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IR全新MOSFET具備快速本體二極管特性
- 功率半導(dǎo)體專家國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出全新600V HEXFET功率MOSFET系列,新器件具備快速本體二極管特性,專為零電壓開(kāi)關(guān) (ZVS) 電路等軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用度身訂造。ZVS技術(shù)能在開(kāi)關(guān)式電源 (SMPS)電路中實(shí)現(xiàn)最大效率,并能提高功率輸出,適用于當(dāng)今效率和可靠性極為重要的高速、寬帶電信及數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)。最新L系列HEXFET MOSFET由于具備快速本體二極管特性,因此無(wú)需在ZVS電路中添置額外肖特基及高壓二極管,減少了元件數(shù)目,節(jié)省了電路空間
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IR推出性能經(jīng)改良的電子繼電器
- 功率半導(dǎo)體專家國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出全新PVT412A微電子繼電器 (MER) 系列。與早前面世的PVT412 MER系列相比,新器件在 ±400V阻斷條件下的負(fù)載電流性能高出兩倍,器件通態(tài)電阻低出1/4,因此更具效率且性能更加穩(wěn)定。全新MER可取代機(jī)電式繼電器,大大增加了操作壽命及可靠性,且體積更小、敏感度更高。它們不僅具有無(wú)彈跳 (無(wú)噪音) 切換功能,還能實(shí)現(xiàn)更低起動(dòng)電流,以及高水平抗沖擊與振動(dòng)性能,有助降低功耗。IR中國(guó)及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國(guó)富
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IR公布2003財(cái)年第四季度業(yè)績(jī)
- 功率半導(dǎo)體專家國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 公布2003財(cái)年第四季度業(yè)績(jī),季內(nèi)營(yíng)業(yè)收益為2.284億美元,不包括早前公布有關(guān)遣散及重組活動(dòng)的開(kāi)支,模擬凈收入為1540萬(wàn)美元 (或每股 0.24美元)。公司去年同季的凈收入為1610萬(wàn)美元 (或每股 0.25美元),營(yíng)業(yè)收益則為2.01億美元。計(jì)入共380萬(wàn)美元的遣散及重組開(kāi)支后,IR第四季度的凈收入為1320萬(wàn)美元 (或每股 0.20美元)。IR第四季度的營(yíng)業(yè)收益在預(yù)定指標(biāo)上端,比上季度增加超過(guò)6%,比去年同
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IR全新16A額定集成功率模塊簡(jiǎn)化電機(jī)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)且節(jié)能
- 功率半導(dǎo)體專家國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 在其PlugNDrive集成功率模塊系列中推出新成員IRAMX16UP60A,全面簡(jiǎn)化變速電子電機(jī)控制電路。 最新16A額定IRAMX16UP60A模塊能為電子控制變速電機(jī)降低多達(dá)30%的能耗,并專為750W至1.2kW變速電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用而設(shè)計(jì),如室內(nèi)空調(diào)系統(tǒng)、商用冷藏柜及大容量洗衣機(jī)。 新功率模塊屬于IR iMOTION集成設(shè)計(jì)平臺(tái)系列一部分,將一個(gè)三相逆變器功率平臺(tái)、柵驅(qū)動(dòng)器和輔助電路結(jié)合在小巧的高性能絕緣型封裝
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IR推出絕緣型Co-Pack封裝NPT IGBT 提高變速電機(jī)驅(qū)動(dòng)器性能
- 功率半導(dǎo)體專家國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出全新600V非穿通型 (NPT) IGBT,它們采用TO-220全絕緣型封裝 (Full-Pak),絕緣能力保證不低于2kV。新器件與IR新一代超快軟恢復(fù)二極管組合封裝,采用IR先進(jìn)的薄硅片工藝制造。新工藝可增強(qiáng)電及熱性能,有助降低傳導(dǎo)損耗,卻不增加開(kāi)關(guān)損耗。全新IGBT是IR專為電機(jī)控制而設(shè)計(jì)的iMOTION集成設(shè)計(jì)平臺(tái)系列的一部分。新器件的工作結(jié)溫高達(dá)175°C,標(biāo)準(zhǔn)工作范圍比同類產(chǎn)品高出20%。另外,它們
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IR全新MOSFET具備快速本體二極管特性有效增強(qiáng)零電壓開(kāi)關(guān)操作
- 功率半導(dǎo)體專家國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出全新600V HEXFET功率MOSFET系列,新器件具備快速本體二極管特性,專為零電壓開(kāi)關(guān) (ZVS) 電路等軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用度身訂造。ZVS技術(shù)能在開(kāi)關(guān)式電源 (SMPS)電路中實(shí)現(xiàn)最大效率,并能提高功率輸出,適用于當(dāng)今效率和可靠性極為重要的高速、寬帶電信及數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)。最新L系列HEXFET MOSFET由于具備快速本體二極管特性,因此無(wú)需在ZVS電路中添置額外肖特基及高壓二極管,減少了元件數(shù)目,節(jié)省了電路空間
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IR推出性能經(jīng)改善良的電子繼電器
- 功率半導(dǎo)體專家國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出全新PVT412A微電子繼電器 (MER) 系列。與早先前面世的PVT412 MER系列相比,新器件在 ±400V阻斷條件下的負(fù)載電流性能高出兩倍,器件通態(tài)電阻低出1/4,因此更具效率且性能更加穩(wěn)定。全新MER可取代機(jī)電式繼電器,大大增加了操作壽命及可靠性,且體積更小、敏感度更高。它們不僅具有無(wú)彈跳 (無(wú)噪音) 切換功能,還能實(shí)現(xiàn)更低起動(dòng)電流,以及高水平抗沖擊與振動(dòng)性能,有助降低功耗。IR中國(guó)及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國(guó)
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IR為交錯(cuò)降壓直流-直流轉(zhuǎn)換器推出XPhase可擴(kuò)展性多相架構(gòu)
- 功率半導(dǎo)體專家國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出高度靈活和可擴(kuò)展的XPhase架構(gòu),適用于需要一個(gè)或更多相位的多相交錯(cuò)降壓直流-直流轉(zhuǎn)換器。首個(gè)Xphase芯片組配備了IR3081控制集成電路及IR3086相位集成電路,可提供超出CPU電壓調(diào)節(jié)組件 (VRM) 或VRD/EVRD 10.0要求的高性能解決方案,適用于服務(wù)器和高端臺(tái)式電腦內(nèi)最先進(jìn)的微處理器。IR XPhase架構(gòu)有別于其它只能驅(qū)動(dòng)有限相位的多相方案,它提供可擴(kuò)展的多相設(shè)計(jì),滿足先進(jìn)CPU瞬息萬(wàn)
- 關(guān)鍵字: IR
IR推出專攻高頻開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用的經(jīng)濟(jì)型大功率150kHz IGBT
- 功率半導(dǎo)體專家國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出全新WARP2 600V非穿透型 (NPT) IGBT,額定電流分50A、35A和20A三種。新器件的關(guān)斷性能經(jīng)特別改良,適用于電信和服務(wù)器系統(tǒng)中的大電流、高頻開(kāi)關(guān)電源電路。全新WARP2非穿透IGBT能以高于功率MOSFET的性能價(jià)格比,提供理想的性能和效率。這些IGBT與 HEXFRED二極管組合封裝,性能高于功率MOSFET中的集成體二極管。新器件采用TO-247及TO-220封裝。IR中國(guó)及香港銷售總監(jiān)
- 關(guān)鍵字: IR 模擬IC 電源
IR推出多用途80V MOSFET
- 功率半導(dǎo)體專家國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出IRF1312 型HEXFET功率MOSFET,額定電壓達(dá)80V,可用作隔離式直流-直流轉(zhuǎn)換器中的原邊和付邊MOSFET,專攻網(wǎng)絡(luò)通信及數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)領(lǐng)域。作為原邊MOSFET時(shí),IRF1312能用于高達(dá)60V最大輸入電壓,因此最適用于36V至60V及48V穩(wěn)壓輸入母線隔離式直流-直流轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中的半橋或全橋結(jié)構(gòu)。與同類75V MOSFET相比,其80V額定電壓提供額外6% 的防護(hù)帶,使設(shè)計(jì)更加堅(jiān)固耐用。IR中國(guó)
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IR推出運(yùn)行于更低溫度的高速隔離式整流器IGBT模塊
- 功率半導(dǎo)體專家國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出全新MTP隔離式開(kāi)關(guān)模塊系列,它們以氮化鋁陶瓷層進(jìn)行絕緣,在結(jié)點(diǎn)與外殼間發(fā)揮更佳導(dǎo)熱性能。該絕緣層的熱傳導(dǎo)性 (冷卻能力) 比用于同類器件的氧化鋁基板高出7倍之多。新模塊系列的額定電壓為600V和1200V,它們把高速I(mǎi)GBT和優(yōu)化的二極管結(jié)合在同一封裝內(nèi),有助節(jié)省空間和降低組裝成本,可取代分立式解決方案。新器件專為大電流工業(yè)電源而設(shè)計(jì),適用于高頻弧焊機(jī)及不間斷電源 (UPS)。IR中國(guó)及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國(guó)富先生
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IR推出可替代機(jī)電式繼電器的300V MOSFET功率器件
- 功率半導(dǎo)體專家國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出新產(chǎn)品IRF3000。它是一個(gè)300V、N溝道HEXFET功率MOSFET,用于取代多種電信及網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中的機(jī)電式繼電器。新器件是一種固態(tài)半導(dǎo)體,無(wú)機(jī)械部分,故可提高整體系統(tǒng)可靠性,且體積比機(jī)電式繼電器低30%之多。IRF3000比機(jī)電式繼電器更具效率,導(dǎo)通電阻比機(jī)械繼電器低90%以上,最大限度地減低了傳導(dǎo)損耗。新器件的柵電荷極低,可最大程度減低開(kāi)關(guān)損耗。IRF3000比繼電器更易驅(qū)動(dòng),有助簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)并降低整體
- 關(guān)鍵字: IR 繼電器
IR披露最高集成度智能功率模塊
- 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier)披露首個(gè)iNTERO可編程隔離式智能功率模塊 (PI-IPM),在單一封裝內(nèi)將功率平臺(tái)整合到嵌入式驅(qū)動(dòng)器板上,納入一個(gè)可編程數(shù)字信號(hào)處理器。新器件型號(hào)為PIIPM50P12B004,額定值為1200V和50A,具備電流傳感、隔離、柵驅(qū)動(dòng)器及功率平臺(tái)保護(hù)功能,可直接與電機(jī)驅(qū)動(dòng)器主機(jī)及輸入平臺(tái)接口,方案內(nèi)設(shè)有基本應(yīng)用指令集及開(kāi)發(fā)工具,效率高、堅(jiān)固耐用,噪音低。該模塊電流反饋環(huán)路頻寬5kHz,提供平直的安全操作區(qū),融合了IGBT技術(shù),采用EMP封
- 關(guān)鍵字: IR 模塊
IR推出更小的集成式開(kāi)關(guān)(6.29)
- 功率半導(dǎo)體專家國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR)推出高效、低成本強(qiáng)化集成開(kāi)關(guān)IRIS系列,將HEXFET功率MOSFET與控制集成電路結(jié)合在單一封裝內(nèi),可簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì),減少了印制電路板尺寸及25%的元件數(shù)目。與交流-直流開(kāi)關(guān)電源的分立電路相比,效率相同,甚至更佳。 全新IRIS集成開(kāi)關(guān)系列將一個(gè)低損耗全部雪崩能量HEXFET功率MOSFET與一個(gè)雙電壓及電流控制集成電路結(jié)合在單一封裝內(nèi),適用于通用輸入及單輸入60W至180W開(kāi)關(guān)電源的反激變換技術(shù)。
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ir介紹
紅外線 IrDA
紅外線IrDA,簡(jiǎn)稱IR,是一種無(wú)線通訊方式,可以進(jìn)行無(wú)線數(shù)據(jù)的傳輸。自1974年發(fā)明以來(lái),得到很普遍的應(yīng)用,如紅外線鼠標(biāo),紅外線打印機(jī),紅外線鍵盤(pán)等等。
紅外線的特征:紅外傳輸是一種點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的傳輸方式,無(wú)線,不能離的太遠(yuǎn),要對(duì)準(zhǔn)方向,且中間不能有障礙物也就是不能穿墻而過(guò),幾乎無(wú)法控制信息傳輸?shù)倪M(jìn)度;IrDA已經(jīng)是一套標(biāo)準(zhǔn),IR收/發(fā)的組件也是標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品。
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