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          光電器件、傳感器迎來快速增長期

          •   光電器件、傳感器/激勵器(actuator)和分立器件(O-S-D)由于市場規(guī)模不大,容易受到市場忽視。但2006-2011期間,預計其年平均增長率約10%,高于整體芯片市場9%的年均增售增長預測。   本世紀初期,手機和其它便攜式產(chǎn)品中顯示屏增長驅(qū)動,包括攝像頭手機和數(shù)碼相機的CMOS圖像傳感器、用于鍵盤背光系統(tǒng)的高亮度白光LED、手機和其它便攜產(chǎn)品的彩色顯示屏等。多年來,光電器件和分立器件的市場規(guī)模幾乎相等。但是預計到這十年末,光電半導體銷售收入將拉開與分立器件的距離。   在目前半導體業(yè)務中
          • 關鍵字: 光電器件  傳感器  CMOS  傳感器  

          45納米芯片方興未艾 32納米處理器09年登場

          •   中國芯片制造商中芯國際(SMIC)宣布,周四公司已經(jīng)對IBM的45納米集成電路制成技術加以認證。   SMIC說,公司將會采用IBM的CMOS技術制造300毫米晶圓片,這些晶圓片用于SMIC的制造工廠。CMOS,或者說金屬氧化物半導體元件,是微處理器所采用的一種主要的集成電路。   公司在一次聯(lián)合聲明中表示,IBM技術將被用于制造圖形處理芯片、芯片組、用于高端移動電話的元件,以及其他消費設備。該認證技術預期將對SMIC的65納米低端技術加以補充。   SMIC的總部設在上海,是中國最大的晶圓制造
          • 關鍵字: 芯片  45納米  CMOS  IC  制造制程  

          數(shù)字電源――一個模擬公司的觀點

          •   現(xiàn)在到處都在談論數(shù)字電源。新成立的公司和已經(jīng)取得牢固地位的半導體廠商都聲稱數(shù)字電源(或者更準確地說,是數(shù)字控制開關電源管理集成電路)比模擬為主的產(chǎn)品更勝一籌。他們說,新的數(shù)字電源具有更高的性能和更低的成本,將取代老式的、早已過時的模擬開關穩(wěn)壓器。人們將采用通用的數(shù)字CMOS工藝技術,而不再需要專有的模擬工藝技術,同時還將極大地降低成本。電源管理方式即將發(fā)生變化:要么數(shù)字化;要么請走開,別再擋路。   我們先花點時間來琢磨一下這個詞?!皵?shù)字電源”或“數(shù)字控制電源”有幾種不同的含意。最簡單的定義是通過數(shù)
          • 關鍵字: 數(shù)字電源  模擬  CMOS  嵌入式  

          TTL和CMOS電平總結(jié)

          •   1,TTL電平(什么是TTL電平):  輸出高電平>2.4V,輸出低電平<0.4V。在室溫下,一般輸出高電平是3.5V,輸出低電平是0.2V。最小輸入高電平和低電平:輸入高電平>=2.0V,輸入低電平<=0.8V,噪聲容限是0.4V。   2,CMOS電平:  1邏輯電平電壓接近于電源電壓,0邏輯電平接近于0V。而且具有很寬的噪聲容限。   3,電平轉(zhuǎn)換電路:  因為TTL和COMS的高低電平
          • 關鍵字: TTL  CMOS  電平  嵌入式系統(tǒng)  單片機  嵌入式  

          產(chǎn)生低失真正弦波的CMOS六角反相器

          •   本設計實例提供了一種可作為微控制器替代品的簡單、廉價及便攜式設備電路,來為音頻電路設計與調(diào)試提供各種低失真正弦波信號源。盡管從直接數(shù)字合成器 (dds) 產(chǎn)生的正弦波具有更高的穩(wěn)定性及更少的諧波成分和其他寄生頻率成分,但這是一種能讓設計人員采用凌特科技公司ltspice 免費件并磨礪其電路仿真技能的更具“顛覆性”的方法。振蕩器包括一個頻率測定網(wǎng)絡以及一種用于防止電路飽和、波形削波及諧波產(chǎn)生的振蕩幅度限制方法。許多音頻振蕩器設計均采用經(jīng)典維氏電橋帶通濾波器拓撲,并將白熾燈、熱敏電阻器或jfet 電路作為
          • 關鍵字: 正弦波  CMOS  數(shù)字合成器  放大器  

          CMOS邏輯門電路

          •   CMOS問世比TTL較晚,但發(fā)展較快,大有后來者居上、趕超并取代之勢。 1.組成結(jié)構   CMOS電路是互補型金屬氧化物半導體電路的英文字頭縮寫。它由絕緣場效應晶體管組成。由于只有一種載流子,因而是一種單極型晶體管集成電路。其基本結(jié)構是一個N溝道MOS管和一個P溝道MOS管,如圖1所示。由于兩管柵極工作電壓極性相反,故將兩管柵極相連作為輸入端,兩個漏極相連作為輸出端,如圖1(a)所示,則兩管正好互為負載,處于互補工作狀態(tài)。 圖1 CMOS電路基本結(jié)構示意圖
          • 關鍵字: CMOS  邏輯門電路  邏輯電路  

          賽普拉斯CMOS圖像傳感器將膠片和數(shù)字視頻結(jié)合用于電影拍攝

          •   賽普拉斯宣布其OSCAR定制CMOS圖像傳感器被整合至ARRI公司的ARRIFLEX D-20數(shù)字電影攝像機和ARRISCAN膠片掃描儀之中。這款600萬像素的傳感器與Super 35毫米膠片光圈的尺寸相同,這使得D-20攝像機在拍攝高清(HD)圖像時,能使用與35毫米膠片攝像機相同的定焦、變焦和特制鏡頭。最終的數(shù)字圖像與35毫米膠片的景深相同,同時允許電影制作人能將觀眾的注意力引導至畫面的特定部分,這種功能是一種極具創(chuàng)意價值的講述故事的手段。   OSCAR CMOS圖像傳感器賦予D-20攝像機以
          • 關鍵字: 賽普拉斯  圖像傳感器  CMOS  音視頻技術  

          賽普拉斯CMOS圖像傳感器將膠片和數(shù)字視頻結(jié)合用于電影拍攝

          • 定制圖像器材成為ARRI公司ARRIFLEX D-20數(shù)字電影攝像機和ARRISCAN膠片掃描儀的核心 2007年12月26日,北京訊,—賽普拉斯半導體公司(紐交所代碼CY)于近日宣布其OSCAR定制CMOS圖像傳感器被整合至ARRI公司的ARRIFLEX D-20數(shù)字電影攝像機和ARRISCAN膠片掃描儀之中。這款600萬像素的傳感器與Super 35毫米膠片光圈的尺寸相同,這使得D-20攝像機在拍攝高清(HD)圖像時,能使用與35毫米膠片攝像機相同的定焦、變焦和特制鏡頭。
          • 關鍵字: 賽普拉斯  CMOS  圖像傳感器  視頻  傳感器  

          基于0.13μm CMOS工藝的快速穩(wěn)定的高增益Telescopic放大器設計

          •   近年來,軟件無線電(Software Radio)的技術受到廣泛的關注。理想的軟件無線電臺要求對天線接收的模擬信號經(jīng)過放大后直接采樣,但是由于通常射頻頻率(GHz頻段)過高,技術上所限難以實現(xiàn),而多采用中頻采樣的方法。而對于百兆赫茲的射頻段,可以直接射頻帶通采樣,這就要求采樣系統(tǒng)有高的分辨率,而且其Nyquist頻率要求比較高。本文設計的用于軟件無線電臺12 b A/D轉(zhuǎn)換器中的高精度,高速運算放大器,采用了增益提高電路,在不影響頻率響應的同時,得到普通運放所達不到的高增益。   1 高精度,高速度
          • 關鍵字: 模擬技術  電源技術  軟件無線電  CMOS  放大器  放大器  

          凌力爾特擴大RS422/RS485 收發(fā)器產(chǎn)品系列,推出為高溫應用設計的“H 級”器件

          •   凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 擴大了 RS422/RS485 收發(fā)器產(chǎn)品系列,推出為高溫應用設計的“H 級”器件。LTC285xH 系列器件具有 -40oC 至 125oC 的擴展工作溫度范圍以及這些應用傳統(tǒng)上所需的屬性。這些新溫度級器件拓寬了凌力爾特公司業(yè)界標準低功率 CMOS 收發(fā)器產(chǎn)品線,有助于在汽車應用中常見的嚴酷環(huán)境條件下確保可靠數(shù)據(jù)傳輸。   凌力爾特公司的 LTC285xH 系列收發(fā)器有多種選擇。精選版本具有轉(zhuǎn)換率限制,同時其它版本具有接
          • 關鍵字: 模擬技術  電源技術  凌力爾特  RS422  CMOS  

          意法半導體(ST)芯片向先進的45nm CMOS 射頻技術升級

          •   意法半導體宣布該公司成功地制造出了第一批采用CMOS 45nm 射頻 (RF)制造技術的功能芯片。這項先端技術對于下一代無線局域網(wǎng)(WLAN)應用產(chǎn)品至關重要。   這些系統(tǒng)級芯片(SoC)是在ST的法國Crolles 300mm 晶圓生產(chǎn)線制造的,原型產(chǎn)品集成了從初級RF信號檢測到下一步信號處理需要的數(shù)字數(shù)據(jù)輸出的全部功能鏈。這些原型芯片具有最先進的性能和最高的密度(低噪放大器、混頻器、模數(shù)轉(zhuǎn)換器和濾波器都工作在1.1V下,整個電路僅占用0.45mm2)。   ST的半導體成就歸功于公司開發(fā)CM
          • 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機  意法半導體  45nm  CMOS  EDA  IC設計  

          2007年12月10日,ST推出采用CMOS 45nm射頻制造技術的功能芯片

          •   2007年12月10日,意法半導體宣布成功地推出第一批采用CMOS45nm射頻制造技術的功能芯片。 ?
          • 關鍵字: ST  CMOS  45nm  射頻  

          CMOS集成電路設計中電阻設計方法的研究

          • 討論了集成電路設計中多晶硅條電阻、MOS管電阻和電容電阻等3種電阻器的實現(xiàn)方法,論述了他們各自的優(yōu)點、缺點及其不同的作用
          • 關鍵字: CMOS  集成電路設計  電阻  設計方法    

          以有源電感為負載的CMOS寬帶LNA設計

          • 本文設計了一個基于數(shù)字CMOS工藝的以有源電感為負載的寬帶低噪聲放大器,其中包括了級聯(lián)型有源電感的優(yōu)化設計。
          • 關鍵字: CMOS  LNA  有源電感  負載    

          CMOS圖像傳感器中時問延遲積分的實現(xiàn)與優(yōu)化

          •   1 引 言   利用高速線掃描攝像機進行監(jiān)控,具有在線監(jiān)控、高精度和高速度的特點[1,2],一般常見的線掃描攝像機,感光器上的每個像素在進行動態(tài)掃描時,每次僅對移動中的物體做一次曝光,而時間延遲積分(TDI)電路具備較多且有效的積分時間,從而增強信號的輸出強度。目前,TDI技術的研究多局限于CCD工藝。CCD器件是實現(xiàn)TDI的理想器件,它能夠?qū)崿F(xiàn)無噪聲的電荷累加[3~5],但傳統(tǒng)CCD圖像傳感器技術存在驅(qū)動電路和信號處理電路難與CCD成像陣列單片集成,需要較高的工作電壓,不能與深亞微米超大規(guī)模集成電
          • 關鍵字: 模擬技術  電源技術  TDI  CMOS  圖像傳感器  傳感器  執(zhí)行器  
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