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          <label id="pryje"></label>
          


          
	
  	
          
	
          
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          繼2012年表現(xiàn)黯淡之后 中國功率MOSFET市場將恢復生機
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　在綠色能源和節(jié)能計劃的帶動下，加之出口回升，預計今年中國市場的功率MOSFET出貨量繼2011年大幅下滑之后反彈。這暗示中國以及其它主要全球經(jīng)濟體的形勢好轉。功率MOSFET廣泛用于多種電子產(chǎn)品與系統(tǒng)之中。
　　據(jù)IHS公司的中國研究專題報告，今年中國功率MOSFET產(chǎn)業(yè)的營業(yè)收入預計為22.5億美元，比2012年的21.8億美元增長3%。去年該市場比2011年的23.7億美元下降8%。
　　明年增長將更加強勁，預計營業(yè)收入上升11%，隨后每年將保持穩(wěn)定增長，至少保持到2017年。到2017年，預
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          • 關鍵字：
                        消費電子  MOSFET                          
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          常用功率器件MOSFET的基礎知識介紹
          
                                                            
            
                    	
          • 常用功率器件MOSFET的基礎知識介紹,我們都懂得如何利用二極管來實現(xiàn)開關，但是，我們只能對其進行開關操作，而不能逐漸控制信號流。此外，二極管作為開關取決于信號流的方向;我們不能對其編程以通過或屏蔽一個
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          • 關鍵字：
                        MOSFET  功率器件                          
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          基于MOSFET設計優(yōu)化的功率驅動電路
          
                                                            
            
                    	
          • 摘要：在分析了功率MOSFET其結構特性的基礎上，討論驅動電路的設計，從而優(yōu)化MOSFET的驅動性能，提高設計的可靠性。
            關鍵詞：MOSFET；急聚點；損耗

            功率MOSFET具有開關速度快，導通電阻小等優(yōu)點，因此在開關
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          • 關鍵字：
                        MOSFET  急聚點  損耗                          
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          關于MOSFET驅動電阻的選擇
          
                                                            
            
                    	
          • L為PCB走線電感，根據(jù)他人經(jīng)驗其值為直走線1nH/mm，考慮其他走線因素，取L=Length+10（nH），其中Length單位取mm。Rg...
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          • 關鍵字：
                        MOSFET  驅動電阻                          
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          分立器件——一款可替代集成MOSFET驅動器的卓越解決方案
          
                                                            
            
                    	
          • 在電源設計小貼士#42中，我們討論了MOSFET柵極驅動電路中使用的發(fā)射器跟蹤器，并且了解到利用小型SOT-23...
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          • 關鍵字：
                        MOSFET  驅動器                          
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          得益于晶圓減薄工藝與創(chuàng)新的封裝，功率MOSFET在不斷進步
          
                                                            
            
                    	
          • 要點1.導通電阻與柵極電荷規(guī)格的改善正在變得更難以實現(xiàn)和更昂貴。2.作為功率開關器件的選擇，硅遠未到...
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          • 關鍵字：
                        晶圓減薄  MOSFET                          
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          Vishay發(fā)布用于功率MOSFET的免費在線仿真工具
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出用于功率MOSFET、microBUCK? 功率IC和DrMOS產(chǎn)品的免費在線熱仿真工具ThermaSim 3.0版。為精確分析仿真的溫度曲線，功能強大的最新版本ThermaSim引入了很多關鍵特性，比如裸片溫度對功率耗散的時間縮放功能，定義更多的真實條件以提高仿真精度和設計靈活性，減輕對用戶使用經(jīng)驗的要求。
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          • 關鍵字：
                        Vishay  MOSFET  DrMOS                          
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          HID燈鎮(zhèn)流器中UniFET II MOSFET的性能和效率
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 摘要： 先進的單元結構和壽命控制技術已同時增強了功率MOSFET的導通電阻和反向恢復性能。 本文介紹一種新開發(fā)的平面MOSFET—UniFETTM II MOSFET—具有顯著提高的體二極管特性，另外還介紹了其性能和效率。
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          • 關鍵字：
                        MOSFET  鎮(zhèn)流器  FRFET  201302                          
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          IR推出AUIR3200S MOSFET驅動IC
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出車用AUIR3200S MOSFET 驅動IC。新產(chǎn)品具有全面保護和診斷功能，為繼電器更換和電池開關應用提供更高的可靠性。
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          • 關鍵字：
                        IR  驅動IC  AUIR3200S  MOSFET                          
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          用TrenchFET IV功率MOSFET系列設計更綠色、更小的電源
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • TrenchFET IV是TrenchFET功率MOSFET家族中的最新一代產(chǎn)品。與TrenchFET III相比，TrenchFET IV的導通電阻(RDS(ON)和柵極電荷(QG，QGD)數(shù)值都有所減小，降低了同步DC/DC轉換器中的損耗。過去，降低RDS(ON)通常會以更高的柵極電荷做為折衷。但TrenchFET IV采用一種新的高密度設計，同時實現(xiàn)了優(yōu)化的柵極電荷水平和更低的RDS(ON)。
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          • 關鍵字：
                        TrenchFET  MOSFET  DC/DC                          
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          MOSFET結構及工作原理
          
                                                            
            
                    	
          • MOSFET結構及工作原理,金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管
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          • 關鍵字：
                        mosfet  場效應管                            
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          通過可定制單芯片系統(tǒng)提高光伏逆變器的效率(上)
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • PV逆變器系統(tǒng)通常有兩個主要的組成部分：用于實施系統(tǒng)管理任務和控制算法的控制器，以及AC至DC轉換電路?？刂破鞯奶匦匀Q于PV系統(tǒng)的類型和結構以及功能需求。以下章節(jié)將更詳細地分析每個組成部分以及它們?nèi)绾斡绊懻w系統(tǒng)效率。
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          • 關鍵字：
                        PV系統(tǒng)  逆變器  MOSFET  光伏逆變器                          
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          采用具有最新超級結MOSFET的高功率因數(shù)反激式轉換器的LED照明解決方案
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 隨著LED用于室內(nèi)照明解決方案日漸盛行，成本結構已成為關鍵因素。簡單的反激式轉換器是實現(xiàn)低成本LED照明的最佳解決方案之一。然而，LED照明的開關電源仍要求高功率因數(shù)及高系統(tǒng)效率。為應對這一挑戰(zhàn)，采用最新的功率器件至關重要。本文將介紹用作LED照明解決方案的全新集成控制器和高性能高壓超級結MOSFET。
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          • 關鍵字：
                        LED  MOSFET  DCM                          
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          討論在PFC中應用的新型超級結MOSFET器件的特點
          
                                                            
            
                    	
          • 超級結（Super-Junction）MOSFET器件基于電荷平衡技術，在減少導通電阻和寄生電容兩方面提供了出色的性能，這通...
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          • 關鍵字：
                        PFC  MOSFET                          
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          功率元器件應用秘訣，采用專用MOSFET提高效率
          
                                                            
            
                    	
          • 新的MOSFET將瞄準多個市場，包括直流對直流（DC-DC）、離線交流對直流（AC-DC）、電機控制、不斷電系統(tǒng)（UPS）、太陽能逆 ...
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          • 關鍵字：
                        功率元器件  MOSFET  效率                          
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