- IGBT產品集合了高頻、高壓、大電流三大技術優(yōu)勢,是電力電子技術第三次革命最具代表性的產品,中國市場的諸多因素將推進IGBT應用的發(fā)展,在電力領域、消費電子、汽車電子、新能源等傳統(tǒng)和新興領域,市場前景廣闊。
- 關鍵字:
半導體 IGBT
- IGBT
是功率器件技術演變的最新產品,是未來功率器件的主流發(fā)展方向。IGBT器件(絕緣柵雙極型晶體管)是一種MOSFET與雙極晶體管復合器件。既有功率MOSFET易于驅動、控制簡單、開關頻率高的優(yōu)點。又有功率晶體管的導通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點?;诩夹g和功能上的優(yōu)勢,IGBT產品可以實現(xiàn)對以往功率器件產品的逐步替代。IGBT產品集合了高頻、高壓、大電流三大技術優(yōu)勢。IGBT能夠實現(xiàn)節(jié)能減排,具有很好的環(huán)境保護效益。IGBT被公認為是電力電子技術第三次革命最具代表性的產品,是未來應
- 關鍵字:
半導體 IGBT
- IGBT是功率器件技術演變的最新產品,是未來功率器件的主流發(fā)展方向。IGBT器件(絕緣柵雙極型晶體管)是一種MOSFET與雙極晶體管復合器件。既有功率MOSFET易于驅動、控制簡單、開關頻率高的優(yōu)點。又有功率晶體管的導通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點?;诩夹g和功能上的優(yōu)勢,IGBT產品可以實現(xiàn)對以往功率器件產品的逐步替代。IGBT產品集合了高頻、高壓、大電流三大技術優(yōu)勢。IGBT能夠實現(xiàn)節(jié)能減排,具有很好的環(huán)境保護效益。IGBT被公認為是電力電子技術第三次革命最具代表性的產品,是未來應用發(fā)展的必然
- 關鍵字:
功率器件 IGBT
- 全球領先的智能互聯(lián)系統(tǒng)嵌入式軟件提供商風河®公司近日宣布,針對其業(yè)界領先的最新版VxWorks® 實時操作系統(tǒng)(RTOS, Real-time Operating System)推出面向各個行業(yè)的行業(yè)Profile。這些Profile針對VxWorks 7擴充了一系列非常有價值的功能,幫助客戶滿足不斷演變的市場和技術要求,從而抓住物聯(lián)網所帶來的新的市場發(fā)展機遇。
特定行業(yè)Profile包括與安全性、可靠性、互聯(lián)性、可管理性、用戶接口以及圖形相關的功能和改善。目前已經推出的Prof
- 關鍵字:
風河 VxWorks 7 物聯(lián)網
- 意法半導體最新的1200V絕緣柵雙極晶體管(IGBT,Insulated-Gate Bipolar Transistors)借助第二代溝柵式場截止型高速技術提升太陽能逆變器、電焊機、不間斷電源和功率因數校正(PFC, Power-Factor Correction)轉換器等應用的能效和耐用性。
意法半導體的新H系列1200V IGBT將關斷損耗和導通損耗降低多達15%。飽和電壓(Vce(sat))減低至2.1V (在標準集極電流和100°C下的典型值),這能確??傮w損耗降至最低,在20k
- 關鍵字:
意法半導體 IGBT H系列
- IGBT作為一種大功率的復合器件,存在著過流時可能發(fā)生鎖定現(xiàn)象而造成損壞的問題。在過流時如采用一般的速度封鎖柵極電壓,過高的電流變化率會引起過電壓,為此需要采用軟關斷技術,因而掌握好IGBT的驅動和保護特性是十分必要的。
IGBT是電壓控制型器件,在它的柵極-發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓,只有μA級的漏電流流過,基本上不消耗功率。但IGBT的柵極-發(fā)射極間存在著較大的寄生電容(幾千至上萬pF),在驅動脈沖電壓的上升及下降沿需要提供數A的充放電電流,才能滿足開通和關斷的動態(tài)要求,這使得它的驅
- 關鍵字:
LED 驅動 IGBT
- 6月20日上午,被業(yè)界認為現(xiàn)代變流工業(yè)“皇冠上的明珠”的關鍵 技術在中國南車取得產業(yè)化突破:公司投資近15億元的IGBT產業(yè)化基地建成并即將投產。這是國內首條、世界第二條8英寸IGBT專業(yè)芯片生產線,首期將實現(xiàn)年產12萬片8英寸IGBT芯片,配套生產100萬只IGBT模塊,真正實現(xiàn)IGBT的國產化。它的投產,將打破國外公司在高端IGBT芯片技術上的壟斷。
國家多部委關注IGBT研發(fā)
IGBT,是一種實現(xiàn)電能轉換和 控制的電力電子器件,中文名叫絕緣柵雙極型晶體管。自從
- 關鍵字:
IGBT 芯片
- 我國南車株洲所8英寸IGBT專業(yè)芯片生產線建成,真正實現(xiàn)國產化,打破了國外公司在高端IGBT芯片技術上的壟斷......
- 關鍵字:
IGBT 芯片
- 我國首條8英寸絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)專業(yè)芯片線,6月20日在中國南車株洲電力機車研究所有限公司建成,打破了國外在高端IGBT芯片技術上的壟斷,對保障國民經濟安全和推動節(jié)能減排具有重大戰(zhàn)略意義。
與微電子技術中芯片技術一樣,IGBT芯片技術是電力電子行業(yè)中的“心臟”和“大腦”,控制并提供大功率的電力設備電能變換,有效提升設備的能源利用效率、自動化和智能化水平,主要應用于船舶、高壓電網、軌道交通等大功率電力驅動設備中。
IGBT芯
- 關鍵字:
IGBT 電力電子
- (飛馳于大江南北的和諧號機樣同樣需要IGBT核心器件。)
(一個8英寸IGBT芯片的“誕生”,至少需要2個月以上、歷經200多道工藝、由數6萬個“細胞”完成。)
(中國南車株洲所功率半導體器件生產區(qū)域。)
(“中國智造”的南車株洲所辦公樓。)
紅網長沙6月11日訊(記者喻向陽)6月下旬,一個長期被發(fā)達國家玩轉的“魔方”——8英寸IGBT芯片將在
- 關鍵字:
IGBT 芯片
- iAUDIO,一代代經典的產品為我們詮釋著MP3音質的巔峰,而直接以iAUDIO命名的i系列機型從i4開始,則更代表著愛歐迪MP3系列中的旗艦!終于,新一代i系列產品iAUDIO 7盛大臨世,我們也在第一時間為您帶來愛歐迪 7的獨家拆機評測。
iAUDIO 7很好拆卸,只要把四角上的螺絲擰下就可以將機身上下蓋開啟,再卸下主電路板上的3顆小螺釘即取下主電路版
?
?
機器上蓋和螺絲。右側的電路板即是延承自I6的 “Swing Touch” 操控系統(tǒng),通
- 關鍵字:
iAUDIO 7
- 據Yole Developpement市場調查公司2013年報告,2014年IGBT市場總值將達到43億美元,比2013年的39億美元多出40億美元。而從2011~2018年走勢可見,主要驅動力是電動汽車/混合動力(EV/HEV)汽車(如圖1)。同時,鐵路牽引、可再生能源發(fā)電等需要越來越高的可靠性。 可靠性成為功率電力電子器件的關鍵指標。
IGBT等大功率的電力電子器件通常需要大電流,例如地鐵需要8A,新能源汽車需要600A,風能需要1500A及以上。同時電力電子器件的可靠性非常關鍵,例如機
- 關鍵字:
IGBT Mentor EV/HEV 201406
- 東芝公司(TOKYO:6502)旗下半導體&存儲產品公司(Semiconductor & Storage Products Company)于2014年5月20日宣布其門驅動光電耦合器陣容增添新成員,用于驅動中等功率絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。這款新的4A輸出智能門驅動光電耦合器“TLP5214”采用纖薄的SO16L封裝,并具有保護功能,可防止IGBT產生過流狀況。這一新產品將于5月底開始量產出貨。
&l
- 關鍵字:
東芝 TLP5214 SO16L IGBT
- FEKO Suite 7.0在其原有算法基礎上,新增時域有限差分(FDTD)求解器,同時增加了多層快速多極子(MLFMM)與物理光學(PO)的混合算法。此外,支持了三類新的導入文件格式?! r域有限差分(FDTD)求解器 時域有限差分(FDTD)求解器的加入,標志著FEKO在算法的完整性和解決各類問題的有效性方面進入一個新的里程碑。新增的FDTD求解器易于激活和使用,并可與其它求解器便捷切換。 盡管該算法設定在時域,但通過傅立葉變化可以計算寬帶頻域數據。它采用一階數值微分可達到二階的精度。這種算法
- 關鍵字:
FEKO FDTD Suite 7.0
igbt 7介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條igbt 7!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對igbt 7的理解,并與今后在此搜索igbt 7的朋友們分享。
創(chuàng)建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網安備11010802012473