 Deepak Nayar表示：“兩家企業(yè)的合并顯著擴展了雙方的技術范圍和生產能力，使得我們能夠為廣泛垂直終端市場的眾多客戶提供全
- 關鍵字： Littelfuse C&K Switches 并購
基于圖像的目標區(qū)域分割算法研究
- 通常在進行圖像處理時，并不需要對整幅圖像進行處理，往往我們感興趣的部分只有圖像中的某個區(qū)域?？焖?、有效地將目標區(qū)域分割出來，不僅能降低運行時間，而且能為后續(xù)處理工作打下基礎。因此，本文將對目標區(qū)域分割算法進行研究，分別采用大津法(OTSU)、K-means聚類法、分水嶺算法進行研究，通過實驗對比發(fā)現(xiàn)，背景較單一時，大津法相對來說效果較好。
- 關鍵字： 目標分割 大津法 K-means聚類法 分水嶺算法 201902
high-k介紹
High-K究竟是什么神奇的技術？這要從處理器的制造原料說起。
由于二氧化硅（SiO2）具有易制性 (Manufacturability)，且能減少厚度以持續(xù)改善晶體管效能，因此過去40余年來，處理器廠商均采用二氧化硅做為制作閘極電介質的材料。
當英特爾導入65納米制造工藝時，雖已全力將二氧化硅閘極電介質厚度降低至1.2納米，相當于5層原子，但由于晶體管縮至原子大小的尺寸時，耗電和 [ 查看詳細 ]
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