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不間斷電源中的IGBT應(yīng)用總結(jié)

在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET 易于驅(qū)動(dòng)，控制簡(jiǎn) ...
關(guān)鍵字：不間斷電源 IGBT

如今市場(chǎng)上先進(jìn)功率元件的種類數(shù)不勝數(shù)，工程人員要為一項(xiàng)應(yīng)用選擇到合適的功率元件，的確是一項(xiàng)艱巨的工作...
關(guān)鍵字：太陽(yáng)能逆變器 IGBT

一、IGBT溉述正常IGBT的工作頻率在10—20kHz，其開(kāi)關(guān)速度比GTO、IGCT快得多。在交流電動(dòng)機(jī)變頻調(diào)速...
關(guān)鍵字： IGBT 軟開(kāi)關(guān) 應(yīng)用開(kāi)發(fā)

Power Integrations旗下子公司IGBT驅(qū)動(dòng)器制造商CT-Concept Technologie AG已在德國(guó)Ense開(kāi)設(shè)一家新的設(shè)計(jì)中心。該設(shè)計(jì)中心將基于其驅(qū)動(dòng)核開(kāi)發(fā)半定制門極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，并利用CONCEPT的SCALE-2?平臺(tái)為大型項(xiàng)目研發(fā)和量身定制驅(qū)動(dòng)器。
關(guān)鍵字： CONCEPT 驅(qū)動(dòng)器 IGBT

通常IPM模塊應(yīng)有四路獨(dú)立電源供電，下橋臂三個(gè)IGBT控制電路共用一個(gè)獨(dú)立電源，上橋臂三個(gè)IGBT控制電路用三...
關(guān)鍵字： IPM 自舉電路設(shè)計(jì)

提高太陽(yáng)能逆變器效能的IGBT選擇方法,如今市場(chǎng)上先進(jìn)功率元件的種類數(shù)不勝數(shù)，工程人員要為一項(xiàng)應(yīng)用選擇到合適的功率元件，的確是一項(xiàng)艱巨的工作。就以太陽(yáng)能逆變器應(yīng)用來(lái)說(shuō)，絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 能比其他
關(guān)鍵字：太陽(yáng)能逆變器 IGBT 太陽(yáng)能電池板

　　據(jù)IMSResearch數(shù)據(jù)，全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)2012年增長(zhǎng)率為5.0%，達(dá)到320億美元規(guī)模;預(yù)期2013年會(huì)恢復(fù)兩位數(shù)字增長(zhǎng) 　　作為僅次于大規(guī)模集成電路的另一大分支，功率半導(dǎo)體運(yùn)行于弱電控制與強(qiáng)電之間，對(duì)降低電路損耗、提高電源使用效率，發(fā)揮著重要作用。隨著世界各國(guó)對(duì)節(jié)能減排的需求越來(lái)越迫切，功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域已逐漸從傳統(tǒng)的工業(yè)控制和4C領(lǐng)域，向新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)、變頻家電等諸多市場(chǎng)邁進(jìn)。關(guān)注功率器件行業(yè)的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)，促進(jìn)相關(guān)行業(yè)的發(fā)展至關(guān)重要。　　增長(zhǎng)點(diǎn)來(lái)自新領(lǐng)域　　LE
關(guān)鍵字：安森美 IPM

1 引言80年代問(wèn)世的絕緣柵雙極性晶體管IGBT是一種新型的電力電子器件，它綜合了gtr和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)，控制方便、開(kāi)關(guān)速度快、工作頻率高、安全工作區(qū)大。隨著電壓、電流等級(jí)的不斷提高，IGBT成為了大功率開(kāi)關(guān)電源、變頻
關(guān)鍵字： IGBT 功率器件方法

IGBT是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力電子器件。本文介紹了驅(qū)動(dòng)電路M57962L的工作原理及解決方案：IGBT是一種...
關(guān)鍵字： M57962L 芯片 IGBT

1　引言
　　scale-2芯片組是專門為適應(yīng)當(dāng)今igbt與功率mosfet柵驅(qū)動(dòng)器的功能需求而設(shè)計(jì)的。這些需求包括：可擴(kuò)展的分離式開(kāi)通與關(guān)斷門級(jí)電流通路;功率半導(dǎo)體器件在關(guān)斷時(shí)的輸出電壓可以為有源箝位提供支持;多電平變
關(guān)鍵字： MOSFET IGBT 驅(qū)動(dòng)器芯片

為了實(shí)現(xiàn)電阻爐的快速升溫及溫度控制，采用運(yùn)放退飽和的方法，當(dāng)電阻爐溫度未達(dá)到設(shè)定值時(shí)，運(yùn)放飽和輸出，所控制的驅(qū)動(dòng)電路輸出脈沖的占空比最大，IGBT近似全導(dǎo)通，電爐加熱功率最大，溫度快速上升；當(dāng)溫度達(dá)到設(shè)定值時(shí)，運(yùn)放開(kāi)始退飽和，輸出電壓逐漸減小，從而減小驅(qū)動(dòng)電路輸出脈沖的占空比，IGBT導(dǎo)通時(shí)間變短，電爐加熱功率減小，實(shí)現(xiàn)溫度控制。通過(guò)Multisim軟件仿真及硬件電路測(cè)試，驗(yàn)證了本設(shè)計(jì)的可行性。該溫度控制系統(tǒng)具有升溫速度快、易于操作、滯后性較低的優(yōu)點(diǎn)。
關(guān)鍵字：電阻爐溫度控制運(yùn)放退飽和 IGBT

11、請(qǐng)問(wèn)：HCPl-316產(chǎn)品如何做到短路時(shí)軟關(guān)斷？謝謝！　　HCPL-316J 飽和閾值的頂點(diǎn)設(shè)置在7V，這是對(duì)通過(guò)一個(gè)比較 ...
關(guān)鍵字： IGBT Power MOSFET 功率器件