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羅姆的第 4 代SiC MOSFET成功應(yīng)用于日立安斯泰莫的純電動(dòng)汽車逆變器
- 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)的第4代SiC MOSFET和柵極驅(qū)動(dòng)器IC已被日本先進(jìn)的汽車零部件制造商日立安斯泰莫株式會(huì)社(以下簡(jiǎn)稱“日立安斯泰莫”)用于其純電動(dòng)汽車(以下簡(jiǎn)稱“EV”)的逆變器。在全球?qū)崿F(xiàn)無碳社會(huì)的努力中,汽車的電動(dòng)化進(jìn)程加速,在這種背景下,開發(fā)更高效、更小型、更輕量的電動(dòng)動(dòng)力總成系統(tǒng)已經(jīng)成為必經(jīng)之路。尤其是在EV領(lǐng)域,為了延長(zhǎng)續(xù)航里程并減小車載電池的尺寸,提高發(fā)揮驅(qū)動(dòng)核心作用的逆變器的效率已成為一個(gè)重要課題,業(yè)內(nèi)對(duì)碳化硅功率元器件寄予厚望。 羅姆自2010年
- 關(guān)鍵字: 羅姆 SiC MOSFET 日立安斯泰莫 純電動(dòng)汽車逆變器
一文讀懂功率半導(dǎo)體
- 功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。凡是在擁有電流電壓以及相位轉(zhuǎn)換的電路系統(tǒng)中,都會(huì)用到功率器件,MOSFET、IGBT主要作用在于將發(fā)電設(shè)備產(chǎn)生的電壓和頻率雜亂不一的“粗電”通過一系列的轉(zhuǎn)換調(diào)制變成擁有特定電能參數(shù)的“精電”、供給需求不一的用電終端,為電子電力變化裝置的核心器件之一。在分立器件發(fā)展過程中,20世紀(jì)50年代,功率二極管、功率三極管面世并應(yīng)用于工業(yè)和電力系統(tǒng)。20世紀(jì)60至70年代,晶閘管等半導(dǎo)體功率器件快速發(fā)展。20世紀(jì)70年代
- 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體 MOSFET IGBT
國(guó)星光電 NS62m 碳化硅功率模塊上線:可用于傳統(tǒng)工控、儲(chǔ)能逆變、充電樁等
- IT之家 12 月 12 日消息,國(guó)星光電研究院基于寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅技術(shù),全新推出“NS62m SiC MOSFET 功率模塊新品”,可應(yīng)用于傳統(tǒng)工控、儲(chǔ)能逆變、UPS、充電樁、軌道交通和其他功率變換領(lǐng)域。面向儲(chǔ)能逆變器市場(chǎng),國(guó)星光電 NS62m 功率模塊新品依托 SiC MOSFET 芯片的性能,提高了功率模塊的電流密度以及開關(guān)頻率,降低了開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗,減少了無源器件的使用和冷卻裝置的尺寸,最終達(dá)到降低系統(tǒng)成本、提升系統(tǒng)效率的目的。國(guó)星光電 NS62m 功率模塊采用標(biāo)準(zhǔn)型封裝,半橋拓?fù)?/li>
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OBC DC/DC SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)選型及供電設(shè)計(jì)要點(diǎn)
- 新能源汽車動(dòng)力域高壓化、小型化、輕型化是大勢(shì)所趨。更高的電池電壓如800V系統(tǒng)要求功率器件具有更高的耐壓小型化要求功率拓?fù)渚哂懈叩拈_關(guān)頻率。碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體代表,具有高頻率、高效率、小體積等優(yōu)點(diǎn),更適合車載充電機(jī)OBC、直流變換器 DC/DC、電機(jī)控制器等應(yīng)用場(chǎng)景高頻驅(qū)動(dòng)和高壓化的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)。本文主要針對(duì)SiC MOSFET的應(yīng)用特點(diǎn),介紹了車載充電機(jī)OBC和直流變換器DC/DC應(yīng)用中的SiC MOSFET的典型使用場(chǎng)景,并針對(duì)SiC MOSFET的特性推薦了驅(qū)動(dòng)芯片方案。最后,本文根
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Si對(duì)比SiC MOSFET 改變技術(shù)—是正確的做法
- 相比基于硅(Si)的MOSFET,基于碳化硅(SiC)的MOSFET器件可實(shí)現(xiàn)更高的效率水平,但有時(shí)難以輕易決定這項(xiàng)技術(shù)是否更好的選擇。本文將闡述需要考慮哪些標(biāo)準(zhǔn)因素。超過 1000 V 電壓的應(yīng)用通常使用IGBT解決方案。但現(xiàn)在的SiC 器件性能卓越,能夠?qū)崿F(xiàn)快速開關(guān)的單極組件,可替代雙極 IGBT。這些SiC器件可以在較高的電壓下實(shí)施先前僅僅在較低電壓 (<600 V) 下才可行的應(yīng)用。與雙極 IGBT 相比,這些基于 SiC 的 MOSFET 可將功率損耗降低多達(dá) 80%。英飛凌進(jìn)一步優(yōu)化了
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專為工業(yè)應(yīng)用而設(shè)計(jì)的MOSFET—TOLT封裝
- 近年來,工業(yè)應(yīng)用對(duì)MOSFET 的需求越來越高。從機(jī)械解決方案和更苛刻的應(yīng)用條件都要求半導(dǎo)體制造商開發(fā)出新的封裝方案和實(shí)施技術(shù)改進(jìn)。從最初的通孔封裝(插件)到 DPAK 或 D2PAK 等表面貼裝器件 (SMD),再到最新的無引腳封裝,以及內(nèi)部硅技術(shù)的顯著改進(jìn),MOSFET 解決方案正在不斷發(fā)展,以更好地滿足工業(yè)市場(chǎng)新的要求。本文介紹了 TOLT 的封裝方案、熱性能和電路板的可靠性。關(guān)鍵特性,主要優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用目標(biāo)應(yīng)用市場(chǎng)英飛凌公司的 TOLT(JEDEC:HDSOP-16),封裝OptiMOS? 5 功率
- 關(guān)鍵字: Arrow MOSFET
ROHM開發(fā)出具有絕緣構(gòu)造、小尺寸、超低功耗的MOSFET
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出一款小型且高效的20V耐壓Nch MOSFET*1“RA1C030LD”,該產(chǎn)品非常適用于可穿戴設(shè)備、無線耳機(jī)等可聽戴設(shè)備、智能手機(jī)等輕薄小型設(shè)備的開關(guān)應(yīng)用。近年來,隨著小型設(shè)備向高性能化和多功能化方向發(fā)展,設(shè)備內(nèi)部所需的電量也呈增長(zhǎng)趨勢(shì),電池尺寸的增加,導(dǎo)致元器件的安裝空間越來越少。另外,電池的尺寸增加也是有限制的,為了更有效地利用有限的電池電量,就需要減少用電元器件的功率損耗。針對(duì)這種需求,開發(fā)易于小型化而且特性優(yōu)異的晶圓級(jí)芯片尺寸封裝的MOSF
- 關(guān)鍵字: ROHM MOSFET
SiC MOSFET和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對(duì)比
- 富昌電子(Future Electronics)一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù),為客戶打造個(gè)性化的解決方案,并縮短產(chǎn)品設(shè)計(jì)周期。在第三代半導(dǎo)體的實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域,富昌電子結(jié)合自身的技術(shù)積累和項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn),落筆于SiC相關(guān)設(shè)計(jì)的系列文章。希望以此給到大家一定的設(shè)計(jì)參考,并期待與您進(jìn)一步的交流。前兩篇文章我們分別探討了SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)電壓,以及SiC器件驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中的寄生導(dǎo)通問題。本文作為系列文章的第三篇,會(huì)從SiC MOS寄生電容損耗與傳統(tǒng)Si MOS作比較,給出分析和計(jì)算過程,供設(shè)計(jì)工程師在選擇功率開關(guān)器件時(shí)
- 關(guān)鍵字: 富昌電子 MOSFET
通過轉(zhuǎn)向1700V SiC MOSFET,無需考慮功率轉(zhuǎn)換中的權(quán)衡問題
- 高壓功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對(duì)持續(xù)創(chuàng)新的需求?;诠璧慕鉀Q方案在效率和可靠性方面通常無法兼得,也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰(zhàn)性的要求。不過,隨著高壓碳化硅(SiC)MOSFET的推出,設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在有機(jī)會(huì)在提高性能的同時(shí),應(yīng)對(duì)所有其他挑戰(zhàn)。 在過去20年間,額定電壓介于650V至1200V的SiC功率器件的采用率越來越高,如今的1700V SiC產(chǎn)品便是在其成功的基礎(chǔ)上打造而成。技術(shù)的進(jìn)步推動(dòng)終端設(shè)備取得了極大的發(fā)展;如今,隨著額定電壓為1700V的功率器件的推出,
- 關(guān)鍵字: SiC MOSFET 功率轉(zhuǎn)換
RS瑞森半導(dǎo)體超高壓MOSFET 900V-1500V填補(bǔ)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)空白
- 現(xiàn)階段半導(dǎo)體市場(chǎng),900V-1500V的超高壓MOSFET幾乎被進(jìn)口品牌壟斷,并存在價(jià)格高、交付周期長(zhǎng)等問題,為填補(bǔ)國(guó)內(nèi)該項(xiàng)系列產(chǎn)品的市場(chǎng)空白,瑞森半導(dǎo)體采用新型的橫向變摻雜技術(shù),利用特殊的耐壓環(huán)和晶胞設(shè)計(jì),研發(fā)出電壓更高、導(dǎo)通內(nèi)阻更低的超高壓系列MOS管,打破了進(jìn)口品牌壟斷的局面 。一、破局進(jìn)口品牌壟斷現(xiàn)階段半導(dǎo)體市場(chǎng),900V-1500V的超高壓MOSFET幾乎被進(jìn)口品牌壟斷,并存在價(jià)格高、交付周期長(zhǎng)等問題,為填補(bǔ)國(guó)內(nèi)該項(xiàng)系列產(chǎn)品的市場(chǎng)空白,瑞森半導(dǎo)體采用新型的橫向變摻雜技術(shù),利用特殊的耐壓環(huán)和晶胞設(shè)
- 關(guān)鍵字: RS瑞森半導(dǎo)體 MOSFET
單芯片驅(qū)動(dòng)器+ MOSFET技術(shù) 改善電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)
- 本文介紹最新的驅(qū)動(dòng)器+ MOSFET(DrMOS)技術(shù)及其在穩(wěn)壓器模塊(VRM)應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)。單芯片DrMOS組件使電源系統(tǒng)能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能,進(jìn)而增強(qiáng)最終應(yīng)用的整體性能。隨著技術(shù)的進(jìn)步,多核架構(gòu)使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速。因此,這些組件需要的功率急劇增加。微處理器所需的此種電源由穩(wěn)壓器模塊(VRM)提供。在該領(lǐng)域,推動(dòng)穩(wěn)壓器發(fā)展的主要有兩個(gè)參數(shù)。首先是穩(wěn)壓器的功率密度(單位體積的功率),為了在有限空間中滿足系統(tǒng)的高功率要求,必須大幅提高功率密度。另一個(gè)參數(shù)是功率轉(zhuǎn)換效率,高
- 關(guān)鍵字: 單芯片 驅(qū)動(dòng)器 MOSFET DrMOS 電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)
安森美:聚焦SiC產(chǎn)能擴(kuò)建,推出最新MOSFET產(chǎn)品
- 近日,安森美公布了2022年第三季度業(yè)績(jī),其三季度業(yè)績(jī)直線上揚(yáng),總營(yíng)收21.93億美元,同比增長(zhǎng)25.86%;毛利10.58億美元,同比增長(zhǎng)46.82%。財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)顯示,其三大業(yè)務(wù)中,智能電源組營(yíng)收為11.16億美元,同比增長(zhǎng)25.1%;高級(jí)解決方案組營(yíng)收7.34億美元,同比增長(zhǎng)19.7%;智能感知組營(yíng)收為3.42億美元,同比增長(zhǎng)44.7%,三大業(yè)務(wù)全線保持增長(zhǎng)。自安森美總裁兼首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury加入安森美后,安森美執(zhí)行了一系列的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型,聚焦于智能電源和智能感知兩大領(lǐng)域,從傳統(tǒng)的I
- 關(guān)鍵字: 安森美 SiC MOSFET
Nexperia推出用于熱插拔的全新特定型應(yīng)用MOSFET (ASFET),SOA性能翻倍
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布擴(kuò)展其適用于熱插拔和軟啟動(dòng)的ASFET產(chǎn)品組合,推出10款全面優(yōu)化的25V和30V器件。新款器件將業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的安全工作區(qū)(SOA)性能與超低的RDS(on)相結(jié)合,非常適合用于12V熱插拔應(yīng)用,包括數(shù)據(jù)中心服務(wù)器和通信設(shè)備。 多年來,Nexperia致力于將成熟的MOSFET專業(yè)知識(shí)和廣泛的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)結(jié)合起來,增強(qiáng)器件中關(guān)鍵MOSFET的性能,滿足特定應(yīng)用的要求,以打造市場(chǎng)領(lǐng)先的ASFET。自ASFET推出以來,針對(duì)電池隔離(BMS)、直流
- 關(guān)鍵字: Nexperia MOSFET ASFET SOA
安森美推出采用創(chuàng)新Top Cool封裝的MOSFET
- 2022年11月17日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi,美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào):ON),宣布推出新系列MOSFET器件,采用創(chuàng)新的頂部冷卻,幫助設(shè)計(jì)人員解決具挑戰(zhàn)的汽車應(yīng)用,特別是電機(jī)控制和DC-DC轉(zhuǎn)換。 新的Top Cool器件采用TCPAK57封裝,尺寸僅5mm x 7mm,在頂部有一個(gè)16.5 mm2的熱焊盤,可以將熱量直接散發(fā)到散熱器上,而不是通過傳統(tǒng)的印刷電路板(以下簡(jiǎn)稱“PCB”)散熱。采用TCPAK57封裝能充分使用PCB的兩面,減少PCB發(fā)熱,從而提高功率密度
- 關(guān)鍵字: 安森美 Top Cool封裝 MOSFET
如何將第三代 SiC MOSFET 應(yīng)用于電源設(shè)計(jì)以提高性能和能效
- 在各種電源應(yīng)用領(lǐng)域,例如工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、AC/DC 和 DC/DC 逆變器/轉(zhuǎn)換器、電池充電器、儲(chǔ)能系統(tǒng)等,人們不遺余力地追求更高效率、更小尺寸和更優(yōu)性能。性能要求越來越嚴(yán)苛,已經(jīng)超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力,因而基于碳化硅 (SiC) 的新型晶體管架構(gòu)應(yīng)運(yùn)而生。在各種電源應(yīng)用領(lǐng)域,例如工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、AC/DC 和 DC/DC 逆變器/轉(zhuǎn)換器、電池充電器、儲(chǔ)能系統(tǒng)等,人們不遺余力地追求更高效率、更小尺寸和更優(yōu)性能。性能要求越來越嚴(yán)苛,已經(jīng)超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力,因而
- 關(guān)鍵字: Digi-Key MOSFET
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