intel i9-9880h 文章進(jìn)入intel i9-9880h技術(shù)社區(qū)

2010年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出預(yù)增51%

　　市場(chǎng)研究公司 ICInsights預(yù)計(jì),今年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出中的2/3將由支出前十位的公司包攬,包括Samsung、Intel、TSMC和Toshiba。今年支出前十位廠(chǎng)商的投資總額預(yù)計(jì)增長(zhǎng)67%,而產(chǎn)業(yè)整體支出增長(zhǎng)額預(yù)計(jì)為51%。　　“如果不算Intel,排名前十中的其他9家公司支出額將增長(zhǎng)91%。”ICInsights總裁BillMcClean指出。然而,盡管許多公司計(jì)劃在今年將產(chǎn)能翻倍,但仍然無(wú)法阻止IC價(jià)格的上漲和供應(yīng)短缺的局面發(fā)生,尤其是下半年。　　Sams
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Intel將推出Atom N470上網(wǎng)本處理器主頻將有提升

　　Intel計(jì)劃下周一發(fā)布一款高頻版本的Pinetrail Atom處理器N470，這款處理器將面向上網(wǎng)本應(yīng)用，處理器的頻率被提升至1.83GHz，而現(xiàn)有已發(fā)布的N450主頻則僅1.66GHz。當(dāng)然 N470與N450除了主頻之外其余技術(shù)參數(shù)以及內(nèi)部架構(gòu)是完全相同的。　　相比主流處理器產(chǎn)品而言，Intel的Atom處理器采用了不同的內(nèi)部架構(gòu)，以保證處理器功耗較低，不過(guò)也因此而導(dǎo)致處理器的性能相對(duì)較低，價(jià)格方面，一般Atom處理器的售價(jià)也不會(huì)超過(guò)350美元。Intel新一代Pinetrail平臺(tái)中
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英特爾籌劃20億美元?jiǎng)?chuàng)投資金

據(jù)華爾街日?qǐng)?bào)(WSJ)報(bào)導(dǎo)，芯片大廠(chǎng)英特爾(Intel)正和創(chuàng)投公司合作，希望成立擁有20億美元資金的基金投資美國(guó)公司。英特爾執(zhí)行長(zhǎng)Paul Otellini于在美國(guó)華盛頓特區(qū)演講時(shí)公布此項(xiàng)投資計(jì)畫(huà)，該演講的部分重點(diǎn)為「在美國(guó)創(chuàng)造投資文化的必要性」；英特爾發(fā)言人則不愿評(píng)論。知情人士表示，投資許多科技公司的英特爾正和創(chuàng)投公司商議，分配部分資金于美國(guó)企業(yè)；知情人士稱(chēng)此計(jì)畫(huà)不需另外籌資，此外，目前尚不清楚創(chuàng)投公司的反應(yīng)。
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Intel欲將193nm沉浸式光刻技術(shù)延用至11nm制程節(jié)點(diǎn)

　　在本月21日舉辦的LithoVision2010大會(huì)上，Intel公司公布了其未來(lái)幾年的光刻技術(shù)發(fā)展計(jì)劃，按這份驚人的計(jì)劃顯示，Intel計(jì)劃將 193nm波長(zhǎng)沉浸式光刻技術(shù)延用至11nm制程節(jié)點(diǎn)，這表明他們?cè)俅魏笱恿似錁O紫外光刻(EUV)技術(shù)的啟用日期。　　Intel實(shí)驗(yàn)室中的EUV曝光設(shè)備　　根據(jù)會(huì)上Intel展示的光刻技術(shù)發(fā)展路線(xiàn)圖顯示，目前Intel 45nm制程工藝中使用的仍是193nm干式光刻技術(shù)，而32nm制程工藝則使用的是193nm沉浸式光刻技術(shù)，沉浸式光刻工具方面，Int
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英特爾實(shí)驗(yàn)室開(kāi)發(fā)出納米材料的儲(chǔ)能器

　　編者點(diǎn)評(píng)(莫大康 SEMI China顧問(wèn))：光伏發(fā)電中，除了提高效率、降低成本之外，非常關(guān)鍵的是多余電能的存儲(chǔ)。按傳統(tǒng)的蓄電池方法，占地面積太大,容量太小，很難實(shí)用化。所以國(guó)際上都在致力于電能存儲(chǔ)的研究。英特爾提出微型電網(wǎng)的概念，是個(gè)方向。即在局部地區(qū)內(nèi)把多余的電能存儲(chǔ)下來(lái)，以備太陽(yáng)能不足時(shí)使用，而省略了傳輸?shù)拇罅繐p耗。關(guān)鍵是電能存儲(chǔ)的經(jīng)濟(jì)性能否實(shí)現(xiàn)。　　Intel的研究員正在開(kāi)發(fā)一種納米材料，可能用來(lái)制造比今天鋰電池存儲(chǔ)更多電能密度的超級(jí)電容器。如果能夠獲得成功，新材料可被大量生產(chǎn)供給發(fā)電廠(chǎng)，
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傳Intel將發(fā)布三款Gulftown核心六核桌面處理器

　　此前我們已經(jīng)知道Intel將于今年一季度推出新款六核Gulftown核心Core i7處理器，不過(guò)最近Xbitlabs網(wǎng)站得到消息稱(chēng)Intel今年共將推出三款基于這種核心的處理器產(chǎn)品，其中主頻3.33GHz的Core i7-980X極致版將于今年一季度上市，售價(jià)999美元;而主頻3.2GHz的Core i7-970則將于今年第三季度上市，價(jià)格將比前者稍低;另外據(jù)悉今年一季度Intel還會(huì)推出另外一款極致版Gulftown產(chǎn)品(主頻可能會(huì)高于 3.33GHz)。三款產(chǎn)品均將基于LGA1366+X58平臺(tái)
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傳Intel Sandy Bridge處理器將原生整合雙GPU

　　近日據(jù)Fudzilla的消息稱(chēng)，Intel的Sandy Bridge處理器將會(huì)在同一塊die中整合2個(gè)GPU核心。與目前Intel Clarkdale處理器中整合GPU的方式有所不同，Sandy Bridge將會(huì)把CPU和GPU整合在同一塊die之中，并且據(jù)稱(chēng)還將會(huì)一下子整合2顆GPU核心。另外，Intel還將為獨(dú)立顯卡提供PCIe X16通道，組建SLI/Crossfire多卡互聯(lián)時(shí)則為雙8X模式。　　到目前為止AMD和NVIDIA兩家都尚未發(fā)布過(guò)任何在單芯片中原生整合雙GPU的產(chǎn)品，而Inte
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Intel大連晶圓廠(chǎng)今年10月投產(chǎn)

　　Intel公司宣布，位于我國(guó)大連市的“Fab 68”晶圓廠(chǎng)將于今年10月份正式投入生產(chǎn)。　　Fab 68工廠(chǎng)將使用65nm工藝制造芯片組產(chǎn)品，這也是Intel能在中國(guó)使用的最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝，但是Intel暫時(shí)沒(méi)有在中國(guó)制造處理器的計(jì)劃。　　該工廠(chǎng)總經(jīng)理柯必杰表示：“芯片組分為兩類(lèi)，一類(lèi)用在處理器中，一類(lèi)是用于支持鼠標(biāo)等電腦設(shè)備的中間件。今明兩年，65nm工藝的芯片組仍然是中間件的主流產(chǎn)品，需求量很大。” 　　Intel大連芯片廠(chǎng)于2008年年
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Intel6系列芯片組產(chǎn)品將于明年一季度上市

　　Intel下一代芯片組產(chǎn)品，用于配合下一代Sandy Bridge架構(gòu)處理器的6系列芯片組將于明年1季度推出，據(jù)悉這款芯片組內(nèi)將加入對(duì)SATA 6GB/s的支持。由于Sandy Bridge處理器內(nèi)部已經(jīng)集成了內(nèi)存控制器，GPU和部分聲卡功能，因此預(yù)計(jì)將來(lái)需要整合在6系列芯片組中的功能較少，不過(guò)目前仍不清楚Intel會(huì)否采用單芯片組的設(shè)計(jì). 　　這款芯片組的代號(hào)為Cougar Point,除了SATA 6GB/s之外,預(yù)計(jì)芯片組有可能會(huì)加入對(duì)USB3.0功能的支持.
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Intel的瘋狂 CPU上飛線(xiàn)？

　　2月5日當(dāng)?shù)貢r(shí)間周三，Intel舉行了一場(chǎng)媒體會(huì)介紹他們將在下周ISSCC 2010大會(huì)上將展示的半導(dǎo)體新技術(shù)。除了我們剛剛介紹的32nm Westmere核心細(xì)節(jié)外，Intel還簡(jiǎn)介了一些尚處實(shí)驗(yàn)室階段的未來(lái)技術(shù)。　　首先是一項(xiàng)處理器直連技術(shù)，可以用一條導(dǎo)線(xiàn)直接連接兩顆處理器封裝，以低功耗提供超高傳輸帶寬。該導(dǎo)線(xiàn)的外觀(guān)類(lèi)似于SLI/CrossFire或筆記本中常見(jiàn)的帶狀線(xiàn)纜，內(nèi)置47條數(shù)據(jù)通道，可提供470Gb/s帶寬(每秒傳輸58.8GB數(shù)據(jù))，而功耗僅有0.7W。　　Intel表示
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技術(shù)領(lǐng)先領(lǐng)先別無(wú)所求：Intel NAND閃存新戰(zhàn)略縱覽

　　在最近舉辦的一次會(huì)議上，Intel公司屬下NAND閃存集團(tuán)的新任老總Tom Rampone透露了有關(guān)Intel閃存業(yè)務(wù)的一個(gè)驚人規(guī)劃，他們計(jì)劃在閃存技術(shù)和SSD產(chǎn)品市場(chǎng)上取得領(lǐng)先地位，但他們并不準(zhǔn)備在散片NAND閃存市場(chǎng) 上扮演領(lǐng)軍人的角色?？雌饋?lái)他們并不愿意在風(fēng)水輪流轉(zhuǎn)的NAND閃存散片市場(chǎng)和三星，現(xiàn)代以及東芝這些廠(chǎng)商一爭(zhēng)高下，但于此同時(shí),他們又表現(xiàn)出想把三星從SSD業(yè) 務(wù)排名第一的寶座上拉下來(lái)的意圖。　　Intel不準(zhǔn)備在NAND閃存散片市場(chǎng)稱(chēng)雄的決定令人稍感驚奇，過(guò)去他們一旦進(jìn)入某個(gè)市場(chǎng)，那
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Intel發(fā)布首顆桌面級(jí)六核處理器采用32nm工藝

　　Intel將在今后半年的時(shí)間里發(fā)布至少六款新處理器，其中大多是最新Core ix家族的新成員：　　Core i7-980X EE將成為第一顆桌面級(jí)六核心處理器，而且是32nm新工藝，兼容現(xiàn)有X58主板。AMD的首批六核心Phenom II X6 1000T系列則會(huì)在五月份推出，45nm工藝，兼容AM3主板。型號(hào) 代號(hào) 工藝核心數(shù)
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傳Intel Sandy Bridge架構(gòu)處理器明年一季度推出

　　盡管過(guò)去Intel一直在遵守 ”tick - tock“法則定期輪番推出采用基于新制程和新架構(gòu)的處理器產(chǎn)品，但這一次他們恐怕不會(huì)按照這道鐵律的規(guī)定于今年第四季度推出基于下一代Sandy Bridge架構(gòu)的新處理器產(chǎn)品，據(jù)Fudzzilla網(wǎng)站從主板業(yè)者那里得到的消息顯示，Intel這款新處理器的發(fā)布日期恐怕會(huì)稍微后延到明年第一季度。　　Sandy Bridge 將是現(xiàn)有Nehalem架構(gòu)的下一代處理器架構(gòu)，預(yù)計(jì)在Sandy Bridge中Intel會(huì)進(jìn)一步提升處理器的性能并
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Intel、美光宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存

　　由Intel、美光合資組建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已經(jīng)開(kāi)始使用25nm工藝晶體管試產(chǎn)MLC NAND閃存芯片，并相信足以領(lǐng)先其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手長(zhǎng)達(dá)一年之久。IMFT公司在閃存工藝上一向非常激進(jìn)，每12-15個(gè)月便升級(jí)一次：成立之初是72nm，2008年是50nm，去年則率先達(dá)到了34nm，在業(yè)內(nèi)領(lǐng)先六個(gè)月左右，也讓Intel提前搶先發(fā)布了34nm第二代X25-M固態(tài)硬盤(pán)，美光也即將推出RealSSD C300系列。IMFT生產(chǎn)的閃存芯片有49%供給In
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Intel發(fā)布業(yè)界首款雙網(wǎng)口10Gb以太網(wǎng)卡

　　Intel今天發(fā)布了第三代基于10GBase-T 10Gbps以太網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)的服務(wù)器網(wǎng)卡“X520-T2”，并首次配備了兩個(gè)RJ-45網(wǎng)絡(luò)接口。　　這塊網(wǎng)卡基于Intel 82599EB 10Gb以太網(wǎng)控制器，25×25毫米576針FC-BGA封裝，典型功耗5.1W(10GBase-KX4)或者5.5W(10GBase-KR)，甚至安裝了一個(gè)迷你風(fēng)扇，很像是將近兩年前展示的原型產(chǎn)品。整卡采用刀版設(shè)計(jì)和PCI-E 2.0 x8系統(tǒng)接口，搭配Cat-6A類(lèi)網(wǎng)線(xiàn)在10G
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