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電力半導(dǎo)體模塊的發(fā)展過程及新趨勢
- 摘要：簡要敘述了電力半導(dǎo)體模塊的發(fā)展過程，介紹了晶閘管智能模塊的結(jié)構(gòu)和特性，描述了IGBT智能模塊的現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢，指出了我國大力發(fā)展IPEM的必要性。 關(guān)鍵詞：電力半導(dǎo)體模塊;智能晶閘管模塊;IGBT模塊;IGBT智能模塊 一種新型器件的誕生往往使整個裝置系統(tǒng)面貌發(fā)生巨大改觀，促進(jìn)電力電子技術(shù)向前發(fā)展。自1957年第一個晶閘管問世以來，經(jīng)過40多年的開發(fā)和研究，已推出可關(guān)斷晶閘管(GTO)，絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等40多種電力半導(dǎo)體器件，目前正沿著高頻化、大功率化、智能化和模塊化的
- 關(guān)鍵字： 電力半導(dǎo)體模塊 智能晶閘管模塊 IGBT模塊 半導(dǎo)體材料
igbt模塊介紹
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件 [ 查看詳細(xì) ]
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