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          J-K觸發(fā)器組成分頻、計(jì)數(shù)電路及真值表分析

          • 圖A所示是用CMOS電路J-K觸發(fā)器組成的除2加法計(jì)數(shù)線路,表A是其真值表。圖B所示是除3加法計(jì)數(shù)線路,表B是其真值表。
          • 關(guān)鍵字: 真值  分析  電路  計(jì)數(shù)  觸發(fā)器  組成  J-K  

          使用結(jié)型FET的簡易電壓控制放大器電路及工作原理

          • 電路的功能在VCA(電壓控制放大器)。由反饋環(huán)路組成電路時(shí),通過控制反正電壓來改變放大器增益。所以傳統(tǒng)的作法是利用二極管的單向特性或采用CDS光耦合器。而在本電路中,是利用柵極源極之間的電壓使溝道電阻發(fā)生變
          • 關(guān)鍵字: FET  結(jié)型  電壓控制  放大器電路    

          保護(hù)汽車?yán)鋮s風(fēng)扇模塊免受熱失控引起的損壞

          • 在嚴(yán)苛的汽車環(huán)境中,各種功率場效應(yīng)晶體管(power FET,功率FET),被一貫地認(rèn)為可承受極端的溫度變化和熱機(jī)械應(yīng)力。間歇性短路、寒冷的運(yùn)行環(huán)境、高壓電弧或有噪聲性短路,連同電感負(fù)載及多次短路久而久之會(huì)讓該器件疲損,致使其進(jìn)入開路、短路或阻性模式。
          • 關(guān)鍵字: RTP器件  FET  

          通過優(yōu)化變換器的FET開關(guān)來改善能量效率

          •  在計(jì)算和消費(fèi)電子產(chǎn)品中,效率已經(jīng)有了顯著的提高,重點(diǎn)是AC/DC轉(zhuǎn)換上。不過,隨著80 PLUS,Climate Savers以及EnergyStar 5等規(guī)范的出現(xiàn),設(shè)計(jì)人員開始認(rèn)識(shí)到,AC/DC和DC/DC功率系統(tǒng)都需要改進(jìn)?! C/DC平均系統(tǒng)
          • 關(guān)鍵字: 改善  能量  效率  開關(guān)  FET  優(yōu)化  變換器  通過  

          用射頻開關(guān)優(yōu)化智能手機(jī)信號(hào)

          • 智能手機(jī)代表了射頻個(gè)人通信最前沿、也最具挑戰(zhàn)性的射頻產(chǎn)品設(shè)計(jì)之一。這些第三代(3G)蜂窩多模多頻設(shè)備基于...
          • 關(guān)鍵字: 射頻開關(guān)  隔離度  插損  FET  pHEMT  

          Intersil集成化開關(guān)穩(wěn)壓器簡化電源設(shè)計(jì)

          • 簡介   一提到電源設(shè)計(jì),大多數(shù)工程師都會(huì)感到撓頭,他們往往會(huì)問,“從哪里入手呢?”。首先必須確定電源的拓?fù)洹ń祲?、升壓、flyback、半橋和全橋等。
          • 關(guān)鍵字: intersil  FET  DC/DC  

          MOS-FET與電子管OTL功放的制作

          MOS—FET末級無負(fù)反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器

          • MOS—FET末級無負(fù)反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器
          • 關(guān)鍵字: 功率放大器  MOS—FET  

          MOS—FET甲乙類功率放大器

          TI 小貼士:圖例理FET知識(shí)

          • 您可以通過周期性地收集大量的ADC輸出轉(zhuǎn)換采樣來生成FFT圖。一般而言,ADC廠商們將一種單音、滿量程模擬...
          • 關(guān)鍵字: FET  

          手把手教你讀懂FET選取合適器件

          • 現(xiàn)在;一臺(tái)臺(tái)電源,幾乎都能發(fā)現(xiàn)FET的影子。幾乎每個(gè)電源工程師都用過這東西,或用來逆變;或用來整流;或就當(dāng)個(gè)開關(guān)...
          • 關(guān)鍵字: FET  

          CISSOID推出高溫度30V小訊號(hào)P-FET場效應(yīng)管

          •   CISSOID,在高溫半導(dǎo)體方案的領(lǐng)導(dǎo)者推出了一個(gè)行星家族(高溫度晶體管及開關(guān))的新成員.火星是一個(gè)高溫度30V小訊號(hào)P-FET場效應(yīng)管, 適合于-55 ° C至+225° C高溫可靠運(yùn)作. 由于它耐于極端溫度,只有14pF的輸入電容值及于+225° C下最高只有400nA閘極漏電流. 所以這30V晶體管非常適合于高溫度傳感器介面,例如壓電傳感器或保護(hù)放大器.   
          • 關(guān)鍵字: CISSOID  P-FET  

          J-K觸發(fā)器組成可逆計(jì)數(shù)器電路圖

          • 圖中所示是J-K觸發(fā)器組成可逆計(jì)數(shù)器電路。要求計(jì)數(shù)器能夠在一定條件下,從加法計(jì)數(shù)改換成減法計(jì)數(shù),也可以從減法計(jì)數(shù)變成加法計(jì)數(shù),這種計(jì)數(shù)器叫可逆計(jì)數(shù)器。圖示線路當(dāng)可逆
          • 關(guān)鍵字: 計(jì)數(shù)器  電路圖  可逆  組成  觸發(fā)器  J-K  

          J-K觸發(fā)器組成分頻、計(jì)數(shù)電路圖

          • 圖A所示是用CMOS電路J-K觸發(fā)器組成的除2加法計(jì)數(shù)線路,表A是其真值表。圖B所示是除3加法計(jì)數(shù)線路,表B是其真值表。
          • 關(guān)鍵字: 電路圖  計(jì)數(shù)  組成  觸發(fā)器  J-K  

          如何對反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓進(jìn)行緩沖

          •   圖 1 顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級和一次側(cè) MOSFET 電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲(chǔ)于一個(gè)變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關(guān)閉時(shí)將其釋放到次級繞組。由于變壓器的漏極電感會(huì)使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上,因
          • 關(guān)鍵字: 進(jìn)行  緩沖  電壓  關(guān)斷  轉(zhuǎn)換器  FET  如何  
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