hynix 文章 進入hynix技術(shù)社區(qū)
海力士預(yù)期今年營收將達10年高點
- 由于目前存儲器供應(yīng)短缺、供不應(yīng)求，全球第2大存儲器廠商海力士(Hynix)預(yù)期2010年的營收可望達到10年來的最高點。 目前DRAM市場正處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。自2009年全球經(jīng)濟逐漸回溫后，企業(yè)放寬支出，對個人計算機(PC)的需求也回升，光是2010年P(guān)C銷量就可能較2009年增加10%，帶動了DRAM的需求量上升。 另外，智能型手機(Smartphone)、平板計算機(Tablet PC)及其它行動設(shè)備的市場規(guī)模日增，也讓NAND Flash的需求量不斷攀升。但相對于存儲器芯片需求量節(jié)
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海力士將和美光談與恒憶的大陸合資廠
- 據(jù)彭博(Bloomberg)報導(dǎo)，全球第2大存儲器廠商海力士(Hynix)表示，目前全球存儲器市場僅能滿足60%的需求，海力士有可能會重新審視資本支出計畫，此外，海力士將和存儲器大廠美光(Micron) 討論先前海力士與恒憶(Numonyx)在大陸擁有的合資企業(yè)。 海力士新任執(zhí)行長權(quán)五哲(Kwon Oh-chul)表示，2010年全球存儲器市場對生產(chǎn)者有利，目前市場并未形成泡沫，優(yōu)于預(yù)期的市場狀況可能會延續(xù)至下1季。此外，海力士原先計劃在 2010年投資2.3兆韓元(約20.2億美元)，然若存儲
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海力士債權(quán)人任命公司新CEO
- 據(jù)彭博社報道，海力士(Hynix Semiconductor Inc.)債權(quán)人任命Kwon Oh Chul擔(dān)任這家全球第二大電腦內(nèi)存片制造商CEO。 海力士主要債權(quán)人韓國外換銀行(Korea Exchange Bank)今天在一份電子郵件聲明中表示，該公司債權(quán)人在對海力士執(zhí)行副總裁Choi Jin Seog、執(zhí)行副總裁Park Sung Wook、和高級副總裁Kim Min Chul評審之后，最后選擇了今年51歲的Kwon Oh Chul。海力士債權(quán)人為了給予救助而對這家韓國電腦內(nèi)存片制造商投入
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Hynix宣布已成功開發(fā)出26nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品
- 南韓Hynix公司本周二宣布，繼半年前成功開發(fā)出基于32nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品，并于去年8月份開始量產(chǎn)這種閃存芯片之后，他們已經(jīng)于日前成 功開發(fā)出了基于26nm制程的NAND閃存芯片。他們并稱將于今年7月份開始量產(chǎn)基于26nm制程的64GB容量NAND閃存芯片產(chǎn)品. 按閃存芯片市占率計算，Hynix公司去年在閃存芯片市場上的市占率排在第三位，僅次于排在前兩位的三星與東芝公司。據(jù)此前的報道顯示，三星公司和由Intel和鎂光公司合資成立的IM Flash公司均計劃于今年第二季度推出基于25n
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海力士：DRAM恐供給過剩
- DRAM廠普遍看好今年市況之際，全球第二大DRAM廠海力士(Hynix)卻發(fā)出警語，認(rèn)為今年DRAM恐出現(xiàn)供給過剩。海力士也是近期全球第一家看空DRAM產(chǎn)業(yè)的大廠。 全球DRAM龍頭三星上周才公開表示，看好整體內(nèi)存產(chǎn)業(yè)，海力士卻發(fā)布警語，看法與三星大為迥異。 外電報導(dǎo)，海力士執(zhí)行長金鐘甲(Kim Jong-kap)在接受媒體采訪時透露，由于各大芯片廠都大舉擴大資本支出，擔(dān)心DRAM會供給過剩;不過，他認(rèn)為儲存型閃存(NAND Flash)需求仍會不錯。
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2010年NAND Flash價格發(fā)展持續(xù)兩極化
- NAND Flash市場未脫傳統(tǒng)淡季，仍在等待蘋果(Apple)補貨效應(yīng)出現(xiàn)，2010年1月下旬NAND Flash合約價大致持平，高容量32Gb和64Gb芯片有小幅調(diào)漲，低容量芯片要嚴(yán)防3-bit-per-cell架構(gòu)的TLC(Triple- Level Cell)成為市場的價格殺手，但高容量產(chǎn)品新增產(chǎn)能又相當(dāng)有限，因此2010年NAND Flash價格發(fā)展持續(xù)兩極化。 近期NAND Flash現(xiàn)貨價和合約價都有止跌的跡象，1月下旬NAND Flash合約價持平開出，在高容量32Gb和64Gb
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4大DRAM陣營競爭激烈 美光、爾必達提前導(dǎo)入40納米
- 2010年4大DRAM陣營三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、爾必達(Elpida)和美光(Micron)戰(zhàn)場直接拉到40納米世代!繼爾必達跳過50納米制程，大舉轉(zhuǎn)換至45納米后，美光陣營也不甘示弱宣布年中將同步轉(zhuǎn)42納米。華亞科表示，表示旗下的50納米制程是最正統(tǒng)的完整世代技術(shù)，并非是制程微縮下的產(chǎn)物，因此成本競爭力有十足把握;在爾必達、美光跟上制程進度后，年底4大陣營技術(shù)實力大幅縮小，競爭更激烈。 雖然三星電子和海力士已先一步轉(zhuǎn)到40納米世代，其中三星是
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Hynix 44nm制程2Gb低功耗DDR2內(nèi)存芯片產(chǎn)品開發(fā)完成
- 韓國內(nèi)存廠商Hynix日前宣布他們已經(jīng)完成了2Gb密度低功耗DDR2內(nèi)存芯片產(chǎn)品的開發(fā)，這款產(chǎn)品將主要面向移動設(shè)備，可在智能手機，平板電腦等移動設(shè)備上使用，Hynix并稱這種芯片將于今年上半年開始投入量產(chǎn)。 這款內(nèi)存芯片產(chǎn)品的數(shù)據(jù)傳輸率可達1066Mbps，并將以小型封裝(如MCP/POP封裝形式)的形式進行供貨。 Hynix宣稱這款芯片產(chǎn)品采用了44nm制程技術(shù)制作，工作電壓僅1.2V，位寬為32位的配置條件下，使用這種芯片的內(nèi)存系統(tǒng)帶寬可達4.26GB/s。另外，這
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阿布扎比國有投資公司無意收購韓海力士半導(dǎo)體股份
- 阿布扎比政府屬下的阿布扎比先進技術(shù)投資公司(ATIC)6日稱，公司無意收購韓國海力士半導(dǎo)體(Hynix Semiconductor Inc.)股份。 公司首席執(zhí)行官阿賈米(Ibrahim Ajami)電話告訴媒體稱，“這與ATIC沒有任何關(guān)系，我也不清楚是不是阿布扎比政府旗下其他投資半導(dǎo)體的投資公司。” 6日早前一家媒體援引韓國政府官員的話報道稱，阿聯(lián)酋政府顯示有興趣收購海力士半導(dǎo)體的股份。 阿賈米稱，由高級微設(shè)備公司(AMD)拆分而來的半導(dǎo)體制造廠商Glob
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韓結(jié)束3年反壟斷調(diào)查 未發(fā)現(xiàn)芯片廠操縱價格
- 韓國公平交易委員會(FTC)周三宣布，并未發(fā)現(xiàn)NAND快閃記憶芯片制造商在韓國或其它地區(qū)有操縱市場價格的行為，也宣告終止近3年來對該產(chǎn)業(yè)的反壟斷調(diào)查。 反壟斷監(jiān)管單位聲明，針對計算機記憶芯片產(chǎn)業(yè) (包括DRAM芯片、DRAM芯片等) 相關(guān)的價格操縱調(diào)查已經(jīng)全部結(jié)束。 2007年1月，F(xiàn)TC宣布將針對NAND快閃記憶芯片制造商進行反壟斷調(diào)查，偵查是否有操縱價格的事實，之后已針對全球4家企業(yè)進行調(diào)查，其中2家位于韓國，另外2家分別在美國和日本，但FTC并未公布詳細(xì)的企業(yè)名單。 韓國快閃記
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海力士調(diào)高資本支出 規(guī)模逼近華亞科
- 國際DRAM廠相繼傳來調(diào)高資本支出的消息，韓國大廠海力士(Hynix)宣布調(diào)高2010年資本支出，預(yù)估將從1兆韓元調(diào)高至1.5兆韓元，相當(dāng)于12.7億美元，雖然以全球的角度來看，2010年的資本支出仍高居全球第三大，然經(jīng)此一調(diào)高，海力士明年資本支出規(guī)模已經(jīng)接近華亞科(3474)的13.85億美元，且資本支出的規(guī)模也是2007年的高峰以來，最大規(guī)模的一次行動。 目前已知將調(diào)高資本支出的國際廠商包括爾必達、三星半導(dǎo)體、華邦電，上周25日，韓國大廠海力士也跟進宣布調(diào)高資本支出。 根據(jù)外電指出，海
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海力士：2010年DRAM供不應(yīng)求
- 據(jù)華爾街日報(WSJ)報導(dǎo)，韓國半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)看好2010年存儲器市場表現(xiàn)，將提升資本支出并擴張產(chǎn)能。 海力士執(zhí)行長金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示，2009年12月為第1次DRAM合約價在11月后并未下滑，此外，預(yù)期2010年全球個人計算機(PC)市場需求將增加10%、全球DRAM存儲器芯片將缺貨，半導(dǎo)體市場已走出過去3年的谷底，前景相當(dāng)穩(wěn)定。 隨著景氣逐漸回升，海力士計劃2010年提升資本支出，共投資2.3兆韓元(約20億美元)提升技術(shù)水平，及擴張目前的NAND
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Hynix40nm 2Gb DDR3內(nèi)存芯片通過Intel驗證
- 韓國Hynix公司宣布其40nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品通過了Intel的認(rèn)證，Hynix并稱將開始批量生產(chǎn)這種芯片產(chǎn)品，另外他們還宣稱面向服務(wù)器應(yīng)用的Registered DIMM產(chǎn)品的驗證工作也將于年底前順利完成。 這次通過驗證的Hynix產(chǎn)品有2Gb DDR3 SDRAM內(nèi)存芯片，4GB DDR3 SO-DIMM(筆記本內(nèi)存條)以及2GB DDR3 unbuffered DIMM(即普通家用型內(nèi)存條)，驗證時的運行頻率為1333MHz，芯片電壓為1.5V。 Hynix宣稱
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hynix介紹
海力士半導(dǎo)體公司（Hynix，諺文：???? ???，KSE：000660 ）是一家韓國的電子公司，全球二十大半導(dǎo)體銷量巨頭之一。海力士于1983年以現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)有限公司的名字創(chuàng)立。在80及90年代 他們專注于銷售DRAM，后來是SDRAM。2001年他們以6億5000萬美元的價格出售TFT LCD業(yè)務(wù)，同年他們開發(fā)出世界第一顆128MB圖形DDR SDRAM。
價格操控與處份
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