i線半導(dǎo)體光刻機(jī) 文章 進(jìn)入i線半導(dǎo)體光刻機(jī)技術(shù)社區(qū)

佳能發(fā)售面向后道工藝的3D技術(shù)i線半導(dǎo)體光刻機(jī)新產(chǎn)品

• 佳能將于2023年1月上旬發(fā)售面向后道工藝的半導(dǎo)體光刻機(jī)新產(chǎn)品——i線※1步進(jìn)式光刻機(jī)“FPA-5520iV LF2 Option”。該產(chǎn)品通過(guò)0.8μm（微米※2）的高解像力和拼接曝光技術(shù)，使100×100mm的超大視場(chǎng)曝光成為可能，進(jìn)一步推動(dòng)3D封裝技術(shù)的發(fā)展。為了提高半導(dǎo)體芯片的性能，不僅在半導(dǎo)體制造的前道工藝中實(shí)現(xiàn)電路的微細(xì)化十分重要，在后道工藝的高密度封裝也備受關(guān)注，而實(shí)現(xiàn)高密度的先進(jìn)封裝則對(duì)精細(xì)布線提出了更高要求。同時(shí)，近年來(lái)半導(dǎo)體光刻機(jī)得到廣泛應(yīng)用，這一背景下，半導(dǎo)體器件性能的提升，需要通過(guò)
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