igbt fs7 文章 進(jìn)入igbt fs7技術(shù)社區(qū)
英飛凌攜手三菱電機(jī)服務(wù)全球功率電子行業(yè)
- 英飛凌科技股份公司與三菱電機(jī)公司同意簽署一份服務(wù)協(xié)議，針對全球工業(yè)運(yùn)動控制與驅(qū)動市場，提供采用SmartPACK和SmartPIM封裝的先進(jìn)的IGBT模塊。利用英飛凌新近開發(fā)的這種革命性封裝概念，兩大領(lǐng)導(dǎo)廠商將會采用最新功率芯片推出新一代模塊產(chǎn)品。 根據(jù)協(xié)議規(guī)定，三菱電機(jī)將新一代功率芯片，應(yīng)用與英飛凌Smart1、Smart2和Smart3封裝中，推出的具備不同額定電流和電壓(電流范圍：15A 至150A，電壓等級：600V和1200V)的產(chǎn)品。作為SmartPACK/PIM全新模塊概念的創(chuàng)造者
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 IGBT SmartPACK SmartPIM
汽車級IGBT在混合動力車中的應(yīng)用
- 混合動力車電力驅(qū)動的關(guān)鍵組件是電機(jī)和電機(jī)驅(qū)動器，IGBT作為電機(jī)驅(qū)動器的核心，它的可靠性關(guān)系著混合動力車輛的安全運(yùn)行，本文主要針對IGBT模塊應(yīng)用于汽車領(lǐng)域，所涉及的可靠性相關(guān)問題進(jìn)行了探討，提出了汽車級IGBT概念，并詳細(xì)說明了英飛凌汽車級IGBT針對汽車應(yīng)用做出的改進(jìn)。
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 IGBT 可靠性 功率循環(huán) 溫度循環(huán) 201003
RS推出1200種三洋半導(dǎo)體產(chǎn)品
- 國際著名電子、電機(jī)和工業(yè)產(chǎn)品分銷商RS Components于今日宣布，通過其在線目錄RS Online(RS在線：http://www.rs-components.com)渠道推出三洋(SANYO)半導(dǎo)體公司的1200類半導(dǎo)體產(chǎn)品。 此次推出的產(chǎn)品中，除了有采用三洋半導(dǎo)體獨(dú)自技術(shù)達(dá)成的用于電源電池管理的MOSFET系列(具有業(yè)界最高水準(zhǔn)的低導(dǎo)通電阻特性, 并實(shí)現(xiàn)了小型薄型大功率), 低壓驅(qū)動閃光用IGBT產(chǎn)品以外，還包括低飽和電壓,射頻用各種雙極晶體管產(chǎn)品。 通過驅(qū)使獨(dú)自的核心技術(shù), 三洋在多
- 關(guān)鍵字： RS MOSFET IGBT
RS添加超過900種飛兆半導(dǎo)體裝置
- RS Components于今日宣布，增加飛兆半導(dǎo)體900種新裝置，飛兆是全球領(lǐng)先節(jié)能半導(dǎo)體技術(shù)供應(yīng)商。RS目前擁有最先進(jìn)、最全面的飛兆電源產(chǎn)品系列，均可從庫存直接發(fā)貨至廣大設(shè)計(jì)工程師。 新添加的電源IC家族包括飛兆獲得大獎的直流直流控制器，融合了領(lǐng)先行業(yè)的便攜式裝置高功率、高性能、功率密度和規(guī)格等特點(diǎn)。RS推出的飛兆系列也包括Intellimax™負(fù)荷開關(guān)和MOSFET、高性能光耦合器、二極管、IGBT、邏輯及接口產(chǎn)品。 飛兆的FAN2XXX和FAN5XXX直流直流控制器家族
- 關(guān)鍵字： RS 電源 IGBT MOSFET Intellimax
英飛凌推出適用于節(jié)能家電的創(chuàng)新功率轉(zhuǎn)換器件
- 英飛凌科技股份公司近日推出適用于節(jié)能家用電器電機(jī)驅(qū)動裝置的功率轉(zhuǎn)換器件系列。全新的600V RC IGBT驅(qū)動系列(RC指逆向?qū)?，可使變頻電機(jī)設(shè)計(jì)更加經(jīng)濟(jì)高效，從而確保采用多個(gè)電機(jī)的家電實(shí)現(xiàn)高達(dá)30%的節(jié)能。 洗衣機(jī)、冰箱、空調(diào)和洗碗機(jī)等家電使用的變頻電機(jī)驅(qū)動裝置，采用電子控制裝置和一個(gè)開關(guān)電源，以便在不同使用條件下，達(dá)到最佳能效。RC IGBT(絕緣柵雙極晶體管)驅(qū)動系列將英飛凌行業(yè)領(lǐng)先的TRENCHSTOP™ IGBT技術(shù)和續(xù)流二極管集成在單晶粒上，確保器件相對于競爭性解決方
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 功率轉(zhuǎn)換器 IGBT TRENCHSTOP
英飛凌和飛兆半導(dǎo)體達(dá)成侵權(quán)訴訟和解協(xié)議
- 英飛凌科技股份公司今天宣布，公司與飛兆半導(dǎo)體公司之間的專利侵權(quán)訴訟已達(dá)成和解。2008年11月，英飛凌向美國特拉華州地方法院提起訴訟。本訴和反訴標(biāo)的包括與超結(jié)功率晶體管以及溝槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶體管有關(guān)的14項(xiàng)專利。 通過廣泛的半導(dǎo)體技術(shù)專利交叉許可，雙方就上述訴訟達(dá)成和解。根據(jù)和解協(xié)議，飛兆半導(dǎo)體將向英飛凌支付許可費(fèi)，但協(xié)議的具體條款和條件保密。 英飛凌和飛兆半導(dǎo)體將通知美國特拉華州地方法院，雙方已經(jīng)達(dá)成和解，并將申請撤訴。 作為半導(dǎo)體行業(yè)的全球領(lǐng)袖，英飛凌目前正
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET IGBT
IGBT核心技術(shù)及人才缺失 工藝技術(shù)缺乏
- 新型電力半導(dǎo)體器件的代表，IGBT的產(chǎn)業(yè)化在我國還屬空白。無論技術(shù)、設(shè)備還是人才，我國都處于全方位的落后狀態(tài)。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，電力半導(dǎo)體器件和集成電路在國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展中地位同樣重要，因此，政府應(yīng)該對IGBT產(chǎn)業(yè)予以大力扶持。 眾所周知，電力電子技術(shù)可以提高用電效率，改善用電質(zhì)量，是節(jié)省能源的王牌技術(shù)。當(dāng)今以絕緣柵雙極晶體管(IGBT)為代表的新型電力半導(dǎo)體器件是高頻電力電子線路和控制系統(tǒng)的核心開關(guān)元器件，它的性能參數(shù)將直接決定著電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。IGBT已成為新型電力半導(dǎo)體器件的代表性器件，
- 關(guān)鍵字： 器件 IGBT 封裝 測試 MOSFET
寧波比亞迪半導(dǎo)體虧損調(diào)查：生產(chǎn)線可稱老古董
- 這是一個(gè)結(jié)果尚不明朗的賭注，巴菲特和王傳福站在一邊，巴菲特已經(jīng)賭贏了，但是王傳福暫時(shí)還沒有。 初冬的傍晚天黑得早，寧波北侖港保稅港區(qū)的比亞迪(73.4,-0.70,-0.95%,經(jīng)濟(jì)通實(shí)時(shí)行情)寧波半導(dǎo)體公司(原寧波中緯)依舊冒著騰騰的熱氣，公司墻上貼滿了新員工的名字，由于人數(shù)眾多，許多人還來不及辦理入廠證件。大批身穿比亞迪廠服的員工走出工廠大門，投入茫茫夜色，這里有許多來自深圳的年輕工程師，他們正試圖適應(yīng)在寧波度過的第一個(gè)寒冷冬天。 這些員工身上，承載著王傳福的野心和夢想。“
- 關(guān)鍵字： 比亞迪 IGBT
功率半導(dǎo)體充當(dāng)節(jié)能先鋒 中國企業(yè)加快步伐
- 過去，人們常把集成電路比作電子系統(tǒng)的大腦，而把功率半導(dǎo)體器件比作四肢，因?yàn)榧呻娐返淖饔檬墙邮芎吞幚硇畔ⅲβ势骷t根據(jù)這些信息指令產(chǎn)生控制功率，去驅(qū)動相關(guān)電機(jī)進(jìn)行所需的工作。如今，新型功率半導(dǎo)體器件如MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)及功率集成電路應(yīng)用逐漸普及，其為信息系統(tǒng)提供電源的功能也越來越引人注目。功率半導(dǎo)體器件在電子系統(tǒng)中的地位已不僅限于“四肢”，而是為整個(gè)系統(tǒng)“供血”的“心臟&rdq
- 關(guān)鍵字： 功率半導(dǎo)體 MOSFET IGBT
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