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電源管理半導(dǎo)體市場(chǎng)今年預(yù)計(jì)萎縮

　　據(jù)IHS iSuppli公司的電源管理市場(chǎng)追蹤報(bào)告，今年全球電源管理半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)大幅萎縮6%，主要?dú)w因于全球消費(fèi)市場(chǎng)明顯疲軟。電源管理半導(dǎo)體對(duì)于各類設(shè)備節(jié)省能源至關(guān)重要。　　2012年電源管理芯片營(yíng)業(yè)收入預(yù)計(jì)從去年的318億美元降至299億美元。相比之下，去年該產(chǎn)業(yè)在2010年314億美元的基礎(chǔ)上小幅增長(zhǎng)1.5%。　　明年該市場(chǎng)將恢復(fù)增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)上升7.6%至322億美元，略高于去年的水平。對(duì)于電源管理半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來說，7.6%的增幅相當(dāng)一般。繼明年之后接下來的三年，市場(chǎng)將保持溫和增長(zhǎng)，2016
關(guān)鍵字： IHS 電源管理半導(dǎo)體 IGBT

國(guó)內(nèi)外大多數(shù)光伏發(fā)電系統(tǒng)是采用功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET構(gòu)成的逆變電路。然而隨著電壓的升高，MOSFET的通態(tài)電阻也 ...
關(guān)鍵字： IGBT 光伏發(fā)電逆變電路

斬波是電力電子控制中的一項(xiàng)變流技術(shù)，其實(shí)質(zhì)是直流控制的脈寬調(diào)制，因其波形如同斬切般整齊、對(duì)稱，故名斬波。斬波在內(nèi)饋調(diào)速控制中占有極為重要的地位，它不僅關(guān)系到調(diào)速的技術(shù)性能，而且直接影響設(shè)備的運(yùn)行安全和
關(guān)鍵字： IGBT 大功率斬波

應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)擴(kuò)充NGBTxx系列1,200伏(V)溝槽型場(chǎng)截止(FS) 絕緣門雙極晶體管(IGBT)器件，推出9款新的高能效方案。
關(guān)鍵字：安森美 IGBT

中心論題：由于汽車環(huán)境的復(fù)雜多變，EV和HEV中的IGBT模塊要經(jīng)受嚴(yán)峻的熱和機(jī)械條件(振動(dòng)和沖擊)的考驗(yàn)在功率循環(huán)、熱循環(huán)、機(jī)械振動(dòng)或機(jī)械沖擊試驗(yàn)中IGBT模塊會(huì)出現(xiàn)的一些典型的故障模式廠商推出用于HEV的高可靠性IG
關(guān)鍵字： IGBT 汽車應(yīng)用功率模塊

中心論題：IGBT是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力電子器件。驅(qū)動(dòng)電路M57962L簡(jiǎn)介。M57962L的工作原理。解決方案：一個(gè)2.5V～5.0V的閥值電壓使IGBT對(duì)柵極電荷集聚很敏感。檢測(cè)管壓降VCE的大小可識(shí)別IGBT是否過流。封閉性
關(guān)鍵字： M57962L IGBT 驅(qū)動(dòng)電路

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出IRGR4045DPbF和IRGS4045DPbF，以此拓展絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 系列。全新600V超高速溝道IGBT能夠?yàn)橄匆聶C(jī)和冰箱等家電與輕工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用提升性能及效率。
關(guān)鍵字： IR 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 IGBT

致力于能源、安全、可靠性與高性能領(lǐng)域，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC)宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT)系列的三款I(lǐng)GBT新產(chǎn)品面世：APT85GR120B2、APT85GR120L和APT85GR120J。
關(guān)鍵字：美高森美 IGBT

全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)已經(jīng)擴(kuò)充其短路額定IGBT產(chǎn)品組合，為電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)者提供更高的效率、功率密度和可靠性，以便支持低損耗和短路耐用性至關(guān)重要的三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。
關(guān)鍵字：飛兆 IGBT 電機(jī)驅(qū)動(dòng)

1 概述高爐冶煉中產(chǎn)生大量的熔渣，通常是用大流量的中壓水將其降溫并沖散，同時(shí)輸送到水渣池回收，作為煉鐵的副產(chǎn)品.高爐生產(chǎn)是不間斷的，一般情況下每天出鐵15次，出鐵前、后各放一次渣，兩次出渣時(shí)間共約30 min.在
關(guān)鍵字：系統(tǒng) 應(yīng)用水沖渣高爐高壓變頻器 IGBT

第三季度的營(yíng)收額為9.9億歐元，與上個(gè)季度大體持平;營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為1.26億歐元(利潤(rùn)率為12.7%); 2012年第四季度業(yè)績(jī)展望確認(rèn)：營(yíng)收額穩(wěn)中有降;營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率大約為12%; 2013財(cái)年的計(jì)劃投資額大大低于2012財(cái)年
關(guān)鍵字：英飛凌汽車電子 IGBT

電源轉(zhuǎn)換電路經(jīng)常被應(yīng)用在馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器或可再生能源的功率轉(zhuǎn)換上，設(shè)計(jì)中包括可以將直流電壓轉(zhuǎn)換為交流電壓的電源轉(zhuǎn)換器，以便用來推動(dòng)馬達(dá)或連接到可再生能源系統(tǒng)的電網(wǎng)(圖1)。
圖1，交流-直流-交流轉(zhuǎn)換器功能框圖。
關(guān)鍵字： IGBT 保護(hù) 馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器可再生能源

標(biāo)簽：功率器件 IGBT功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保護(hù)，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效應(yīng)，過載，短路等條件所造成的損害。本在線研討會(huì)介紹了為何光耦柵極驅(qū)動(dòng)
關(guān)鍵字：需要一些技巧設(shè)計(jì)所器件驅(qū)動(dòng) IGBT 功率隔離

技術(shù)特點(diǎn)：逆向?qū)ㄐ虸GBT將二極管和IGBT集成在同一個(gè)晶片里節(jié)省空間，價(jià)格低175度的結(jié)溫，EMI效果良好應(yīng)用領(lǐng)域：洗衣機(jī)、洗碗器、吸塵器、空調(diào)、冰箱的壓縮機(jī)、伺服驅(qū)動(dòng)、風(fēng)扇由于現(xiàn)在經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展，能源的消耗也
關(guān)鍵字： IGBT 二極管帶來架構(gòu)

標(biāo)簽：IGBT 電源0 引言IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低
關(guān)鍵字：保護(hù) 電路設(shè)計(jì) 驅(qū)動(dòng) IGBT 300A 1700V