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          一顆IGBT如何撬動電動汽車逆變器?

          • 電動汽車逆變器用于控制汽車主電機(jī)為汽車運(yùn)行提供動力,IGBT功率模塊是電動汽車逆變器的核心功率器件,其驅(qū)動電路是發(fā)揮IGBT性能的關(guān)鍵電路。驅(qū)動電路
          • 關(guān)鍵字: IGBT  逆變器  電動汽車  

          IGBT的特點、應(yīng)用及未來的研究方向

          •   近年來,IGBT被廣泛關(guān)注,隨著技術(shù)的發(fā)展,其應(yīng)用前景被廣泛看好,作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)IGBT,在很多領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。   什么是IGBT?   IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓
          • 關(guān)鍵字: IGBT  

          IGBT掃盲文,IGBT基礎(chǔ)與運(yùn)用知識學(xué)習(xí)

          •   IGBT基礎(chǔ)與運(yùn)用  IGBT, 中文名字為絕緣柵雙極型晶體管,它是由MOSFET(輸入級)和PNP晶體管(輸出級)復(fù)合而成的一種器件,既有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快 的特點(控制和響應(yīng)),又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(功率級較為耐用),頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于幾十kHz 頻率范圍內(nèi)?! ±硐氲刃щ娐放c實際等效電路如圖所示:  IGBT 的靜態(tài)特性一般用不到,暫時不用考慮,重點考慮動態(tài)特性(開關(guān)特性)?! 討B(tài)特性的簡易過程可從下面的表格和圖形中獲取
          • 關(guān)鍵字: IGBT,MOSFET  

          五大領(lǐng)域齊發(fā)力 三菱電機(jī)創(chuàng)新產(chǎn)品持續(xù)搶占市場新高地

          •   隨著功率半導(dǎo)體的不斷發(fā)展和技術(shù)進(jìn)步,功率器件下游產(chǎn)業(yè)的穩(wěn)步擴(kuò)張,未來在政策資金支持以及國內(nèi)新能源汽車的蓬勃發(fā)展下,國內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將迎來黃金發(fā)展期?! ?月26日,PCIM 亞洲 2018展會在上海世博展覽館隆重舉行。作為全球500強(qiáng)企業(yè),同時也是現(xiàn)代功率半導(dǎo)體器件的開拓者,大中國區(qū)三菱電機(jī)半導(dǎo)體攜多款功率器件產(chǎn)品及相關(guān)解決方案亮相,同時發(fā)布了更高集成度、更小體積、更能降低生產(chǎn)成本,并擁有全面保護(hù)功能的表面貼裝型IPM,以及助力新能源發(fā)電應(yīng)用新封裝大功率IGBT模塊兩款最新產(chǎn)品?! ?圖一:2018
          • 關(guān)鍵字: 三菱電機(jī)  IGBT  

          發(fā)力新能源汽車市場 華虹宏力榮膺功率半導(dǎo)體十佳企業(yè)

          •   《“十三五”國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》明確表示國家將大力發(fā)展新能源汽車,而IGBT、碳化硅器件等作為新能源汽車的核心器件,國產(chǎn)化替代需求巨大。6月22日,“2018國際新能源汽車功率半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)論壇”在北京舉行,旨在把行業(yè)最優(yōu)的核心器件推廣至新能源汽車應(yīng)用。作為全球第一家提供溝槽型場截止型(Trench FS, Field Stop)IGBT量產(chǎn)技術(shù)的8英寸代工廠,華虹宏力在IGBT代工領(lǐng)域有口皆碑,始終以深厚的技術(shù)底蘊(yùn)和卓越的性能品質(zhì)深受客戶認(rèn)可,會上被授予“新能源汽車功率半導(dǎo)體十佳企業(yè)”?! ?/li>
          • 關(guān)鍵字: 華虹宏力  IGBT  

          英飛凌將在 PCIM Asia 2018 展示面向整個電能供應(yīng)鏈的前沿技術(shù)和解決方案

          •   英飛凌科技(中國)有限公司(以下簡稱英飛凌)將于6月26 - 28日參加在上海世博展覽館舉辦的 PCIM Asia上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會。英飛凌將在2號館的F 01展臺,展示涵蓋整個電能供應(yīng)鏈的領(lǐng)先產(chǎn)品和全套系統(tǒng)及應(yīng)用解決方案。此外,英飛凌的技術(shù)專家還將就產(chǎn)品和應(yīng)用發(fā)表多篇論文,并在同期的國際研討會上進(jìn)行交流?! 那把氐墓杌?MOSFET 和 IGBT 到數(shù)字化功率創(chuàng)新,以及最新的碳化硅和氮化鎵技術(shù),英飛凌芯片對于提高發(fā)電、輸電和用電效率起著至關(guān)重要的作用。此次,英飛凌將圍繞“賦能世
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  IGBT   

          超軟IGBT續(xù)流二極管具備行業(yè)領(lǐng)先的低損耗特性

          •   英飛凌科技Bipolar GmbH & Co. KG推出專為現(xiàn)代IGBT應(yīng)用而設(shè)計的新型二極管系列:英飛凌Prime Soft。該二極管具備改進(jìn)的關(guān)斷能力,關(guān)斷速度可達(dá)5 kA/μs。Prime Soft以廣受好評的基于單硅芯片設(shè)計的IGCT續(xù)流二極管系列為基礎(chǔ)。該二極管的典型應(yīng)用為使用電壓源變換器的HVDC/FACT和中壓驅(qū)動設(shè)備,這些應(yīng)用的特點是對功率損耗的要求很高?! 〔捎眯滦蚉rime Soft二極管的客戶將受益于行業(yè)領(lǐng)先的低導(dǎo)通損耗。這是通過單硅芯片設(shè)計實現(xiàn)的,與多芯片二極管相比,其
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌,IGBT  

          創(chuàng)新和更迭 揭秘三菱電機(jī)半導(dǎo)體新品

          •   自上世紀(jì)八十年代后期推出IGBT模塊后,三菱電機(jī)至今已成功將第七代IGBT模塊推向市場。在持續(xù)性和創(chuàng)造性的研發(fā)下,三菱電機(jī)在變頻家電、工業(yè)新能源、電動汽車、軌道牽引四大領(lǐng)域不斷深耕,致力于提供低損耗、高性能和高可靠性的產(chǎn)品?! ∫荒暌欢鹊腜CIM亞洲展今年將于6月26-28日在上海世博展覽館舉辦,屆時,三菱電機(jī)將攜19款功率模塊將集體亮相,而其中有7款新型功率模塊備受期待。(三菱電機(jī)展位號:D09)  在變頻家電領(lǐng)域,三菱電機(jī)成功發(fā)布面向變頻冰箱和風(fēng)機(jī)驅(qū)動的SLIMDIP-S以及面向變頻空調(diào)和洗衣機(jī)的
          • 關(guān)鍵字: 三菱電機(jī)  IGBT  

          在低功率壓縮機(jī)驅(qū)動電路內(nèi),意法半導(dǎo)體最新超結(jié)MOSFET與IGBT技術(shù)能效比較

          •   摘要  電機(jī)驅(qū)動市場特別是家電市場對系統(tǒng)的能效、尺寸和穩(wěn)健性的要求越來越高?! 闈M足市場需求,意法半導(dǎo)體針對不同的工況提供多種功率開關(guān)技術(shù),例如, IGBT和最新的超結(jié)功率MOSFET?! ”疚脑趯嶋H工況下的一個低功耗電機(jī)驅(qū)動電路(例如,小功率冰箱壓縮機(jī))內(nèi)測試了基于這兩種功率技術(shù)的SLLIMM?-nano(小型低損耗智能模壓模塊),從電熱性能兩個方面對這兩項技術(shù)進(jìn)行了詳細(xì)的分析和比較?! ?前言  家電廠商不斷地尋求更高的產(chǎn)品能效,以符合日益趨嚴(yán)的能效法規(guī),達(dá)到降低能耗和節(jié)省電費(fèi)的目的。更具體地講
          • 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體  IGBT  

          汽車芯片完全自主化難實現(xiàn),從周邊蠶食是突破口

          • 目前全球三分之一的汽車在中國制造,但令人尷尬的現(xiàn)狀是,整車中幾乎所有的芯片都要依賴進(jìn)口。從自主、可控、安全角度來看,汽車主控國產(chǎn)化同樣緊迫。
          • 關(guān)鍵字: 芯片  IGBT  

          650V IGBT采用表面貼裝D2PAK封裝實現(xiàn)最大功率密度

          •   英飛凌科技股份公司進(jìn)一步壯大其薄晶圓技術(shù)TRENCHSTOP?5 IGBT產(chǎn)品陣容。新的產(chǎn)品家族可提供最高40 A 650V IGBT,它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3(亦稱D2PAK)封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設(shè)備對功率密度日益增長的需求,適于使用自動化表面貼裝生產(chǎn)線。要求最大功率密度和能效的典型應(yīng)用包括太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)、電池充電和蓄電等?! ∮w凌的超薄TRENCHSTOP 5技術(shù)可以縮小芯片尺寸、提高
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  IGBT  

          這一廣泛使用的器件中國技術(shù)不差,差距在于產(chǎn)業(yè)化

          •   特朗普政府發(fā)起的貿(mào)易戰(zhàn)雖然收場,但這幾個月,人們開始尋找中國可能被卡脖子的短板,中國大量進(jìn)口的IGBT也被挖了出來。有媒體就認(rèn)為,由于中國IGBT需要大量進(jìn)口,而這個產(chǎn)業(yè)又被西方國家把持,對于中國正在大力發(fā)展的高鐵和新能源汽車來說是一個潛在的威脅。不過,在IGBT技術(shù)上,中國其實并不差,大量依賴進(jìn)口,并非技術(shù)水平不行?! ≡斐纱罅窟M(jìn)口國外產(chǎn)品的局面,只是因為商業(yè)上和其他一些原因?! GBT市場基本被外商壟斷  IGBT英文全稱是Insulated Gate Bipolar Transistor,也就
          • 關(guān)鍵字: IGBT  DRAM  

          青銅劍科技獲得中車時代投資的戰(zhàn)略投資

          •   2018年5月17日,中國中車旗下中車時代投資與青銅劍科技在湖南株洲簽署了戰(zhàn)略投資協(xié)議?! ≈熊嚂r代投資董事長王鵬博士、副總經(jīng)理潘藝、投資管理部部長陽燦與青銅劍科技董事長汪之涵博士、研發(fā)總監(jiān)黃輝、營銷總監(jiān)陳恒星出席了簽約儀式?! 『霌P(yáng)中國制造,鑄就民族品牌,堅持自主創(chuàng)新是中國中車和青銅劍科技的共同話題和重要紐帶。此次戰(zhàn)略投資的達(dá)成,表明了中國中車對青銅劍科技在電力電子核心芯片與器件領(lǐng)域創(chuàng)新能力的認(rèn)可?! ≈袊熊囀侨蛞?guī)模領(lǐng)先、品種齊全、技術(shù)一流的軌道交通裝備供應(yīng)商,具有強(qiáng)大的技術(shù)研發(fā)能力和科技創(chuàng)新能
          • 關(guān)鍵字: 青銅劍科技   軌道交通   IGBT   電力電子  新能源汽車   

          高效能IGBT為高功率應(yīng)用加把勁

          •   IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor)是電源應(yīng)用中相當(dāng)常見的器件,可用于交流電的電機(jī)控制輸出。由安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)所推出的TO247-4L IGBT將可為相關(guān)應(yīng)用提供更高的效能與更佳的成本效益,究竟它是如何辦到的?讓我們來進(jìn)一步深入了解?! ⊥ㄟ^TO-247-4L IGBT封裝減少Eon損耗  IGBT是主要用作電子開關(guān)的三端子功率半導(dǎo)體器件,正如其開發(fā)的目的,結(jié)合了高效率和快速的開
          • 關(guān)鍵字: 安森美  IGBT  

          Power Integrations可提供已涂覆三防漆的SCALE門極驅(qū)動器

          •   中高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations今日宣布可為其SCALE? IGBT和MOSFET驅(qū)動器出廠提供涂覆三防漆服務(wù)。三防漆可防止電子元器件遭受污染物、灰塵和冷凝液等的腐蝕,從而提高系統(tǒng)可靠性。Power Integrations的門極驅(qū)動器出廠涂覆三防漆,生產(chǎn)廠商無需將板子發(fā)送至分包商進(jìn)行清洗噴漆,可縮減庫存成本、縮短交付周期和降低總體擁有成本?! ower Integrations所使用的是高級丙烯
          • 關(guān)鍵字: Power Integrations  IGBT  
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          igbt fs7介紹

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