ic測(cè)試 文章 進(jìn)入ic測(cè)試技術(shù)社區(qū)
IC測(cè)試趨向整合 本土廠商期待作為
- “從目前看，國(guó)外IC測(cè)試設(shè)備廠商之間的并購，對(duì)國(guó)內(nèi)用戶來說不是好消息，設(shè)備過分集中在大公司手中，會(huì)使我們采購設(shè)備價(jià)格的談判余地更小。”這是中國(guó)電子標(biāo)準(zhǔn)化研究所副總工程師、集成電路測(cè)試驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)室主任陳大為日前就IC測(cè)試設(shè)備大廠愛德萬有意兼并惠瑞捷一事發(fā)表的看法。由此看來，擺脫對(duì)國(guó)外測(cè)試設(shè)備的依賴，發(fā)展本土IC測(cè)試設(shè)備業(yè)，滿足國(guó)內(nèi)快速發(fā)展的集成電路產(chǎn)業(yè)需求迫在眉睫。 高端IC測(cè)試設(shè)備國(guó)際大廠絕對(duì)領(lǐng)先 測(cè)試業(yè)作為IC產(chǎn)業(yè)的重要一環(huán)，其生存和發(fā)展與IC產(chǎn)業(yè)息息相關(guān)。世界先進(jìn)
- 關(guān)鍵字： 惠瑞捷 IC測(cè)試
IC測(cè)試的創(chuàng)新
- EDA工具加速IC測(cè)試 隨著IC制程節(jié)點(diǎn)從90nm向65nm和45nm延伸，需要測(cè)試的數(shù)據(jù)量會(huì)激增，相應(yīng)地會(huì)帶來測(cè)試成本的提高(圖1)。例如，從90nm到65nm時(shí)，由于增加了門數(shù)，傳統(tǒng)的測(cè)試量急劇增加;同時(shí)，在速(at-speed)測(cè)試也成倍增加，這是由于時(shí)序和信號(hào)完整性的敏感需求;到了45nm時(shí)代，在前兩者的基礎(chǔ)上，又增加了探測(cè)新缺陷的測(cè)試。 為了提高測(cè)試效率，對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)的壓縮持續(xù)增長(zhǎng)。據(jù)ITRS(國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線圖)預(yù)測(cè)(圖2)，2010年的壓縮需求比2009年翻番。
- 關(guān)鍵字： EDA IC測(cè)試 65nm 45nm 201001
MEMS設(shè)備需求起 臺(tái)廠實(shí)力還需加強(qiáng)
- 微機(jī)電(MEMS)前景看好，設(shè)備商機(jī)更誘人，但由于MEMS產(chǎn)品高度客制化的特性，在測(cè)試設(shè)備上不若以往的IC制程，有一套標(biāo)準(zhǔn)化的流程，因此在開發(fā)MEMS設(shè)備時(shí)，不僅需有硬件的底子，更加強(qiáng)調(diào)所謂的軟實(shí)力，也就是軟件開發(fā)，這對(duì)臺(tái)系設(shè)備廠來說，恐怕將是一大挑戰(zhàn)。 臺(tái)系設(shè)備廠跨入MEMS領(lǐng)域者少之又少，在測(cè)試領(lǐng)域目前只有致茂切入，從致茂的發(fā)展歷程來看，由過去在電力電子領(lǐng)域建立基礎(chǔ)，其IC測(cè)試設(shè)備不同于同業(yè)使用通用模式設(shè)計(jì)，而是針對(duì)客戶客制化設(shè)計(jì)，與同業(yè)最不同的在于強(qiáng)調(diào)Turnkey Solution，提供
- 關(guān)鍵字： 微機(jī)電 MEMS IC測(cè)試
簡(jiǎn)易鋰電池保護(hù)IC測(cè)試電路的設(shè)計(jì)
- 由于鋰電池的體積密度、能量密度高，并有高達(dá)4.2V的單節(jié)電池電壓，因此在手機(jī)、PDA和數(shù)碼相機(jī)等便攜式電子產(chǎn)品中獲得了廣泛的應(yīng)用。為了確保使用的安全性，鋰電池在應(yīng)用中必須有相應(yīng)的電池管理電路來防止電池的過充電、過放電和過電流。鋰電池保護(hù)IC超小的封裝和很少的外部器件需求使它在單節(jié)鋰電池保護(hù)電路的設(shè)計(jì)中被廣泛采用。 然而，目前無論是正向（獨(dú)立開發(fā)）還是反向（模仿開發(fā)）設(shè)計(jì)的國(guó)產(chǎn)鋰電池保護(hù)IC由于技術(shù)、工藝的原因，實(shí)際參數(shù)通常都與標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)有較大差別，在正向設(shè)計(jì)的IC中尤為突出，因此，測(cè)試鋰電池保護(hù)IC的實(shí)際工
- 關(guān)鍵字： IC測(cè)試 鋰電池
ic測(cè)試介紹
IC測(cè)試
任何一塊集成電路都是為完成一定的電特性功能而設(shè)計(jì)的單片模塊，IC測(cè)試就是集成電路的測(cè)試，就是運(yùn)用各種方法，檢測(cè)那些在制造過程中由于物理缺陷而引起的不符合要求的樣品。如果存在無缺陷的產(chǎn)品的話，集成電路的測(cè)試也就不需要了。由于實(shí)際的制作過程所帶來的以及材料本身或多或少都有的缺陷，因而無論怎樣完美的產(chǎn)品都會(huì)產(chǎn)生不良的個(gè)體，因而測(cè)試也就成為集成電路制造中不可缺少的工程之一。
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