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在車載信息娛樂系統(tǒng)、I/O端口和電子模塊的電路保護(hù)方面要考慮的問題
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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基于開放平臺的i.Smart智能電話參考設(shè)計(jì)
- 新型帶多媒體功能和隨處可接的智能電話的設(shè)計(jì)復(fù)雜度是一項(xiàng)巨大挑戰(zhàn)。i.Smart智能電話參考設(shè)計(jì)可幫助手機(jī)開發(fā)商走一條明智而快捷的上市之路,它提供了一個(gè)全面的硬件參考設(shè)計(jì)、若干開放型操作系統(tǒng)軟件支持包和開發(fā)工具套件。 今天手機(jī)用戶夢想的特性包括:極快速而廣泛的連接選擇并可挑選一種方便、創(chuàng)新的移動應(yīng)用,但這些特性明天就將成為需求。為了滿足越來越高的用戶期望值,制造商正面臨開發(fā)新型、帶多媒體功能和“永遠(yuǎn)連接”的智能電話所具有的令人難以置信的復(fù)雜度。 摩托羅拉的i.Smar
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NI推出4種用于PXI平臺的新型R系列I/O模塊
- 2008年5月,美國國家儀器有限公司(簡稱NI)推出4種用于PXI平臺的新型R系列 I/O模塊,這些模塊都配備了高性能的Xilinx Virtex-5現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)芯片。NI PXI-7841R, PXI-7842R, PXI-7851R 和PXI-7852R模塊具有8個(gè)模擬輸入、8個(gè)模擬輸出和96個(gè)數(shù)字I/O通道,而且模擬輸入的速率比以前版本的R系列設(shè)備快3.5倍以上。這些新型模塊為工程師和科學(xué)家們提供了即時(shí)可用的硬件;不僅如此,這些硬件還可通過NI LabVIEW FPGA軟件進(jìn)行圖
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創(chuàng)惟GL860A USB 2.0電腦視訊攝影機(jī)控制晶片獲多家NB大廠採用
- 國內(nèi)高速I/O通訊的領(lǐng)導(dǎo)廠商—創(chuàng)惟科技,宣布其USB 2.0電腦視訊攝影機(jī)控制晶片(產(chǎn)品代號: GL860A)通過數(shù)家客戶的驗(yàn)證,現(xiàn)已獲國內(nèi)外多家筆記型電腦品牌大廠採用並順利量產(chǎn)。GL860A產(chǎn)品除了應(yīng)用於目前市場上筆記型電腦之主流機(jī)種外,還包括未來有極高成長動能的簡易筆記型電腦、低價(jià)筆記型電腦和強(qiáng)調(diào)手持行動性高的行動網(wǎng)路裝置(MID, Mobile Internet Device)。GL860A目前出貨量呈現(xiàn)穩(wěn)定成長,也顯示創(chuàng)惟在影像IC市場上前景可期?!? GL860A
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C8051F02X外部存儲器接口和I/O端口配置
- 摘要:介紹美國Cygnal公司生產(chǎn)的C8051F02X系列單片機(jī)的外部存儲器接口、I/O端口配置方法和有關(guān)注意的問題;在此基礎(chǔ)上列舉兩個(gè)關(guān)于EMIF、I/O的配置應(yīng)用。 關(guān)鍵詞:C8051F02X EMIF I/O 交叉開關(guān) 美國Cygnal公司C8051F02X系列單片機(jī)是集成在一起芯片上的混合信號系統(tǒng)級單片機(jī)。該單片機(jī)具有32/64位數(shù)字I/O端口(引腳)、25MIPS高速流水線式8051微控制器內(nèi)核、64KB在系統(tǒng)可編程Flash存儲器、64KB地址的外部存儲器接口、4352(4096
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Art Landro 被任命為MontaVista的全球業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁
- ??????? 在嵌入式Linxu業(yè)界領(lǐng)先的MontaVista? 軟件公司今天宣布:任命Art Landro 為MontaVista的全球業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁,在晉升之前他是MontaVista的國際業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁。在加盟MontaVista之前他分別在EMC, Documentum, Cadence Design Systems, 和 General DataComm 做管理工作。 ???&nb
- 關(guān)鍵字: Art Landro MontaVista 總裁
Hittite Microwave發(fā)布兩款無源GaAs MESFET I/Q混頻器
- Hittite Microwave公司日前發(fā)布兩款用于頻率范圍為3~7GHz的點(diǎn)對點(diǎn)無線電、WiMAX基礎(chǔ)設(shè)施、測試裝置和軍事應(yīng)用的無源GaAs MESFET I/Q混頻器。 HMC620LC4是一個(gè)可在3~7GHz頻率范圍內(nèi)提供32dB鏡像抑制、43dB LO至RF隔離度以及+22dBm穩(wěn)定輸入IP3性能的無源I/Q混頻器/IRM。這個(gè)經(jīng)過精心設(shè)計(jì)的雙平衡混頻器集成電路可確保出色的振幅和相位平衡,同時(shí)將變頻損耗限制在標(biāo)稱值8dB。HMC620是一個(gè)工作頻率范圍相同的緊湊型芯片混頻器,可提供33
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采用FPGA的低功耗系統(tǒng)設(shè)計(jì)
- 結(jié)合采用低功耗元件和低功耗設(shè)計(jì)技術(shù)在目前比以往任何時(shí)候都更有價(jià)值。隨著元件集成更多功能,并越來越小型化,對低功耗的要求持續(xù)增長。當(dāng)把可編程邏輯器件用于低功耗應(yīng)用時(shí),限制設(shè)計(jì)的低功耗非常重要。本文將討論減小動態(tài)和靜態(tài)功耗的各種方法,并且給出一些例子說明如何使功耗最小化。 功耗的三個(gè)主要來源是啟動、待機(jī)和動態(tài)功耗。器件上電時(shí)產(chǎn)生的相關(guān)電流即是啟動電流;待機(jī)功耗又稱作靜態(tài)功耗,是電源開啟但I(xiàn)/O上沒有開關(guān)活動時(shí)器件的功耗;動態(tài)功耗是指器件正常工作時(shí)的功耗。 啟動電流因器件而異。例如,基于SRAM
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Linear 發(fā)布直接轉(zhuǎn)換I/Q解調(diào)器
- 凌力爾特公司(Linear)推出新的高線性度直接轉(zhuǎn)換 I/Q 解調(diào)器 LT5575,該器件極大地降低了 3G 和 WiMAX 基站接收器的成本。LT5575 具有 800MHz 至 2.7GHz 的寬工作頻率范圍,因此用一個(gè)器件就覆蓋了所有蜂窩和 3G 基礎(chǔ)設(shè)施、WiMAX 和 RFID 系統(tǒng)的頻帶。該器件能夠?qū)⑸漕l信號直接轉(zhuǎn)換成 DC 或低頻基帶信號,從而簡化了接收器設(shè)計(jì)、減少了組件數(shù)并允許使用較低成本的低頻組件。LT5575 在 900MHz 時(shí)具有卓越的 28dBm IIP3 和 54.1dBm
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51單片機(jī)I/O口使用經(jīng)驗(yàn)
- 按常規(guī),在51端口(P1、P2、P3)某位用作輸入時(shí),必須先向?qū)?yīng)的鎖存器寫入1,使FET截止。一般情況是這樣,也有例外。所謂IO口內(nèi)部與電源相連的上拉電阻而非一常規(guī)線性電阻,實(shí)質(zhì)上,該電阻是由兩個(gè)場效應(yīng)管并聯(lián)在一起:一個(gè)FET為負(fù)載管,其阻值固定;另一個(gè)FET可工作在導(dǎo)通或截止兩種狀態(tài)(姑且叫可變FET)。使其總電阻值變化近似為0或阻值較大(20千歐--40千歐)兩種情況。當(dāng)和端口鎖存器相連的FET由導(dǎo)通至截止時(shí),該阻值近似為0,可將引腳快速上拉至高電平;當(dāng)和鎖存器
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fimicro將Ramtron的4Mb F-RAM存儲器用于智能I/O模塊設(shè)計(jì)中
- F-RAM和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商 Ramtron International Corporation 宣布位于德國的嵌入式軟件和硬件供應(yīng)商 fimicro 已在其新型的 active104 系列 PC/104 兼容單板計(jì)算機(jī) (SBC) 和智能 I/O 擴(kuò)展模塊中,采用了 Ramtron 的非易失性 F-RAM 存儲器。fimicro 已在其 active104 SBC、RAID、以太網(wǎng)和 USB 板的設(shè)計(jì)中使用了 Ramtron 的 FM22L16 4兆位 (Mb) 并行 F-RAM,以取代
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) F-RAM 半導(dǎo)體 I/O模塊 半導(dǎo)體材料
S i/C負(fù)極在實(shí)際應(yīng)用中的失效原因分析
- 近幾年來,Si由于具有較高的比容量而成為鋰離子蓄電池負(fù)極材料的研究熱點(diǎn)。但是,硅在反復(fù)充放電過程中經(jīng)歷很大的體積變化,很快發(fā)生明顯容量衰減。雖然許多研究機(jī)構(gòu)以及材料廠商通過表面改性、摻雜以及復(fù)合等方法,對材料進(jìn)行了優(yōu)化,取得了一定的效果,但仍然不是十分理想,在實(shí)際應(yīng)用中還存在著許多的問題,因此還沒有得到廣泛的實(shí)際應(yīng)用。我們將一種Si/C負(fù)極材料應(yīng)用于14500圓柱形電池體系中,對它與碳負(fù)極電池的基本性能進(jìn)行了對比,并對該種Si/C負(fù)極材料在實(shí)際應(yīng)用中存在的問題以及失效原因進(jìn)行了分析。 1實(shí)驗(yàn)
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