i-pmd 文章 進入i-pmd技術社區(qū)
C8051F02X外部存儲器接口和I/O端口配置
- 摘要：介紹美國Cygnal公司生產(chǎn)的C8051F02X系列單片機的外部存儲器接口、I/O端口配置方法和有關注意的問題；在此基礎上列舉兩個關于EMIF、I/O的配置應用。 關鍵詞：C8051F02X EMIF I/O 交叉開關 美國Cygnal公司C8051F02X系列單片機是集成在一起芯片上的混合信號系統(tǒng)級單片機。該單片機具有32/64位數(shù)字I/O端口（引腳）、25MIPS高速流水線式8051微控制器內核、64KB在系統(tǒng)可編程Flash存儲器、64KB地址的外部存儲器接口、4352（4096
- 關鍵字： C8051F02X EMIF I/O 交叉開關
NEC電子(歐洲)推出新型P溝道功率MOSFET產(chǎn)品
- 近日，NEC電子(歐洲)宣布推出新型低電壓電源管理器件(PMD)。該系列產(chǎn)品的推出使P溝道NP系列產(chǎn)品可覆蓋-15A至-100A的漏極電流。 該系列產(chǎn)品采用普通的TO-252(DPAK)和TO-263(D2PAK)貼片封裝。產(chǎn)品包含2種額定漏源電壓(-40V和-60V)及可由邏輯門驅動產(chǎn)品。在DPAK封裝系列中，低漏極電流器件(ID(DC) < 50A)中的導通電阻(RDS(ON))為9.6mOhm(NP50P04SDG)至75mOhm(NP15P06SLG)。而在D2PAK封裝系列中，額
- 關鍵字： NEC 電源管理器件 PMD 模擬IC
Hittite Microwave發(fā)布兩款無源GaAs MESFET I/Q混頻器
- Hittite Microwave公司日前發(fā)布兩款用于頻率范圍為3～7GHz的點對點無線電、WiMAX基礎設施、測試裝置和軍事應用的無源GaAs MESFET I/Q混頻器。 HMC620LC4是一個可在3～7GHz頻率范圍內提供32dB鏡像抑制、43dB LO至RF隔離度以及+22dBm穩(wěn)定輸入IP3性能的無源I/Q混頻器/IRM。這個經(jīng)過精心設計的雙平衡混頻器集成電路可確保出色的振幅和相位平衡，同時將變頻損耗限制在標稱值8dB。HMC620是一個工作頻率范圍相同的緊湊型芯片混頻器，可提供33
- 關鍵字： Hittite Microwave I/Q 混頻器 測量儀器用電源
采用FPGA的低功耗系統(tǒng)設計
- 結合采用低功耗元件和低功耗設計技術在目前比以往任何時候都更有價值。隨著元件集成更多功能，并越來越小型化，對低功耗的要求持續(xù)增長。當把可編程邏輯器件用于低功耗應用時，限制設計的低功耗非常重要。本文將討論減小動態(tài)和靜態(tài)功耗的各種方法，并且給出一些例子說明如何使功耗最小化。 功耗的三個主要來源是啟動、待機和動態(tài)功耗。器件上電時產(chǎn)生的相關電流即是啟動電流;待機功耗又稱作靜態(tài)功耗，是電源開啟但I/O上沒有開關活動時器件的功耗;動態(tài)功耗是指器件正常工作時的功耗。 啟動電流因器件而異。例如，基于SRAM
- 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機 FPGA 低功耗 I/O
Linear 發(fā)布直接轉換I/Q解調器
- 凌力爾特公司(Linear)推出新的高線性度直接轉換 I/Q 解調器 LT5575，該器件極大地降低了 3G 和 WiMAX 基站接收器的成本。LT5575 具有 800MHz 至 2.7GHz 的寬工作頻率范圍，因此用一個器件就覆蓋了所有蜂窩和 3G 基礎設施、WiMAX 和 RFID 系統(tǒng)的頻帶。該器件能夠將射頻信號直接轉換成 DC 或低頻基帶信號，從而簡化了接收器設計、減少了組件數(shù)并允許使用較低成本的低頻組件。LT5575 在 900MHz 時具有卓越的 28dBm IIP3 和 54.1dBm
- 關鍵字： 通訊 無線 網(wǎng)絡 凌力爾特 I/Q 解調器 模擬IC
40 Gb/s光纖通信系統(tǒng)中一階PMD對信號頻譜的影響
- 1 引 言 隨著色度色散的有效補償，偏振模色散(PMD)引起的脈沖展寬以及誤碼率下降已經(jīng)成為高速光纖通信系統(tǒng)發(fā)展的制約因素。由于PMD隨機變化的特性[1]，PMD補償必然是一個實時跟蹤其變化的動態(tài)補償系統(tǒng)，這就需要準確反映PMD變化的反饋信號。PMD反饋信號主要包括偏振度(DOP)[2，3]和電功率2種。PMD導致2個偏振主態(tài)上的脈沖走離，引起光信號DOP的下降，因此可以用DOP信息檢測PMD的變化。但DOP作反饋受到脈沖形狀信號碼型、ASE噪聲、調制啁啾和偏振相關損耗[4]等多種因素的影響，對
- 關鍵字： 通訊 無線 網(wǎng)絡 光纖通信 PMD 信號頻譜 光通信
51單片機I/O口使用經(jīng)驗
- 按常規(guī)，在51端口（P1、P2、P3）某位用作輸入時，必須先向對應的鎖存器寫入1，使FET截止。一般情況是這樣，也有例外。所謂IO口內部與電源相連的上拉電阻而非一常規(guī)線性電阻，實質上，該電阻是由兩個場效應管并聯(lián)在一起：一個FET為負載管，其阻值固定；另一個FET可工作在導通或截止兩種狀態(tài)（姑且叫可變FET）。使其總電阻值變化近似為0或阻值較大（20千歐--40千歐）兩種情況。當和端口鎖存器相連的FET由導通至截止時，該阻值近似為0，可將引腳快速上拉至高電平；當和鎖存器
- 關鍵字： 單片機 I/O MCU和嵌入式微處理器
fimicro將Ramtron的4Mb F-RAM存儲器用于智能I/O模塊設計中
- F-RAM和集成半導體產(chǎn)品開發(fā)商及供應商 Ramtron International Corporation 宣布位于德國的嵌入式軟件和硬件供應商 fimicro 已在其新型的 active104 系列 PC/104 兼容單板計算機 (SBC) 和智能 I/O 擴展模塊中，采用了 Ramtron 的非易失性 F-RAM 存儲器。fimicro 已在其 active104 SBC、RAID、以太網(wǎng)和 USB 板的設計中使用了 Ramtron 的 FM22L16 4兆位 (Mb) 并行 F-RAM，以取代
- 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機 F-RAM 半導體 I/O模塊 半導體材料
S i／C負極在實際應用中的失效原因分析
- 近幾年來，Si由于具有較高的比容量而成為鋰離子蓄電池負極材料的研究熱點。但是，硅在反復充放電過程中經(jīng)歷很大的體積變化，很快發(fā)生明顯容量衰減。雖然許多研究機構以及材料廠商通過表面改性、摻雜以及復合等方法，對材料進行了優(yōu)化，取得了一定的效果，但仍然不是十分理想，在實際應用中還存在著許多的問題，因此還沒有得到廣泛的實際應用。我們將一種Si/C負極材料應用于14500圓柱形電池體系中，對它與碳負極電池的基本性能進行了對比，并對該種Si/C負極材料在實際應用中存在的問題以及失效原因進行了分析。 1實驗
- 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機 S i／C MCU和嵌入式微處理器
采用分而治之的方法設計嵌入式系統(tǒng)
- 其中有一個很明顯的發(fā)展趨勢：將復雜的問題分為若干個較小、較簡單且更加明確的問題，并針對具體的任務運用合適的工具。即使是最為普通的嵌入式系統(tǒng)也適用于這一原則，它可以縮短設計周期，提高系統(tǒng)的靈活性和可維護性。關鍵在于采用一種通用的通信策略。 主控制器和從控制器 最基本的原理就是：用主控制器進行集中決策，再交由從控制器分別執(zhí)行。在最為復雜的系統(tǒng)中，這種方法必不可少，并能夠自動執(zhí)行。比如，手機中的主處理器用于決定屏幕的顯示內容以及外設(如LCD顯示控制器或無線電收發(fā)器)需要完成的工作，而不會直接控制
- 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機 微控制器 I/O Linux 嵌入式
ST新增一系列低成本的24支I/O引腳的產(chǎn)品
- 意法半導體宣布該公司的ST7Lite經(jīng)濟型微控制器產(chǎn)品家族新增一系列內置閃存的8位微控制器。新產(chǎn)品的最大亮點是引腳數(shù)量達到24條I/O (輸入/輸出) 線路，使這個深受市場歡迎的系列產(chǎn)品進一步拓展了在注重成本的產(chǎn)品市場上的應用范圍。ST7Lite產(chǎn)品家族是專門為功能簡單的產(chǎn)品設計的，如保安系統(tǒng)、照明系統(tǒng)、電源管理、小家電、傳感器和電機控制。 新的ST7LITE49M系列量產(chǎn)采用LQFP32封裝，原型產(chǎn)品采用SDIP32封裝。最大4千字節(jié)的小容量內存，24條高灌入電流的輸入輸出線路，配合
- 關鍵字： 模擬技術 電源技術 ST 24 I/O 模擬IC 電源
i-pmd介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條i-pmd!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對i-pmd的理解，并與今后在此搜索i-pmd的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對i-pmd的理解，并與今后在此搜索i-pmd的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
i-pmd相關帖子
i-pmd資料下載
i-pmd專欄文章
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473