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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> ipados 18

          0.18 μm CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)

          • 基準(zhǔn)電壓源可廣泛應(yīng)用于A/D、D/A轉(zhuǎn)換器、隨機(jī)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器、閃存以及系統(tǒng)集成芯片中。使用0.18 μm CMOS工藝設(shè)計(jì)了具有高穩(wěn)定度、低溫漂、低輸出電壓為0.6 V的CMOS基準(zhǔn)電壓源。
          • 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì)  電壓  基準(zhǔn)  CMOS  0.18  

          凌力爾特推出串行18位模數(shù)轉(zhuǎn)換器

          •   凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出一款串行 18 位、1.6Msps SAR 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) LTC2379-18,該器件在支持全差分 ±5V 輸入范圍的同時(shí),也實(shí)現(xiàn)了無與倫比的 101dB SNR 和 -118dB THD。這種突破性性能確立了凌力爾特公司在高性能 ADC 領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者地位。
          • 關(guān)鍵字: 凌力爾特  ADC   LTC2379-18  

          一種基于DS18B20的溫度采集新方案

          • 摘要:目前DS18B20數(shù)據(jù)的采集方法,存在不能自動(dòng)更新DS18B20序列號(hào)和定位DS18B20的不足,因此不能及時(shí)進(jìn)行 DS18B20的更換。本課題利用單片機(jī)I/O端口號(hào)和DS18B20的溫度報(bào)警觸發(fā)器(TH和TL),作為在外部存儲(chǔ)器中的存
          • 關(guān)鍵字: 18B  B20  DS  18    

          采用0.18µm CMOS設(shè)計(jì)用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)的16:1復(fù)用器電路

          • 采用0.18micro;m CMOS設(shè)計(jì)用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)的16:1復(fù)用器電路,本文采用0.18µm CMOS工藝設(shè)計(jì)了用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)的16:1復(fù)用器電路。該電路采用數(shù)模混合的方法進(jìn)行設(shè)計(jì),第一級(jí)用數(shù)字電路實(shí)現(xiàn)16:4的復(fù)用,第二級(jí)用模擬電路實(shí)現(xiàn)4:1的復(fù)用,從而實(shí)現(xiàn)16:1的復(fù)用器。該電路采用SMIC 0.18µm工藝模型,使用Virtuoso AMS Simulator 工具進(jìn)行了仿真。仿真結(jié)果表明,當(dāng)電源電壓為1.8V,溫度范圍為0~70℃時(shí),電路可以
          • 關(guān)鍵字: 收發(fā)器  系統(tǒng)  復(fù)用器  電路  2.5Gb/s  用于  0.18µ  CMOS  收發(fā)器  

          采用0.18micro;m CMOS設(shè)計(jì)用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)

          • 本文采用0.18µm CMOS工藝設(shè)計(jì)了用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)的16:1復(fù)用器電路。該電路采用數(shù)?;旌系姆椒ㄟM(jìn)行設(shè)計(jì),第一級(jí)用數(shù)字電路實(shí)現(xiàn)16:4的復(fù)用,第二級(jí)用模擬電路實(shí)現(xiàn)4:1的復(fù)用,從而實(shí)現(xiàn)16:1的復(fù)用器。該電路采用SMIC 0.18µm工藝模型,使用Virtuoso AMS Simulator 工具進(jìn)行了仿真。仿真結(jié)果表明,當(dāng)電源電壓為1.8V,溫度范圍為0~70℃時(shí),電路可以工作在2.5b/s,功耗約為6mW。
          • 關(guān)鍵字: micro  0.18  CMOS  2.5    

          基于0.18μm RF CMOS工藝的低相噪寬帶LC VCO設(shè)計(jì)

          • 壓控振蕩器(VCO)是射頻集成電路(RF-ICs)中的關(guān)鍵模塊之一。近年來隨著無線通信技術(shù)的快速發(fā)展,射頻收發(fā)機(jī)也有了新的發(fā)展趨勢,即單個(gè)收發(fā)機(jī)要實(shí)現(xiàn)寬頻率多標(biāo)準(zhǔn)的覆蓋,例如用于移動(dòng)數(shù)字電視接收的調(diào)諧器一般要實(shí)現(xiàn)T-DMB、DMB-T等多個(gè)標(biāo)準(zhǔn),并能覆蓋VHF、UHF和LBAND等多個(gè)頻段。本文所介紹的VCO設(shè)計(jì)采用如圖1(a)所示的交叉耦合電感電容結(jié)構(gòu),相對于其他結(jié)構(gòu)的VCO來說該結(jié)構(gòu)更加易于片上集成和實(shí)現(xiàn)低功耗設(shè)計(jì),并且利用LC諧振回路的帶通濾波特性,能獲得更好的相位噪聲性能。

          • 關(guān)鍵字: 寬帶  LC  VCO  設(shè)計(jì)  相噪  工藝  0.18  RF  CMOS  基于  

          超高速0.18μm CMOS復(fù)接器集成電路設(shè)計(jì)

          • CMOS工藝具有價(jià)格便宜、集成度高、功耗低的特點(diǎn)。隨著CMOS工藝的發(fā)展,器件特征頻率大幅提高,采用CMOS工藝實(shí)現(xiàn)超高速集成電路成為可能。本文給出了使用CMOS工藝設(shè)計(jì)的單片集成超高速4:1復(fù)接器。
          • 關(guān)鍵字: 0.18  CMOS  超高速  復(fù)接器    

          思科第三財(cái)季凈賺18.7億美元 同比攀升34%

          • 5月9日消息,由于普遍的網(wǎng)絡(luò)升級(jí)繼續(xù)為其強(qiáng)勁增長提供動(dòng)力,思科系統(tǒng)公司第三財(cái)季凈利潤同比攀升了34%。  據(jù)美聯(lián)社報(bào)道,但這個(gè)業(yè)績令那些對該公司抱有更高期望的投資著感到了失望。受此影響,思科股價(jià)在發(fā)布財(cái)報(bào)后的延時(shí)交易中下跌了3%。  財(cái)報(bào)顯示,在截至于4月28日的三個(gè)月內(nèi),思科凈賺18.7億美元,合每股收益30美分。去年同期思科凈利潤為14億美元。  不計(jì)入一次性開支,思科每股收益34美分,較湯姆森金融調(diào)查的市場預(yù)期高出1美分。  思科在剛結(jié)束的這個(gè)財(cái)季里實(shí)現(xiàn)營收8
          • 關(guān)鍵字: 18.7億  攀升34%  思科  消費(fèi)電子  消費(fèi)電子  
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