單片機是一門實踐性較強的技術(shù),很多初學(xué)者在學(xué)習(xí)單片機技術(shù)開發(fā)的時候往往一頭霧水,不知何從下手。為此,筆者結(jié)合自己使用單片機多年的經(jīng)驗,特意設(shè)計了單片機開發(fā)所需的Study-c 整機和硬件套件,并結(jié)合套件精心編
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單片機 輸出 控制 I/O 組成 最小 系統(tǒng)
寬帶需求迫使服務(wù)提供商不斷升級其網(wǎng)絡(luò),以為客戶提供速度更快、質(zhì)量更佳的應(yīng)用和服務(wù)。光纖網(wǎng)絡(luò)設(shè)施上過多的色散會限制這些高速傳輸系統(tǒng)的性能和運行可靠性。一項需要測試以確保這些系統(tǒng)達到最優(yōu)性能的基本參數(shù)是偏
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I-PMD PMD 測量
串行通訊作為一種新型集中分散電梯控制系統(tǒng),在國內(nèi)已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用,較以往集中統(tǒng)一控制系統(tǒng)而言各分控器可完...
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AS-i 電梯 串行通訊
零中頻 (Zero-IF) 接收器并不是什么新事物;其被人們所大量使用已經(jīng)有些時日了,蜂窩手機便是它的重要應(yīng)用領(lǐng)域。然而,其在諸如無線基站的高性能接收器中的使用卻少有成功的案例。這主要是因為它們的動態(tài)范圍有限,而且也不太為人們所了解。
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凌力爾特 解調(diào)器 LTC5585 I/Q
嵌入式系統(tǒng)在可配置系統(tǒng)中實現(xiàn)模擬I/O,隨著一種新產(chǎn)品——我們在Missing Link ELECTRONICS公司稱之為“智能產(chǎn)品”的面市,嵌入式系統(tǒng)的發(fā)展出現(xiàn)了新動向。這一名詞源自最近新出現(xiàn)的一個詞“智能電話”,用于描述具有智能電
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系統(tǒng) I/O 模擬 配置 嵌入式 實現(xiàn)
電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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IC芯片 晶圓級 射頻測試 I-V/C-V測試
采用I/O模擬多路復(fù)用器PSoC優(yōu)化傳感器控制設(shè)計,CY8C21times;34可編程系統(tǒng)級芯片(PSoC)混合信號陣列具有一個I/O模擬多路復(fù)用器,由于每個引腳都可以被用作一個模擬輸入,因此采用單個SoC便能夠輕松實現(xiàn)需要大量不同類型傳感器的控制應(yīng)用。本文介紹了在多種傳感器控
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傳感器 控制 設(shè)計 優(yōu)化 PSoC I/O 模擬 復(fù)用器 采用
嵌入式控制和監(jiān)測應(yīng)用的趨勢:可重配置 I/O(RIO) 架構(gòu),多年來,嵌入式系統(tǒng)設(shè)計人員一直都在使用FPGA(現(xiàn)場可編程邏輯門陣列)配合微處理器(MPU)及微控制器(MCU)進行系統(tǒng)開發(fā)。FPGA已經(jīng)廣泛應(yīng)用于擴展MPU I/O的功能,以及作為各種子系統(tǒng)和通信端口的連接接口。隨著FPGA容量
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I/O RIO 架構(gòu) 配置 趨勢 控制 監(jiān)測 應(yīng)用 嵌入式
隨著LCD電視的屏幕變得更大更亮,它們需要更多的工作電壓和更大的工作電流,對更穩(wěn)定和更可靠電路保護技術(shù)的需求也更加迫切。 有很多種電路保護器件都可以被用來幫助保護LCD顯示屏免受過高電流或過高電壓瞬變引起的
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電路 介紹 保護 電源 背光 I/O LCD
0 引言 本文通過電流驅(qū)動負載,設(shè)計了一種具有快速響應(yīng)的電壓轉(zhuǎn)電流電路,同時采用PSPICE里的實際模型對電路進行了仿真,仿真響應(yīng)時間為百ns。故該電路的設(shè)計對高速網(wǎng)絡(luò)中有一定的參考價值?! ? 電壓轉(zhuǎn)電流的理
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方法 介紹 設(shè)計 電路 響應(yīng) V/I 快速
電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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驅(qū)動程序 WindowsCE I/O端口
在對納米器件進行電流-電壓(I-V)脈沖特征分析時通常需要測量非常小的電壓或電流,因為其中需要分別加載很小的電流或電壓去控制功耗或者減少焦耳熱效應(yīng)。這里,低電平測量技術(shù)不僅對于器件的I-V特征分析而且對于高電
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I-V 納米器件 脈沖 測試
一、實驗?zāi)康?br />1、掌握P3口、P1口簡單使用。 2、學(xué)習(xí)延時程序的編寫和使用。 二、實驗內(nèi)容 1、實驗原理圖: 2、實驗內(nèi)容 (1)P3.3口做輸入口,外接一脈沖,每輸入一個脈沖,P1口按十六進制加1。 (2)
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設(shè)計 實驗 應(yīng)用 I/O 單片機
摘要:這里采用一種基于動態(tài)電容充電方法,結(jié)合高速A/D采樣和數(shù)據(jù)處理,實現(xiàn)對光伏陣列的現(xiàn)場I-V特性測試。該方法具有安全性高、體積小、成本低、精度高等特點,并可用于更大功率的光伏陣列現(xiàn)場測試。詳細介紹了系統(tǒng)
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I-V 小功率 光伏陣列 特性測試
模擬Isup2;C總線多主通信研究與軟件設(shè)計,摘要 介紹模擬I2C總線的多主節(jié)點通信原理,并提出一種新的實現(xiàn)方法。這種采用延時接收比較來實現(xiàn)仲裁的方法,可使不具有I2C接口的普通微控制器(MCU)能夠?qū)崿F(xiàn)模擬I2C總線的多主通信,同時對I2C總線的推廣起到了積極
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軟件 設(shè)計 研究 通信 I² 總線 模擬
i-v1特性介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條i-v1特性!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對i-v1特性的理解,并與今后在此搜索i-v1特性的朋友們分享。
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