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GaN IC縮小電機(jī)驅(qū)動(dòng)器并加快eMobility、電動(dòng)工具、機(jī)器人和無人機(jī)的上市時(shí)間

EPC9176是一款基于氮化鎵器件的逆變器參考設(shè)計(jì)，增強(qiáng)了電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的性能、續(xù)航能力、精度和扭矩，同時(shí)簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。該逆變器尺寸極小，可集成到電機(jī)外殼中，從而實(shí)現(xiàn)最低的EMI、最高的功率密度和最輕盈。宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）宣布推出EPC9176。這是一款三相BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器，采用EPC23102 ePower? 功率級(jí)GaN IC，內(nèi)含柵極驅(qū)動(dòng)器功能和兩個(gè)具有5.2 mΩ典型導(dǎo)通電阻的GaN FET。EPC9176在20 V和80 V之間的輸入電源電壓下工作，可提供高達(dá)28 Apk(2
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西門子與聯(lián)華電子合作開發(fā)3D IC混合鍵合流程

西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日與半導(dǎo)體晶圓制造大廠聯(lián)華電子 (UMC) 合作，面向聯(lián)華電子的晶圓堆疊 (wafer-on-wafer) 和芯片晶圓堆疊 (chip-on-wafer) 技術(shù)，提供新的多芯片 3D IC?(三維集成電路)?規(guī)劃、裝配驗(yàn)證和寄生參數(shù)提取 (PEX)?工作流程。聯(lián)電將同時(shí)向全球客戶提供此項(xiàng)新流程。通過在單個(gè)封裝組件中提供硅片或小芯片?(chiplet)?彼此堆疊的技術(shù)，客戶可以在相同甚至更小的芯片面積上實(shí)現(xiàn)多個(gè)組件功能。相比于在 PCB
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西門子推出 Symphony Pro 平臺(tái)，大幅擴(kuò)展混合信號(hào) IC 驗(yàn)證能力

· 西門子先進(jìn)的混合信號(hào)仿真平臺(tái)可加速混合信號(hào)驗(yàn)證，助力提升生產(chǎn)效率多達(dá)10倍· Symphony Pro 支持 Accellera 和其他先進(jìn)的數(shù)字驗(yàn)證方法學(xué)，適用于當(dāng)今前沿的混合信號(hào)設(shè)計(jì) 西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日推出　Symphony? Pro 平臺(tái)，基于原有的　Symphony 混合信號(hào)驗(yàn)證能力，進(jìn)一步擴(kuò)展功能，以全面、直觀的可視化調(diào)試集成環(huán)境支持新的Accellera 標(biāo)準(zhǔn)化驗(yàn)證方法學(xué)，使得生產(chǎn)效率比傳統(tǒng)解決方案提升
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打造驅(qū)動(dòng)第三代功率半導(dǎo)體轉(zhuǎn)換器的IC生態(tài)系統(tǒng)

受訪人：亞德諾半導(dǎo)體　　大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器和5G電信基站、電動(dòng)汽車充電站、新能源等基礎(chǔ)設(shè)施的廣泛部署使得功耗快速增長(zhǎng)，因此高效AC/DC電源對(duì)于電信和數(shù)據(jù)通信基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展至關(guān)重要。近年來，以氮化鎵(GaN)和碳化硅（SiC）晶體管為代表的第三代功率器件已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開關(guān)，從而可提高能源轉(zhuǎn)換效率和密度。新型和未來的SiC/GaN功率開關(guān)將會(huì)給方方面面帶來巨大進(jìn)步，其巨大的優(yōu)勢(shì)——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實(shí)現(xiàn)更緊湊、更具成本效益的功率應(yīng)用。好馬
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TrendForce：預(yù)計(jì)第三季度驅(qū)動(dòng) IC 價(jià)格降幅將擴(kuò)大至 8%-10%

IT之家 7 月 15 日消息，TrendForce 集邦咨詢報(bào)告顯示，在供需失衡、庫存高漲的狀況下，預(yù)計(jì)第三季度驅(qū)動(dòng) IC 的價(jià)格降幅將擴(kuò)大至 8%-10% 不等，且不排除將一路跌至年底。IT之家了解到，TrendForce 集邦咨詢進(jìn)一步表示，中國面板驅(qū)動(dòng) IC 供貨商為了鞏固供貨動(dòng)能，更愿意配合面板廠的要求，價(jià)格降幅可達(dá)到 10%-15%。報(bào)告指出，在需求短期間難以好轉(zhuǎn)下，面板驅(qū)動(dòng) IC 價(jià)格不排除將持續(xù)下跌，且有極大可能會(huì)比預(yù)估的時(shí)間更早回到 2019 年的起漲點(diǎn)。此外，TrendFor
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無毛刺監(jiān)控器IC不再只是一個(gè)概念

可靠的電壓監(jiān)控器IC始終是工業(yè)界的行業(yè)需求，因?yàn)樗梢蕴岣呦到y(tǒng)可靠性，并在電壓瞬變和電源故障時(shí)提升系統(tǒng)性能。半導(dǎo)體制造商也在不斷提高電壓監(jiān)控器IC的性能。監(jiān)控器IC需要一個(gè)稱為上電復(fù)位（VPOR）的最低電壓來生成明確或可靠的復(fù)位信號(hào)，而在該最低電源電壓到來之前，復(fù)位信號(hào)的狀態(tài)是不確定的。一般來說，我們將其稱之為復(fù)位毛刺。復(fù)位引腳主要有兩種不同的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，即開漏和推挽（圖1），兩種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)都使用NMOS作為下拉MOSFET。圖1. 復(fù)位拓?fù)涞拈_漏配置和推挽配置圖2. 復(fù)位電壓如何與上拉電壓（VPULLUP）
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imec首度展示晶背供電邏輯IC布線方案推動(dòng)2D/3D IC升級(jí)

比利時(shí)微電子研究中心（imec）于本周舉行的2022年IEEE國際超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會(huì)（VLSI Symposium），首度展示從晶背供電的邏輯IC布線方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）結(jié)構(gòu)，將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌（buried power rail）上。微縮化的鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）透過這些埋入式電源軌（BPR）實(shí)現(xiàn)互連，性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過奈米硅穿孔（nTSV）與埋入式電源軌（BPR）連接至晶圓背面，與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對(duì)
關(guān)鍵字： imec 晶背供電邏輯IC 布線 3D IC

2021-2022年度（第五屆）中國 IC 獨(dú)角獸榜單出爐

集成電路是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心，是支撐經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展和保障國家安全的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)，是世界主要國家和地區(qū)搶占工業(yè)經(jīng)濟(jì)制高點(diǎn)的必爭(zhēng)領(lǐng)域。為了進(jìn)一步鼓勵(lì)我國具有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力和投資價(jià)值的集成電路企業(yè)健康快速發(fā)展，進(jìn)一步總結(jié)企業(yè)發(fā)展的成功模式，挖掘我國集成電路領(lǐng)域的優(yōu)秀創(chuàng)新企業(yè)，對(duì)優(yōu)秀企業(yè)進(jìn)行系統(tǒng)化估值，提升企業(yè)的國際和國內(nèi)影響力。在連續(xù)成功舉辦四屆遴選活動(dòng)的基礎(chǔ)上，由賽迪顧問股份有限公司、北京芯合匯科技有限公司聯(lián)合主辦的2021-2022（第五屆）中國IC獨(dú)角獸遴選活動(dòng)歷時(shí)兩個(gè)月，收到企業(yè)自薦及機(jī)構(gòu)推薦
關(guān)鍵字： IC 獨(dú)角獸

不畏亂流半導(dǎo)體市場(chǎng)逆風(fēng)揚(yáng)

隨著全球通膨疑慮升高及能源成本飆升，加上大陸因疫情實(shí)施封控，以及俄烏戰(zhàn)爭(zhēng)懸而未決，經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)對(duì)今年全球經(jīng)濟(jì)成長(zhǎng)將造成挑戰(zhàn)，但包括Gartner及IC Insights等市調(diào)機(jī)構(gòu)仍預(yù)估，今年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)仍會(huì)較去年成長(zhǎng)一成以上。IC Insights表示，今年全球半導(dǎo)體總銷售額仍可年增11％，與今年初預(yù)測(cè)相同，但外在變化造成的不確定性，導(dǎo)致芯片銷售成長(zhǎng)幅度或有消長(zhǎng)。其中，微處理器及功率分離式組件銷售將高于先前預(yù)期，包括嵌入式處理器及手機(jī)應(yīng)用處理器成長(zhǎng)強(qiáng)勁，功率組件價(jià)格續(xù)漲且成長(zhǎng)幅度增加，至于CMOS影像傳感器
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2022年傳感器和致動(dòng)器成長(zhǎng)15% 離散組件將回復(fù)正常水平

IC Insights日前發(fā)布報(bào)告指出，由于COVID-19造成的隔離和短缺因素，使得2021年全球光電組件產(chǎn)品、傳感器和致動(dòng)器，以及離散組件 (O-S-D)的銷售額，均出現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄的成長(zhǎng)。但CMOS影像傳感器卻因美中對(duì)抗和某些系統(tǒng)因素，沒有相對(duì)應(yīng)的結(jié)果。根據(jù)IC Insights一月半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)報(bào)告，2021年OSD總收入首次突破1000億美元，與2020年的883億美元相比，增加18%至1042億美元，當(dāng)時(shí)三個(gè)市場(chǎng)的總銷售額成長(zhǎng)不到3 %。報(bào)告顯示，OSD總銷售額占2021年全球6139億美元半導(dǎo)體市場(chǎng)
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IC PARK 年度盛事圓滿收官！業(yè)界翹楚云端論劍，引爆中國“芯”思潮

12月10日，第五屆“芯動(dòng)北京”中關(guān)村IC產(chǎn)業(yè)論壇、“華為杯”第四屆中國研究生創(chuàng)“芯”大賽決賽開幕式以線上云會(huì)議的方式召開。今年是“十四五”規(guī)劃開局之年，本次會(huì)議在北京市委書記蔡奇提出的“舉全市之力做大做強(qiáng)集成電路產(chǎn)業(yè)”指示精神的背景下，高度聚焦集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，邀請(qǐng)了來自國內(nèi)外“政產(chǎn)學(xué)研用”領(lǐng)域嘉賓齊聚一堂，圍繞創(chuàng)“芯”機(jī)、育“芯”才等主題進(jìn)行深入交流，探討當(dāng)前形勢(shì)下我國集成電路產(chǎn)業(yè)如何應(yīng)對(duì)挑戰(zhàn)，共繪集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展新藍(lán)圖。北京市委常委、副市長(zhǎng)殷勇，中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)設(shè)計(jì)分會(huì)理事長(zhǎng)魏少軍，創(chuàng)“芯”大賽
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新思科技PrimeSim可靠性分析解決方案加速任務(wù)關(guān)鍵型IC設(shè)計(jì)超收斂

經(jīng)晶圓廠認(rèn)證的全生命周期可靠性簽核有助于預(yù)防汽車、醫(yī)療和5G芯片設(shè)計(jì)中的過度設(shè)計(jì)和昂貴的后期ECO（工程變更指令）要點(diǎn)： ? 經(jīng)過驗(yàn)證的技術(shù)統(tǒng)一工作流程在整個(gè)產(chǎn)品生命周期內(nèi)提供符合ISO 26262等標(biāo)準(zhǔn)的高性能可靠性分析? 與PrimeSim? Continuum解決方案整合可無縫使用業(yè)界領(lǐng)先的仿真器進(jìn)行電遷移/IR壓降分析、MOS老化、高西格瑪Monte Carlo、模擬故障和其他可靠性分析? 與PrimeWave?設(shè)計(jì)環(huán)境整合
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多家IC設(shè)計(jì)廠商證實(shí)：收到臺(tái)積電漲價(jià)通知

　　原標(biāo)題：多家IC設(shè)計(jì)廠商證實(shí)：收到臺(tái)積電漲價(jià)通知強(qiáng)調(diào)不影響合作關(guān)系　　8月25日，市場(chǎng)幾度傳出臺(tái)積電即將全線漲價(jià)，從最初的明年成熟制程上漲15%至20%、先進(jìn)制程漲幅達(dá)10%，到全面漲價(jià)20%，并從即日起生效。　　對(duì)此，據(jù)中央社報(bào)道，多家IC設(shè)計(jì)廠商證實(shí)收到臺(tái)積電漲價(jià)通知，并表示不會(huì)因而影響與臺(tái)積電的合作關(guān)系?！　C設(shè)計(jì)業(yè)者指出，臺(tái)積電包含7納米及5納米的先進(jìn)制程漲價(jià)約7%至9%，其余成熟制程代工價(jià)格漲幅約20%。　　此外，臺(tái)積電罕見未給客戶緩沖期，今天通知漲價(jià)隨即于今天生效，供應(yīng)鏈也緊急尋求因應(yīng)
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媒體稱明年晶圓代工價(jià)漲定了，臺(tái)積電：不評(píng)論

　　財(cái)聯(lián)社6月24日訊，據(jù)媒體報(bào)道，IC設(shè)計(jì)業(yè)者透露，明年初晶圓代工價(jià)格已經(jīng)敲定，不僅聯(lián)電8英寸和12英寸的晶圓代工價(jià)格續(xù)漲，晶圓代工龍頭臺(tái)積電也漲價(jià)，部分8英寸和12英寸制程價(jià)格上漲一到兩成，且12英寸制程漲幅高于8英寸。臺(tái)積電發(fā)言窗口表示，不評(píng)論價(jià)格問題。
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Microchip抗輻射MOSFET獲得商業(yè)和軍用衛(wèi)星及航空電源解決方案認(rèn)證

空間應(yīng)用電源需要在抗輻射技術(shù)環(huán)境中運(yùn)行，防止極端粒子相互作用及太陽和電磁事件的影響，因?yàn)檫@類事件會(huì)降低空間系統(tǒng)的性能并干擾運(yùn)行。為滿足這一要求，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）近日宣布其M6 MRH25N12U3抗輻射型250V、0.21歐姆Rds（on）金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）獲得了商業(yè)航天和國防空間應(yīng)用認(rèn)證。Microchip耐輻射M6 MRH25N12U3 MOSFET為電源轉(zhuǎn)換電路提供了主要的開關(guān)元件，包括負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電
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