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很基礎(chǔ)的MOS管知識(shí)
- 半導(dǎo)體三極管中參與導(dǎo)電的有兩種極性的載流子，所以也稱為雙極型三極管。本文將介紹另一種三極管，這種三極管只有一種載流子參與導(dǎo)電，所以也稱為單極型三極管，因?yàn)檫@種管子是利用電場效應(yīng)控制電流的，所以也叫場效應(yīng)三極管（FET），簡稱場效應(yīng)管。場效應(yīng)管可以分成兩大類，一類是結(jié)型場效應(yīng)管（JFET），另一類是絕緣柵場效應(yīng)管（MOSFET）。在如果你在某寶里搜索“場效應(yīng)管”你會(huì)發(fā)現(xiàn)，搜索出來的基本上是絕緣柵場效應(yīng)管。即使搜索“結(jié)型場效應(yīng)管”，出來的也只有幾種，你是不是懷疑結(jié)型場效應(yīng)管已經(jīng)被人類拋棄了的感覺，沒錯(cuò)，JFE
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還分不清結(jié)型場效應(yīng)管與絕緣柵？看這一文就夠了，圖表展現(xiàn)
- JFET 與 MOSFET的區(qū)別JFET 和 MOSTFET 之間的主要區(qū)別在于，通過 JFET 的電流通過反向偏置 PN 結(jié)上的電場引導(dǎo)，而在 MOSFET 中，導(dǎo)電性是由于嵌入在半導(dǎo)體上的金屬氧化物絕緣體中的橫向電場。JFET 與 MOSFET的區(qū)別兩者之間的下一個(gè)關(guān)鍵區(qū)別是，JFET 允許的輸入阻抗比 MOSFET 小，因?yàn)楹笳咔度肓私^緣體，因此漏電流更少。JFET?通常被稱為“ON 器件”是一種耗盡型工具，具有低漏極電阻，而?MOSFET?通常被稱為“OFF 器件”，
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結(jié)型場效應(yīng)管極性判斷方法，幫你搞定jfet極性判斷
- 今天給大家講講結(jié)型場效應(yīng)管極性判斷方法。用萬用表來判斷JFET極性相對(duì)來說比較簡單，因?yàn)橹挥幸粋€(gè)PN結(jié)要測：要么在柵極和源極之間測量，要么在柵極和漏極之間測量。1、結(jié)型場效應(yīng)管極性判斷方法--引腳識(shí)別JFET的柵極對(duì)應(yīng)晶體管的基極，源極對(duì)應(yīng)晶體管的發(fā)射極，漏極對(duì)應(yīng)晶體管的集電極。在這之前講過關(guān)于三極管測好壞的方法，極性的判斷?？梢渣c(diǎn)擊標(biāo)題直接跳轉(zhuǎn)。三極管的測量方法和管腳辨別方法，一文總結(jié)，幾分鐘教你學(xué)會(huì)將萬用表設(shè)置為“R×1k”，用兩根表筆測量 每兩個(gè)引腳之間的正反向電阻。當(dāng)兩個(gè)引腳的正反向電阻均為幾千歐
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如何成為硬件高手
- 摘要：駕駛著進(jìn)取號(hào)電子飛船，從發(fā)射區(qū)進(jìn)入充滿黑洞的基區(qū)，一些同伴被黑洞束縛，一些擄去另一世界，你幸運(yùn)地躲過一劫飛到集電結(jié)，受到強(qiáng)大的吸力快速渡越出集電區(qū)，漫游在低阻導(dǎo)線上，松了一口氣。然而前路不如你所愿地一帆風(fēng)順，阻力重重的負(fù)載中到處碰壁…… 古人學(xué)問無遺力，少壯工夫老始成。若問硬件速成法，猶似浮沙立大廈。千萬別認(rèn)為看后就能成為高手，當(dāng)然筆者亦非高手，水滴石穿又豈是朝夕之功!謹(jǐn)以過往經(jīng)歷和拙見與在校學(xué)生朋友和剛工作的工程師分享共勉?！ ±碚搶W(xué)習(xí) 沒有滿腹經(jīng)綸，何能出口成章。但覺得書海茫茫，不知從何
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結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)的基礎(chǔ)知識(shí)
- 結(jié)構(gòu)與符號(hào)： ? ? 在N區(qū)兩側(cè)擴(kuò)散兩個(gè)P+區(qū)，形成兩個(gè)PN結(jié)。兩個(gè)P+區(qū)相連，引出柵極g。N體的上下兩端分別引出漏極d和源極s。 導(dǎo)電原理： ? ? (1)VGS=0時(shí)，N型棒體導(dǎo)電溝道最寬(N型區(qū))。有了VDS后，溝道中的電流最大?！ ?2)VGS<0時(shí)，耗盡層加寬(主要向溝道一測加寬)，并向溝道中間延伸，溝道變窄。 當(dāng)VGS
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CMOS放大器和JFET放大器的輸入偏置電流
- 由于具有較低的偏置電流，人們經(jīng)常選用CMOS和JFET運(yùn)算放大器。然而你應(yīng)該意識(shí)到，這個(gè)事實(shí)還與很多其它的原因相關(guān)?！ MOS晶體管的柵極 (CMOS運(yùn)算放大器的輸入端)有極低的輸入電流。必須設(shè)計(jì)附加的電路來對(duì)脆弱的柵極進(jìn)行ESD和EOS保護(hù)。這些附加的電路是輸入偏置電流的主要來源。這些保護(hù)電路一般都通過在電源軌之間接入鉗位二極管來實(shí)現(xiàn)。圖1a中的OPA320就是一個(gè)例子。這些二極管會(huì)存在大約幾皮安的漏電流。當(dāng)輸入電壓大約達(dá)到電源軌中間值的時(shí)候，漏電流匹配的相當(dāng)好，僅僅會(huì)存在小于1皮安的殘余誤差電流
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場效應(yīng)管工作原理- -場效應(yīng)管工作原理也瘋狂
- 一、場效應(yīng)管的工作原理- -概念 場效應(yīng)管(FET)是場效應(yīng)晶體管(field-effect transistor)的簡稱，由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，也稱為單極性場效應(yīng)管，是一種常見的利用輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種電壓控制性半導(dǎo)體器件，場效應(yīng)管不但具有雙極性晶體管體積小、重量輕、壽命長等優(yōu)點(diǎn)，而且輸入回路的內(nèi)阻高達(dá)107~1012Ω，噪聲低，熱穩(wěn)定性好，抗輻射能力強(qiáng)，且比后者耗電省，這些優(yōu)點(diǎn)使之從20世紀(jì)60年代誕生起就廣泛地應(yīng)用于各種電子電路之中。 二、
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Power Integrations將銷售SiC二極管和JFET
- 用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日宣布同SemiSouth Laboratories簽署代表其在歐洲以外市場銷售創(chuàng)新的碳化硅(SiC)二極管和JFET系列產(chǎn)品的協(xié)議。
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德州儀器推出業(yè)界速度最快的 JFET 輸入放大器
- 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出 OPA653 與 OPA659 JFET 輸入運(yùn)算放大器，其可實(shí)現(xiàn)3 倍于同類競爭產(chǎn)品的 2675 V/us 壓擺率，從而可顯著提高脈沖響應(yīng)。上述放大器將寬帶電壓反饋放大器與高阻抗 JFET 輸入級(jí)完美結(jié)合，可通過其高頻率帶寬和低總諧波失真充分滿足頻率域與 FET 分析的需求。 OPA653 與 OPA659 的主要特性與優(yōu)勢 業(yè)界最佳的壓擺率與低失真可提高時(shí)間域和脈沖型應(yīng)用的信號(hào)完整性： o OPA653 是一款具有 2675
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jfet介紹
最早具有實(shí)際結(jié)構(gòu)的場效應(yīng)晶體管是在N型或者P型半導(dǎo)體基片上制作一對(duì)PN結(jié)及相應(yīng)的金屬電極，兩個(gè)PN結(jié)之間有導(dǎo)電溝道，通過改變外加PN界的反向偏置電壓，以改變PN結(jié)耗盡層的厚度，從而達(dá)到改變溝道區(qū)載流子密度以控制溝道輸出電流的目的，因此，這種場效應(yīng)管也被稱為PN結(jié)型場效應(yīng)晶體管，即PN JFET（PN Junction FET），通常也稱JFET。
什么是 JFET
一種單極的三層晶 [ 查看詳細(xì) ]
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