high-na euv 文章進(jìn)入high-na euv技術(shù)社區(qū)

EUV蓄勢(shì)待發(fā) Carl Zeiss向ASML出貨EUV光學(xué)系統(tǒng)

　　德國(guó)Carl Zeiss SMT AG已向半導(dǎo)體設(shè)備商ASML出貨首臺(tái)EUV光學(xué)系統(tǒng)。該公司已使EUV光學(xué)系統(tǒng)達(dá)到了生產(chǎn)要求。　　光學(xué)系統(tǒng)是EUV設(shè)備的核心模塊，首臺(tái)EUV設(shè)備預(yù)計(jì)將在2010年出貨。幾周前，美國(guó)公司Cymer完成了EUV光源的開發(fā)，EUV光源是EUV光刻設(shè)備另一個(gè)關(guān)鍵模塊。該技術(shù)將使芯片制造商進(jìn)一步縮小芯片的特征尺寸，提高生產(chǎn)效率。　　據(jù)Carl Zeiss 介紹，目前出貨的光學(xué)系統(tǒng)已經(jīng)研發(fā)了約15年。
關(guān)鍵字： ASML EUV 光刻設(shè)備

　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Gartner警告，半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)的研發(fā)預(yù)算恐怕在接下來(lái)的五年內(nèi)大幅削減80億美元，使該產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域陷入危機(jī)。不過(guò)該機(jī)構(gòu)資深分析師Dean Freeman也表示，研發(fā)聯(lián)盟的興起將成為救星。　　缺乏適當(dāng)?shù)耐顿Y將導(dǎo)致技術(shù)藍(lán)圖延遲，而且公司恐怕無(wú)法做好迎接未來(lái)挑戰(zhàn)的準(zhǔn)備;在目前營(yíng)收低迷的情況下，半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)正面臨著如此的危機(jī)點(diǎn)。不過(guò)Freeman卻認(rèn)為，在這一輪不景氣中最大的不同，就是在過(guò)去十年來(lái)有不少產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟的建立，而這些結(jié)盟關(guān)系在某些程度上減輕了業(yè)者因營(yíng)收減少對(duì)研發(fā)所帶來(lái)的沖擊。　　Fr
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體設(shè)備通孔硅 high-k金屬閘極

　　ASM International N.V. 宣布一家臺(tái)灣晶圓廠為其28 納米節(jié)點(diǎn)high-k 閘極介電層量產(chǎn)制程選擇ASM的Pulsar原子層沉積技術(shù)(ALD)工具。　　除此之外，此家晶圓廠也將與ASM針對(duì)最新世代的high-k閘極技術(shù)進(jìn)行制程開發(fā)活動(dòng)。 ASM 在2009年第2季將針對(duì)進(jìn)階節(jié)點(diǎn)開發(fā)計(jì)劃提供額外的 Pulsar 制程模塊。該晶圓廠在過(guò)去4年也使用ASM的ALD high-K和金屬閘極設(shè)備來(lái)開發(fā)其以鉿基材料為基礎(chǔ)的high-k 閘極制程。　　納米節(jié)點(diǎn)上實(shí)現(xiàn)成功的high-K制程
關(guān)鍵字： ASM high-k 晶圓

　　對(duì)于極紫外（EUV）光刻技術(shù)而言，掩膜版相關(guān)的一系列問(wèn)題是其發(fā)展道路上必須跨越的鴻溝，而在這些之中又以如何解決掩膜版表面多層抗反射膜的污染問(wèn)題最為關(guān)鍵。自然界中普遍存在的碳和氧元素對(duì)于EUV光線具有極強(qiáng)的吸收能力。在Texas州Austin召開的表面預(yù)處理和清洗會(huì)議上，針對(duì)EUV掩膜版清洗方面遇到的問(wèn)題和挑戰(zhàn)，Intel Corp. (Santa Clara, Calif.)的Ted Liang主持召開了一次內(nèi)部討論，并在會(huì)上向與會(huì)的同仁報(bào)告了在這一領(lǐng)域Intel和Dai Nippon Printin
關(guān)鍵字：光刻 EUV 掩膜 CMOS

浸潤(rùn)式微顯影雙重曝光能進(jìn)一步延伸摩爾定律的壽命至32納米，不過(guò)，22納米以下究竟哪種技術(shù)得以出頭，爭(zhēng)議不斷。據(jù)了解，臺(tái)積電目前正積極研發(fā)22納米以下直寫式多重電子束(MEBDW)方案，并已有具體成果，但積極推動(dòng)深紫外光(EUV)的ASML則表示，目前已有數(shù)家客戶下單，最快2009年便可出貨，但哪種技術(shù)最終將「一統(tǒng)江湖」，尚未有定論。 ASML表示，目前深紫外光EUV的光波波長(zhǎng)可達(dá)13.5納米，約是248波長(zhǎng)的KrF顯影設(shè)備的15分之1，盡管浸潤(rùn)式顯
關(guān)鍵字：消費(fèi)電子 EUV 電子束消費(fèi)電子

　凌華科技推出High Speed Link系統(tǒng)延伸模塊HSL-HUB3與HSL-Repeater。此產(chǎn)品可以為HSL用戶提供最長(zhǎng)可達(dá)2400公尺的長(zhǎng)距離使用及多點(diǎn)連接(multi-drop)接線架構(gòu)，搭配高達(dá)十余種I/O及運(yùn)動(dòng)控制模塊的組合，提供客戶實(shí)時(shí)控制的完整解決方案。　　　　凌華的High Speed Link（HSL）技術(shù)是串列式遠(yuǎn)程I/O實(shí)時(shí)控制的絕佳選擇。HSL-HUB3/Repeater基于HSL技術(shù)，針對(duì)接線的
關(guān)鍵字： High Link Speed 工業(yè)控制凌華汽車電子通訊網(wǎng)絡(luò) 無(wú)線延伸模塊工業(yè)控制

音訊內(nèi)容保護(hù) (Content Protection) 技術(shù)與透過(guò)傳統(tǒng)電話的Skype應(yīng)用功能加速音訊轉(zhuǎn)換芯片在數(shù)字家庭的應(yīng)用瑞昱半導(dǎo)體在美國(guó)舊金山的Intel春季科技論壇推出最新一代的高精準(zhǔn)音訊轉(zhuǎn)換芯片 (High Definition Audio Codecs; HD Audio Codecs) ALC885與ALC888 Telecom。瑞昱ALC885內(nèi)建內(nèi)容保護(hù)與防拷&nbs
關(guān)鍵字： High Definition 音訊轉(zhuǎn)換瑞昱通訊與網(wǎng)絡(luò) 芯片

　尼康日前正式宣布，2006年1月已向大型半導(dǎo)體廠商供應(yīng)用于55nm工藝（hp55）芯片制造、開口數(shù)（NA）為1.07的液浸ArF曝光設(shè)備“NSR-S609B”。這是全球首次供應(yīng)NA超過(guò)1的液浸ArF曝光設(shè)備。　　這家大型半導(dǎo)體廠商的名字，尼康沒(méi)有公布，估計(jì)是過(guò)去在技術(shù)方面與之開展合作的東芝。　　作為全折射型液浸曝光設(shè)備，NSR-S609B具有全球最大的NA，配合偏光照明技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)很高的分辨率。對(duì)于液浸產(chǎn)生的缺陷和重合不穩(wěn)定性的問(wèn)題，據(jù)稱利用名為“Local-fill（局部
關(guān)鍵字： NA 尼康嵌入式系統(tǒng)