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          V-Band 微波小站回傳,TDD還是FDD?

          • 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
          • 關鍵字: LTE  V-Band  FDD  TDD  

          Vitesse為工業(yè)物聯(lián)網網絡提供一攬子解決方案

          •   為電信網、企業(yè)網和物聯(lián)網(IoT)網絡提供先進芯片解決方案的領先供應商Vitesse Semiconductor公司(納斯達克股票代碼:VTSS)日前宣布:推出其最新一代的SparX-III?以太網交換芯片,包括VSC7420-04、VSC7421-04和VSC7422-04 等,它們專門為包括樓宇自動化、制造自動化、智能化交通、智能能源以及視頻監(jiān)控/安防等工業(yè)物聯(lián)網應用而優(yōu)化。通過Vitesse全新的SparX-III系列、一攬子以太網硬件和軟件參考系統(tǒng)以及原始設計制造商模型,用戶可將其產品上市時間
          • 關鍵字: Vitesse  IoT  SparX-III  

          三星量產全球首款第二代32層三維V-NAND閃存

          •   全球存儲領軍品牌三星電子今日宣布,已開始正式量產全球首款第二代立體垂直結構的“32層三維V-NAND閃存”。   三星電子此次推出的32層三維V-NAND,與之前推出的24層V-NAND相比,雖然堆疊存儲單元的設計難度更高,但是因為可以直接使用生產第一代V-NAND閃存的設備,所以具有更高的生產效率。   除此之外,三星電子推出了基于第二代V-NAND閃存的高端固態(tài)硬盤系列產品,并提供128GB、256GB、512GB、1TB等多種容量選擇。三星電子在去年面向數據中心推
          • 關鍵字: 三星  V-NAND閃存  

          一種電流溫度穩(wěn)定度小于1μA/℃的V/I變換器

          • 本文介紹一種高溫度穩(wěn)定度的V/I變換器電路,通過一種可以調節(jié)溫度變化量的溫度補償電路,使V/I變換器的輸出電流溫度穩(wěn)定度小于1μA /℃。應用于對電流穩(wěn)定度要求極高的傳感器信號處理或精密儀器儀表電路。
          • 關鍵字: V/I  變換器  傳感器  二極管  溫度補償  201406  

          μC/OS-III對信號量的改進

          • 引言μC/OS是一個基于優(yōu)先級調度的可剝奪型實時多任務內核。在多任務的實時內核中,信號量是常用的機制,可以用...
          • 關鍵字: μCOS-III  信號量  實時操作系統(tǒng)  

          一款18W無源PFC的LED照明驅動電源設計方案

          • 設計特色1、非常高的效率:82%2、元件數量少:只需40個元件3、不需要共模電感就能滿足EN55022B對傳導EMI要求4、...
          • 關鍵字: 驅動電源    TinySwitch-III    TNY279PN  

          MAX34451 PMBus 16通道V/I監(jiān)視器

          • 概述MAX34451是一個電源系統(tǒng)管理員能夠監(jiān)控多達16種不同的電壓軌或電流,也能多達12個電源排序和裕。系統(tǒng)管 ...
          • 關鍵字: MAX34451  PMBus  16通道  V/I監(jiān)視器  

          三星宣布量產全球首個3D垂直閃存V-NAND

          •   三星電子在存儲技術上的領先的確無可匹敵,今天又宣布已經批量投產全球第一個采用3D垂直設計的NAND閃存“V-NAND”。這年頭,3D堆疊已經成了潮流,處理器、內存什么的都要堆起來。   三星的V-NAND單顆芯片容量128Gb(16GB),內部采用三星獨有的垂直單元結構,通過3D CTF電荷捕型獲閃存技術、垂直互連工藝技術來連接3D單元陣列。   三星稱,這種新閃存的拓展能力是普通2xnm平面型閃存的兩倍以上,可靠性提升最少2倍、最多10倍,而且寫入性能也可達到1xnm N
          • 關鍵字: 三星  V-NAND  

          III-V族化合物或將在2017年取代硅

          •   加州伯克利大學教授胡正明確信硅的日子屈指可數,下一代或下下一代人將不會再使用硅,將會有更好的材料去取代硅。硅基晶體管無法一直縮小下去,芯片公司已經考慮用其它材料取代硅,其中的熱門替代材料包括鍺和半導體化合物III-V。這些材料可能制造出更快耗電更少的晶體管,創(chuàng)造出更致密、更快散熱更好的芯片。   行業(yè)專家估計,轉變最早將從2017年開始。新一代的晶體管架構將可以讓摩爾定律順利進入下一個十年。
          • 關鍵字: III-V族化合物    

          Mouser提供業(yè)界領先的Altera Cyclone V低功耗FPGA

          • Mouser Electronics正在備貨Altera公司業(yè)界領先的28-nm Cyclone? V FPGA。 Cyclone V FPGA結合了高性能、業(yè)界最低的操作功耗以及系統(tǒng)成本,是工業(yè)、無線、有線、廣播和汽車應用的理想選擇。
          • 關鍵字: Mouser  FPGA  Altera Cyclone V  

          用電子技術最大化太陽能電池板輸出功率

          • 太陽能離普通消費者的距離越來越近了,除了太陽能熱水器,現(xiàn)在太陽能景觀燈、太陽能屋頂、太陽能手機、太陽能路...
          • 關鍵字: 太陽能電池    充電控制器    bqTINY-III    

          μC/OS―III對信號量的改進

          • μC/OS-III是對μC/OS-II的重大改進,增加了許多新的特性。在信號量的使用上,μC/OS—III增加了一些可選的參數,提高了使用的靈活性;新增了任務內嵌的信號量,可以更高效地和任務進行通信。本文分析對比μC/OS—II和μC/OS—III中信號量內部結構的差異及新增的特性。
          • 關鍵字: &mu  C/OS&mdash  III  信號量  實時操作系統(tǒng)  

          高速橋接芯片V-by-One HS 擴大生產滿足超高清電視需求

          •   V-by-One HS 是THine Electronics公司開發(fā)的下一代高速橋接芯片,為迎合電視市場客戶的要求,V-by-One? HS的新產品 THCV226已開始量產,并開始進行擴大生產。
          • 關鍵字: THine Electronics  V-by-One  超高清電視  

          高速橋接芯片V-by-One HS 擴大生產的通知

          • V-by-One? HS 是我公司開發(fā)的下一代高速橋接芯片,又作為數字產品的下一代接口,已成為事實上的信息傳輸技術(現(xiàn)在的世界標準)?,F(xiàn)在,為迎合電視市場客戶的要求,V-by-One? HS的新產品 THCV226已開始量產,并開始進行擴大生產。
          • 關鍵字: 芯片  V-by-One  THCV226  

          高速接口芯片 V-by-One HS 生產擴充的通知

          • V-by-One? HS 是我公司開發(fā)的次世代高速接口芯片。它作為數字產品的次世代內部接口,實際上已經是一種情報傳輸技術(現(xiàn)在的世界標準)?,F(xiàn)在,按 TV 市場客戶的要求,追加新產品 V-by-One? HS THCV226 開始量產,并開始進行生產擴充。
          • 關鍵字: V-by-One  THCV216  
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          iii-v介紹

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