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          7納米以下技術(shù)候選人:IMEC看好GAA NWFET技術(shù)

          •   比利時(shí)微電子(IMEC)在2016國(guó)際電子元件會(huì)議(IEEE International Electron Devices Meeting ; IEDM)中首度提出由硅納米線垂直堆疊的環(huán)繞式閘極(GAA)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(MOSFETs)的CMOS集成電路,其關(guān)鍵技術(shù)在于雙功率金屬閘極,使得n型和p型裝置的臨界電壓得以相等,且針對(duì)7納米以下技術(shù)候選人,IMEC看好環(huán)繞式閘極納米線電晶體(GAA NWFET)會(huì)雀屏中選。   比利時(shí)微電子研究中心與全球許多半導(dǎo)體大廠、系統(tǒng)大廠均為先進(jìn)制程和創(chuàng)
          • 關(guān)鍵字: 7納米  IMEC  

          imec與iMinds合并,成立世界級(jí)高科技研究中心

          •   歐洲主要的納米電子研究中心imec以及數(shù)字研究與育成中心iMinds即將合并,共同為數(shù)字經(jīng)濟(jì)打造一座世界級(jí)的高科技研究中心。   這項(xiàng)合作行動(dòng)預(yù)計(jì)將于2016年底完成,屆時(shí)將可進(jìn)一步強(qiáng)化比利時(shí)西部Flanders作為高科技中心的影響力以及成為更專注于打造永續(xù)發(fā)展數(shù)字未來的地區(qū)。   iMinds將整合于imec旗下新設(shè)的業(yè)務(wù)單位,融合來自全球超過2,500名imec研究人員的技術(shù)與系統(tǒng)專業(yè),以及近50個(gè)國(guó)家約1,000名iMinds研究人員的先進(jìn)數(shù)字能力,成為一個(gè)全新的研究中心。   在加入iM
          • 關(guān)鍵字: imec  iMinds  

          Imec結(jié)合III-V材料打造高性能Flash

          •   比利時(shí)奈米電子研究中心Imec的研究人員透過將快閃記憶體(Flash)與使用砷化銦鎵(InGaAs)的更高性能III-V材料通道垂直排放的方式,發(fā)現(xiàn)了一種能夠提高快閃記憶體速度與壽命的新方法。   目前大多數(shù)的快閃記憶體使用由浮閘所控制的平面多晶矽通道,并用控制閘讀取或編程高電壓的浮閘——其方式是迫使電子穿隧至浮閘(0)或由其流出(1)。藉由將通道移動(dòng)至垂直的方向,3D快閃記憶體能夠更緊密地封裝,而不必遵循微縮規(guī)則。   此外,Imec最近發(fā)現(xiàn),透過使用通道中的III-V材
          • 關(guān)鍵字: Imec  III-V  

          IMEC:7納米制程發(fā)展仍待觀察

          •   SEMICON Taiwan 2015期間,除了設(shè)備、材料、晶圓代工與封測(cè)業(yè)者們齊聚一堂外,今年也很罕見地看到第三方中立機(jī)構(gòu)來臺(tái)發(fā)聲,通常這類機(jī)構(gòu)集結(jié)了全球各地產(chǎn)學(xué)研的研發(fā)人 才,扮演先進(jìn)技術(shù)的開發(fā)與研究的重要角色。其中位于比利時(shí)魯汶的IMEC(愛美科)便是一例。   全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在兩三年前,就已經(jīng)有了18寸晶圓廠的呼聲,雖然18寸晶圓廠需要龐大的資金與技術(shù)投入,甚至必須要采取結(jié)盟策略,以分擔(dān)高額開發(fā)成本所帶來的沉重負(fù)擔(dān),在當(dāng)時(shí),市場(chǎng)不斷討論18寸晶圓廠導(dǎo)入的可能性。   但 時(shí)至今日,這個(gè)題議
          • 關(guān)鍵字: IMEC  7納米  

          華為合作IMEC 進(jìn)軍硅光子

          •   華為與納米研究中心——比利時(shí)的微電子研究中心(IMEC,Interuniversity Microelectronics Centre)聯(lián)合宣布,聚焦于光學(xué)數(shù)據(jù)鏈路技術(shù),其戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系再進(jìn)一步。   這一對(duì)于硅基光學(xué)互連的聯(lián)合研究有望帶來諸多益處,包括高速、低功耗和成本節(jié)省。   通過為創(chuàng)造用于數(shù)據(jù)傳輸和通訊的高集成度、低功耗的光收發(fā)器,硅光子學(xué)是有望徹底改變光通信的關(guān)鍵技術(shù)。   華為現(xiàn)已加入了IMEC聚焦于在系統(tǒng)層面優(yōu)化帶寬密度、功耗、熱穩(wěn)定性和成本的研究項(xiàng)目。華
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          IMEC實(shí)現(xiàn)1小時(shí)完成小型自動(dòng)基因檢測(cè)的芯片方案

          • 松下與比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)共同開發(fā)出了1小時(shí)即可完成檢測(cè)的全自動(dòng)小型基因檢測(cè)芯片。該芯片可利用...
          • 關(guān)鍵字: IMEC  自動(dòng)基因檢測(cè)  

          攻新材料/互連技術(shù) IMEC力克10nm設(shè)計(jì)難關(guān)

          •   比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)正全速開發(fā)下世代10奈米制程技術(shù)。為協(xié)助半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)跨越10奈米鰭式電晶體(FinFET)制程技術(shù)門檻,IMEC已啟動(dòng)新一代電晶體通道材料和電路互連(Interconnect)研究計(jì)劃,將以矽鍺/三五族材料替代矽方案,并透過奈米線(Nanowire)或石墨烯技術(shù)實(shí)現(xiàn)更細(xì)致的電路成型與布局,加速10奈米以下制程問世。   IMEC制程科技副總裁An Steegen提到,除了10奈米以下制程技術(shù)外,IMEC亦全力推動(dòng)18寸晶圓的發(fā)展,目前已有相關(guān)設(shè)備進(jìn)入驗(yàn)證階段。   I
          • 關(guān)鍵字: IMEC  10nm  

          Alchimer與IMEC在22nm以下先進(jìn)制程進(jìn)行合作

          •   雙鑲嵌、矽通孔(TSV)、微機(jī)電(MEMS)與太陽(yáng)能等領(lǐng)域濕沉積技術(shù)的領(lǐng)先供應(yīng)商Alchimer,宣布與歐洲研究機(jī)構(gòu)IMEC攜手進(jìn)行一項(xiàng)合作研發(fā)計(jì)劃,為先進(jìn)的奈米互連技術(shù)評(píng)估和實(shí)施銅(Cu) 填充解決方案。該計(jì)劃的重點(diǎn)將是 Alchimer 的 Electrografting (eG) 產(chǎn)品系列,其已證明可在 7nm 節(jié)點(diǎn)裝置上實(shí)現(xiàn)無空隙填充,并允許在阻擋層上直接進(jìn)行銅填充,且鑲嵌制程無需晶種層。由于 CMOS規(guī)模增加,使制程更加精細(xì),因此市場(chǎng)要求銅鑲嵌要有更小的尺寸 (<16/14 nm),采
          • 關(guān)鍵字: IMEC  22nm  

          IMEC探討10nm以下制程變異

          •   在可預(yù)見的未來,CMOS技術(shù)仍將持續(xù)微縮腳步,然而,當(dāng)我們邁入10nm節(jié)點(diǎn)后,控制制程復(fù)雜性和變異,將成為能否驅(qū)動(dòng)技術(shù)向前發(fā)展的關(guān)鍵,IMEC資深制程技術(shù)副總裁An Steegen在稍早前于比利時(shí)舉行的IMEC Technology Forum上表示。   明天的智慧系統(tǒng)將會(huì)需要更多的運(yùn)算能力和儲(chǔ)存容量,這些都遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過今天的處理器和記憶體所能提供的極限。而這也推動(dòng)了我們對(duì)晶片微縮技術(shù)的需求。   在演講中,Steegen了解釋IMEC 如何在超越10nm以后繼續(xù)推動(dòng)晶片微縮。在10nm之后,或許還
          • 關(guān)鍵字: IMEC  CMOS  10nm    

          Imec和瑞薩推出新一代高帶寬無線接收器的ADC

          • 在本周舉辦的國(guó)際固態(tài)電路研討會(huì)(ISSCC2012)上,imec和瑞薩電子株式會(huì)社(TSE:6723,以下簡(jiǎn)稱“瑞薩電子”)推出了創(chuàng)新型SAR-ADC(逐次比較性模數(shù)轉(zhuǎn)換器),大幅提升了能效和速度,面向符合新一代高帶寬標(biāo)準(zhǔn)要求的無線接收器,例如LTE-advanced和新興的Wi-Fi(IEEE802.11ac)。
          • 關(guān)鍵字: 瑞薩  imec  ADC  

          采用IMEC的SiC技術(shù)完成生物電信號(hào)采集

          • 采用IMEC的SiC技術(shù)完成生物電信號(hào)采集,人體信息監(jiān)控是一個(gè)新興的領(lǐng)域,人們?cè)O(shè)想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來診斷癲癇病人,可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動(dòng)空間,并最終通過因特網(wǎng)實(shí)現(xiàn)家庭監(jiān)護(hù)。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了,但如何將他們的體積
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          IMEC發(fā)布14nm工藝開發(fā)套件 測(cè)試芯片下半年推出

          •   歐洲微電子研究機(jī)構(gòu)IMEC(比利時(shí)魯汶)日前宣布,已發(fā)布了一個(gè)早期版本的邏輯工藝開發(fā)套件(PDK),這是業(yè)界第一款用以解決14納米節(jié)點(diǎn)邏輯工藝的開發(fā)工具包,IMEC表示。   該套件支持多種有可能在14納米節(jié)點(diǎn)應(yīng)用的技術(shù),包括FinFET器件和極端紫外線光刻技術(shù)。它包含了器件緊湊模型,寄生參數(shù)提取,設(shè)計(jì)規(guī)則,參數(shù)化單元(P-單元),和基本的邏輯單元,IMEC指出。   14納米PDK作為IMEC Insite合作研究項(xiàng)目的一部分而開發(fā),曾有報(bào)道稱Altera公司、NVIDIA公司與美國(guó)高通公司都是
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          IMEC宣布第一個(gè)300mm晶圓兼容定向組裝工藝生產(chǎn)線

          •   IMEC宣布成功研發(fā)出世界上第一個(gè)300毫米晶圓相容的定向自組裝(DSA)的工藝生產(chǎn)線。與美國(guó)威斯康星大學(xué),安智電子材料和東京電子IMEC的DSA合作目的,以解決關(guān)鍵的障礙,實(shí)現(xiàn)從學(xué)術(shù)DSA合作實(shí)驗(yàn)室規(guī)模到大批量制造環(huán)境的升級(jí)。
          • 關(guān)鍵字: IMEC  晶圓  

          Holst中心和IMEC推出下一代柔性O(shè)LED顯示器

          •   近日,Holst中心和IMEC推出其下一代的柔性O(shè)LED(有機(jī)發(fā)光二極管)顯示器的新研究方案,基于其成熟的技術(shù)跟蹤記錄,并在相關(guān)領(lǐng)域如有機(jī)氧化物晶體管和柔性O(shè)LED照明等現(xiàn)有合作研究中伙伴的良好基礎(chǔ),新方案的主要目標(biāo)是建立一個(gè)經(jīng)濟(jì)可伸的路線,以及大批量的柔性有源矩陣 OLED顯示器的制造。共享程序與其合作者將匯集來自整價(jià)值鏈的解決方案,如高分辨率,低功耗,大面積,靈活性和重量輕等。   最先進(jìn)的 OLED顯示器小巧并且使用靈便,應(yīng)用在智能手機(jī)和平板電腦中,它們的特點(diǎn)與傳統(tǒng)的LCD由OLED像素發(fā)出只
          • 關(guān)鍵字: IMEC  OLED  

          日企與IMEC開發(fā)出效率超21%異質(zhì)結(jié)硅太陽(yáng)能電池

          •   日本KANEKA與比利時(shí)IMEC近日宣布,共同開發(fā)出了集電極材料采用銅(Cu)而非銀(Ag)的6英寸(約15cm)見方異質(zhì)結(jié)硅太陽(yáng)能電池,獲得了21%以上的轉(zhuǎn)換效率。   異質(zhì)結(jié)硅太陽(yáng)能電池是指pn結(jié)由微晶硅和結(jié)晶硅等不同狀態(tài)的硅材料構(gòu)成的太陽(yáng)能電池。此次KANEKA與IMEC在集電極形成技術(shù)上采用鍍銅技術(shù),取代了原來一直采用的銀絲網(wǎng)印刷技術(shù)。
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          imec介紹

          IMEC,全稱為Interuniversity Microelectronics Centre, 微電子研究中心.   IMEC成立于1984年,目前是歐洲領(lǐng)先的獨(dú)立研究中心,研究方向主要集中在微電子,納米技術(shù),輔助設(shè)計(jì)方法,以及信息通訊系統(tǒng)技術(shù)(ICT). IMEC 致力于集成信息通訊系統(tǒng)設(shè)計(jì);硅加工工藝;硅制程技術(shù)和元件整合;納米技術(shù),微系統(tǒng),元件及封裝;太陽(yáng)能電池;以及微電子領(lǐng)域的高級(jí)培訓(xùn) [ 查看詳細(xì) ]

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