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          Vishay推出采用改良設計的INT-A-PAK封裝IGBT功率模塊,降低導通和開關損耗

          • 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出五款采用改良設計的INT-A-PAK封裝新型半橋IGBT功率模塊---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。這些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技術制造,為設計人員提供兩種業(yè)內(nèi)先進的技術選件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低運輸、能源及工業(yè)應用大電流逆變級導通或開關損耗。日前發(fā)布的半橋器件使用節(jié)
          • 關鍵字: Vishay  INT-A-PAK  IGBT功率模塊  

          cortex M3S811學習筆記-GPIO-INT

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          • 關鍵字: cortex  M3S811  GPIO-INT  

          使用J2ME技術實現(xiàn)手機觸摸屏開發(fā)的方法

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