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ir-uwb 文章 進(jìn)入ir-uwb技術(shù)社區(qū)
一種蝶形平面超寬帶(UWB)天線(xiàn)的設(shè)計(jì)
- 超寬帶無(wú)線(xiàn)通信技術(shù)以其低功耗、高帶寬、低復(fù)雜度等優(yōu)點(diǎn)而倍受重視,使用蝶形結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)了一種新的平面超寬帶天線(xiàn)。 該天線(xiàn)由同軸饋電,天線(xiàn)的制作是通過(guò)在介質(zhì)基板上下面上分別印刷一個(gè)半圓形金屬,在上層刻蝕掉2個(gè)正方形圖案,下層刻蝕掉2個(gè)半圓形圖案實(shí)現(xiàn)。
- 關(guān)鍵字: 蝶形 平面超寬帶 UWB 天線(xiàn)設(shè)計(jì)
無(wú)線(xiàn)傳感器網(wǎng)絡(luò)標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)展與協(xié)議分析
- 無(wú)線(xiàn)傳感器網(wǎng)絡(luò)作為一門(mén)面向應(yīng)用的研究領(lǐng)域,在近幾年獲得了飛速發(fā)展。在關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)方面,學(xué)術(shù)界從網(wǎng)絡(luò)協(xié)議、數(shù)據(jù)融合、測(cè)試測(cè)量、操作系統(tǒng)、服務(wù)質(zhì)量、節(jié)點(diǎn)定位、時(shí)間同步等方面開(kāi)展了大量研究,取得豐碩的成果;工業(yè)界也在環(huán)境監(jiān)測(cè)、軍事目標(biāo)跟蹤、智能家居、自動(dòng)抄表、燈光控制、建筑物健康監(jiān)測(cè)、電力線(xiàn)監(jiān)控等領(lǐng)域進(jìn)行應(yīng)用探索。隨著應(yīng)用的推廣,無(wú)線(xiàn)傳感器網(wǎng)絡(luò)技術(shù)開(kāi)始暴露出越來(lái)越多的問(wèn)題。不同廠(chǎng)商的設(shè)備需要實(shí)現(xiàn)互聯(lián)互通,且要避免與現(xiàn)行系統(tǒng)的相互干擾,因此要求不同的芯片廠(chǎng)商、方案提供商、產(chǎn)品提供商及關(guān)聯(lián)設(shè)備提供商達(dá)成一定的
- 關(guān)鍵字: 無(wú)線(xiàn)傳感器 UWB
Intel白皮書(shū):UWB技術(shù)實(shí)現(xiàn)高速無(wú)線(xiàn)個(gè)人局域網(wǎng)
- 無(wú)線(xiàn)連接為用戶(hù)新的移動(dòng)生活方式注入了便捷。消費(fèi)者馬上就會(huì)對(duì)這種電子家庭的便捷產(chǎn)生巨大需求,他們的個(gè)人電腦、數(shù)碼錄像機(jī)、MP3播放器、數(shù)碼可攜式攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī),高清晰電視(HDTV)、機(jī)頂盒(STB)、游戲系統(tǒng)、掌
- 關(guān)鍵字: Intel公司 個(gè)人局域網(wǎng) UWB
IR多功能IRS2983控制IC 為高性能調(diào)光應(yīng)用簡(jiǎn)化而設(shè)
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商——國(guó)際整流器公司 (International R
- 關(guān)鍵字: LED 驅(qū)動(dòng) IR IC
抑制SSN的新型內(nèi)插L-EBG結(jié)構(gòu)
- 本文提出的是一種基于平面型EBG (Electromagnetic Bandgap)結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新型結(jié)構(gòu),對(duì)于同步開(kāi)關(guān)噪聲(Simultaneous Switching Noise, SSN)的抑制有更優(yōu)秀的特性。我們?cè)O(shè)計(jì)的這款新型EBG結(jié)構(gòu),是在周期性L(fǎng)-bridge EBG結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上,在一些單元內(nèi)插小型的L-bridge EBG。通過(guò)仿真驗(yàn)證,此結(jié)構(gòu)具有傳統(tǒng)型L-bridge EBG結(jié)構(gòu)所不具有的超帶寬抑制能力和較大的抑制深度。然后我們運(yùn)用電路模型和平行板諧振腔原理分析了該結(jié)構(gòu)上下變頻。另外,通過(guò)3-D
- 關(guān)鍵字: EBG SSN 電源完整性 IR-Drop 201607
IR的電池保護(hù)MOSFET系列為移動(dòng)應(yīng)用提供具有成本效益的靈活解決方案
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 近日針對(duì)鋰離子電池保護(hù)應(yīng)用推出配備IR最新低壓MOSFET硅技術(shù)的一系列器件,包括IRL6297SD雙N通道DirectFET MOSFET。 全新功率MOSFET具有極低的導(dǎo)通電阻,可大幅減少導(dǎo)通損耗。產(chǎn)品可作為N通道及P通道配置的20V和30V器件,最高柵極驅(qū)動(dòng)從12 Vgs起,非常適合包含了兩個(gè)串聯(lián)電池的電池保護(hù)電路。IRL6297SD
- 關(guān)鍵字: IR MOSFET IRL6297SD
D類(lèi)放大器市場(chǎng)突飛猛進(jìn) 廠(chǎng)商新品頻出
- D類(lèi)音頻放大器可以在90%左右的效率水平下運(yùn)行,讓設(shè)計(jì)者能夠利用小型散熱器或者無(wú)需散熱器即可提供極高的音頻輸出。它已逐漸成為高端家用A/V設(shè)備以及移動(dòng)設(shè)備的首選拓?fù)?,能夠幫助設(shè)計(jì)者實(shí)現(xiàn)高性能與小尺寸組合,而這正是全世界用戶(hù)所期望和需要的。 現(xiàn)在,高集成度D類(lèi)放大器件,包括單個(gè)封裝內(nèi)的整個(gè)放大器模塊的出現(xiàn)讓企業(yè)能夠更快地將價(jià)格極具競(jìng)爭(zhēng)力的新產(chǎn)品推向市場(chǎng),并且其音頻性能達(dá)到或者超過(guò)了傳統(tǒng)的模擬放大器。因此,D類(lèi)音頻放大器近十年來(lái)市場(chǎng)突飛猛進(jìn),年復(fù)合增長(zhǎng)率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于應(yīng)用特殊型音頻器件。 D
- 關(guān)鍵字: IR D類(lèi)放大器
IR新品AUIRFN8403提供緊湊5x6mm PQFN封裝
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商——國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR)推出汽車(chē)級(jí)COOLiRFET功率MOSFET AUIRFN8403,適合需要極小占位面積和大電流性能的汽車(chē)應(yīng)用,包括泵電機(jī)控制和車(chē)身控制等。 使用緊湊5x6mm PQFN封裝的AUIRFN8403,是IR運(yùn)用該公司最先進(jìn)的COOLiRFET 40V溝道技術(shù)的全新器件系列的首款產(chǎn)品,具有3.3 mΩ超低導(dǎo)通電阻和95A大電流承載能力。PQFN封裝具有加長(zhǎng)管腳,管腳的端口通過(guò)電鍍進(jìn)行焊接,從而
- 關(guān)鍵字: IR MOSFET COOLiRFET
IR為工業(yè)應(yīng)用推出大罐式DirectFET MOSFET系列
- 球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出大罐式DirectFET MOSFET系列,適用于要求極低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的工業(yè)應(yīng)用,包括大功率直流電機(jī),直流/交流逆變器,以及動(dòng)態(tài)ORing熱插拔和電熔絲等大電流開(kāi)關(guān)應(yīng)用。 全新7mm x 9mm x 0.7mm大罐式封裝器件提供卓越的導(dǎo)通電阻性能,從而實(shí)現(xiàn)較低的導(dǎo)通損耗和更理想的系統(tǒng)效率。這款大罐式產(chǎn)品與中罐式和小罐式DirectFET器件相似,具備
- 關(guān)鍵字: IR MOSFET DirectFET
IR智慧型功率模組簡(jiǎn)化家電馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)
- 國(guó)際整流器(IR)推出第二代(Gen2)IRAM系統(tǒng)級(jí)封裝(System-In-Package,SIP)節(jié)能智慧型功率模組(IntelligentPowerModule)系列,有效縮小及簡(jiǎn)化空調(diào)、風(fēng)扇、壓縮機(jī)和洗衣機(jī)等家電馬達(dá)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的設(shè)計(jì)。 IR亞太區(qū)銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示,要超越IR上一代IRAM產(chǎn)品所建立的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)基準(zhǔn)并非易事,全新IRAMGen2平臺(tái)能夠利用下一代IRAM系統(tǒng)級(jí)封裝智慧型功率模組的先進(jìn)技術(shù),通過(guò)改善熱效能及減少電磁雜訊,以滿(mǎn)足市場(chǎng)對(duì)更高效家電應(yīng)用馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器與日俱增的需求
- 關(guān)鍵字: IR 驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)
一種新型雙陷波特性的超寬帶單極子天線(xiàn)設(shè)計(jì)
- 摘要 提出了一種新型雙陷波特性的超寬帶單極子天線(xiàn)。通過(guò)在介質(zhì)基板上添加錐形輻射貼片,天線(xiàn)可以覆蓋超寬帶通信頻段。在輻射貼片上引入上、下兩個(gè)錐形縫隙結(jié)構(gòu),可以實(shí)現(xiàn)3.5 GHz、5.5 GHz的雙陷波特性。天線(xiàn)實(shí)測(cè)模型電壓駐波比<2的阻抗帶寬是2.56~10.61GHz,其中3.18~3.76 GHz和4.4~5.75 GHz具有陷波特性。測(cè)試表明,天線(xiàn)在工作頻帶內(nèi)具有全向輻射特性。 20世紀(jì)90年代,超寬帶技術(shù)已經(jīng)應(yīng)用于軍事領(lǐng)域。隨著短距離無(wú)線(xiàn)通信的發(fā)展,2002年美國(guó)聯(lián)邦通信委員會(huì)劃分3.1~1
- 關(guān)鍵字: 天線(xiàn) UWB
非交叉饋電的印刷對(duì)數(shù)周期天線(xiàn)的頻域特性
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字: 對(duì)數(shù)周期天線(xiàn) 印刷天線(xiàn) 非交叉饋電 UWB
IR擴(kuò)充StrongIRFET系列
- 國(guó)際整流器公司?(International?Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR)?近日推出60V器件以擴(kuò)充StrongIRFET?MOSFET系列,適合多種工業(yè)應(yīng)用,包括電動(dòng)工具、輕型電動(dòng)車(chē)逆變器、直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、鋰離子電池組保護(hù)及開(kāi)關(guān)模式電源二次側(cè)同步整流等。 全新60V?StrongIRFET功率MOSFET系列具有可提升低頻應(yīng)用性能的超低導(dǎo)通電阻?(RDS(on))、極高的電流承載能力、軟體二極管,以及有助于提高噪聲免疫力的3V典型臨界
- 關(guān)鍵字: IR StrongIRFET MOSFET
ir-uwb介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)ir-uwb的理解,并與今后在此搜索ir-uwb的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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