<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>

          首頁  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
          EEPW首頁 >> 主題列表 >> l31 risc-v

          讓汽車看懂紅綠燈 奧迪新技術(shù)展示

          • 如果說無人駕駛離消費者還很遙遠,那么傳統(tǒng)車廠在汽車上植入的新功能對駕駛員來說已經(jīng)在逐步解放駕駛員了。據(jù)外媒報道,奧迪將在其2017款的Q7和A4
          • 關(guān)鍵字: 奧迪  V-to-V  V-to-I   

          Lark Board評估板 Cyclone V SoC的專用舞臺

          • 隨著FPGA技術(shù)的高速發(fā)展,芯片規(guī)模不斷提升,帶來了更強的性能的同時,也實現(xiàn)了更低的功耗。FPGA憑借其強大的并行信號處理能力,在應對控制復雜度低、數(shù)據(jù)量大的運算時具有較強的優(yōu)勢。但是在復雜算法的實現(xiàn)上,F(xiàn)PGA
          • 關(guān)鍵字: FPGA  RISC  英蓓特  

          三星3D垂直NAND閃存量產(chǎn) SSD容量可輕松提升

          • 韓國三星公司剛剛宣布旗下的最新一代采用3D垂直閃存(V-NAND)的固態(tài)硬盤驅(qū)動器已經(jīng)開始進行量產(chǎn)。最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲芯片相比,具有包
          • 關(guān)鍵字: 3D垂直閃存  V-NAND  固態(tài)硬盤   

          三星3D V-NAND固態(tài)盤加速企業(yè)閃存進化

          • 三星最新的產(chǎn)品是一種面向企業(yè)級應用、高可靠的固態(tài)盤存儲--V-NAND固態(tài)盤。最新用于固態(tài)盤V-NAND技術(shù)帶來性能上的提升,節(jié)省電力消耗,并提高了急需
          • 關(guān)鍵字: 三星  V-NAND  3D  固態(tài)盤   

          三星48層3D V-NAND快閃存儲器揭密

          •   備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃記憶體已經(jīng)出現(xiàn)在市場上了,TechInsights的拆解團隊總算等到了大好機會先睹為快。   三星(Samsung)早在2015年8月就發(fā)布其256Gb的3位元多級單元(MLC) 3D V-NAND快閃記憶體K9AFGY8S0M,并強調(diào)將用于各種固態(tài)硬碟(SSD),也預計會在2016年初正式上市。這些承諾如今真的實現(xiàn)了,我們得以在其2TB容量的T3系列mSATA可攜式SSD中發(fā)現(xiàn)其蹤影(如圖1)。        圖1:三星T3 2TB S
          • 關(guān)鍵字: 三星  V-NAND  

          三星3D V-NAND 32層對48層 僅僅是垂直層面的擴展?

          •   三星公司已經(jīng)開始量產(chǎn)其48層(即單NAND內(nèi)48層單元,屬于第三代升級技術(shù))3D V-NAND芯片,預計其將被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企業(yè)級SSD(PM1633a)等SSD產(chǎn)品。在各設備當中,將包含大量48層3D V-NAND存儲芯片且通過引線鍵合技術(shù)實現(xiàn)彼此堆疊。三星公司在48層3D V-NAND芯片中集成了512 GB存儲單元,意味著每個NAND晶片為32 GB容量(256 Gb)。三星的32層(第二代方案)3D V-N
          • 關(guān)鍵字: 三星  V-NAND  

          Imec結(jié)合III-V材料打造高性能Flash

          •   比利時奈米電子研究中心Imec的研究人員透過將快閃記憶體(Flash)與使用砷化銦鎵(InGaAs)的更高性能III-V材料通道垂直排放的方式,發(fā)現(xiàn)了一種能夠提高快閃記憶體速度與壽命的新方法。   目前大多數(shù)的快閃記憶體使用由浮閘所控制的平面多晶矽通道,并用控制閘讀取或編程高電壓的浮閘——其方式是迫使電子穿隧至浮閘(0)或由其流出(1)。藉由將通道移動至垂直的方向,3D快閃記憶體能夠更緊密地封裝,而不必遵循微縮規(guī)則。   此外,Imec最近發(fā)現(xiàn),透過使用通道中的III-V材
          • 關(guān)鍵字: Imec  III-V  

          電壓/電流與電壓/頻率轉(zhuǎn)換電路(V/I、V/F電路)

          •   1電壓/電流轉(zhuǎn)換電路   電壓/電流轉(zhuǎn)換即V/I轉(zhuǎn)換,是將輸入的電壓信號轉(zhuǎn)換成滿足一定關(guān)系的電流信號,轉(zhuǎn)換后的電流相當一個輸出可調(diào)的恒流源,其輸出電流應能夠保持穩(wěn)定而不會隨負載的變化而變化。V/I轉(zhuǎn)換原理如圖1。        由圖1可見,電路中的主要元件為一運算放大器LM324和三極管BG9013及其他輔助元件構(gòu)成,V0為偏置電壓,Vin為輸入電壓即待轉(zhuǎn)換電壓,R為負載電阻。其中運算放大器起比較器作用,將正相端電壓輸入信號與反相端電壓V-進行比較,經(jīng)運算放大器放大后再經(jīng)三極管放
          • 關(guān)鍵字: V/I  V/F  

          RISC或CISC真的有差嗎?

          • 精簡指令RISC和復雜指令CISC之爭從來沒有落下帷幕,每隔一段時間就拿出來吵,實際只有合不合適,對不對口,沒有好壞之分。
          • 關(guān)鍵字: RISC  CISC  

          三星電子以3D V-NAND主宰SSD版圖生態(tài)

          •   2015年固態(tài)硬碟(SSD)市場中的3D V-NAND占比達10%,為當初預期的3倍以上,預料到了2016年,占比將進一步提升至40%,三星電子(Samsung Electronics)將成市場最大贏家。   據(jù)韓媒Money Today報導,逐漸取代傳統(tǒng)硬碟(HDD)的SSD,發(fā)展重心開始愈來愈偏向3D V-NAND。三星2013年領(lǐng)先全球率先推出3D V-NAND后,目前仍然是唯一量產(chǎn)3D V-NAND業(yè)者。   據(jù)市調(diào)業(yè)者IHS iSuppli統(tǒng)計資料,如果以數(shù)量而言,2015年企業(yè)用SSD
          • 關(guān)鍵字: 三星   V-NAND  

          2016年3D V-NAND市場擴大10倍 三星拉大與后起業(yè)者差距

          •   在存儲器芯片市場上,垂直堆疊結(jié)構(gòu)的3D V-NAND Flash比重正迅速擴大,全球企業(yè)間的競爭也將漸趨激烈。   據(jù)韓國MT News報導,2016年前3D V-NAND市場規(guī)模預估將擴大10倍,而除目前獨占市場的三星電子(Samsung Electronics)外,也將有更多半導體廠加速生產(chǎn)V-NAND。三星獨大V-NAND市場,為拉大與后起業(yè)者的差距,生產(chǎn)產(chǎn)品將從目前的32層堆疊結(jié)構(gòu),增加到48層。   外電引用市調(diào)機構(gòu)IHS iSuppli資料指出,以NAND Flash的技術(shù)分類,V-N
          • 關(guān)鍵字: 三星  V-NAND  

          基于Atmega16的室內(nèi)照明系統(tǒng)設計

          •   照明是室內(nèi)環(huán)境設計的重要組成部分,光照的作用,對人的視覺功能尤為重要。而長期以來,將自然光與室內(nèi)智能照明系統(tǒng)相結(jié)合的方式一直被設計者忽略,大部分的室內(nèi)場所仍沿用單一的傳統(tǒng)照明方式,在一些公用場所的照明設備長時間打開,不僅導致能源浪費,而且加速了設備老化。   1 系統(tǒng)結(jié)構(gòu)和工作原理   1. 1 系統(tǒng)結(jié)構(gòu)   室內(nèi)照明控制系統(tǒng)的設計主要采用Atmega16 單片機作為MCU 控制器,與LED 顯示技術(shù)、光感技術(shù)、按鍵采集與處理技術(shù)、紅外線傳感技術(shù)、延時技術(shù)等技術(shù)相結(jié)合,然后實現(xiàn)室內(nèi)照明設備的智能
          • 關(guān)鍵字: Atmega16  RISC   

          零基礎學FPGA(十四)第一片IC——精簡指令集RISC_CPU設計精講

          •   不得不說,SDRAM的設計是我接觸FPGA以來調(diào)試最困難的一次設計,早在一個多月以前,我就開始著手想做一個SDRAM方面的教程,受特權(quán)同學影響,開始學習《高手進階,終極內(nèi)存技術(shù)指南》這篇論文,大家都知道這篇文章是學習內(nèi)存入門的必讀文章,小墨同學花了一些時間在這上面,說實話看懂這篇文章是沒什么問題的,文件講的比較直白,通俗易懂,很容易入手。當了解了SDRAM工作方式之后,我便開始寫代碼,從特權(quán)同學的那篇經(jīng)典教程里面,我認真研讀代碼的來龍去脈,終于搞懂了特權(quán)同學的設計思想,并花了一些時間將代碼自己敲一遍,
          • 關(guān)鍵字: FPGA  RISC  

          基于Microblaze的經(jīng)典設計匯總,提供軟硬件架構(gòu)、流程、算法

          •   Microblaze嵌入式軟核是一個被Xilinx公司優(yōu)化過的可以嵌入在FPGA中的RISC處理器軟核,具有運行速度快、占用資源少、可配置性強等優(yōu)點,廣泛應用于通信、軍事、高端消費市場等領(lǐng)域。支持CoreConnect總線的標準外設集合。Microblaze處理器運行在150MHz時鐘下,可提供125 D-MIPS的性能,非常適合設計針對網(wǎng)絡、電信、數(shù)據(jù)通信和消費市場的復雜嵌入式系統(tǒng)。本文介紹基于Microblaze的設計實例,供大家參考。   雙Microblaze軟核處理器的SOPC系統(tǒng)設計
          • 關(guān)鍵字: RISC  Xilinx  GPIO  

          可充電觸屏遙控模塊設計

          •   摘要   本文介紹了使用MSP430作為主處理器實現(xiàn)可充電的觸屏遙控模塊,該設計方案支持紅外(IR)信號傳輸,且可擴展RF和NFC無線傳輸方式;用戶輸入采用觸摸按鍵實現(xiàn),設計簡潔美觀;系統(tǒng)可由電池供電,且自帶可充電模塊,可由USB或者直流電源適配器充電。TI的430系列MCU產(chǎn)品功耗低,可為便攜式電子設備提供更長的使用壽命;其內(nèi)嵌LCD驅(qū)動器,可以方便實時顯示監(jiān)測數(shù)據(jù);其支持多種觸摸按鍵實現(xiàn)方式,設計簡便靈活。   簡介   遙控設備在日常生活中非常易見,家電遙控器、玩具遙控器等方便了用戶對設備
          • 關(guān)鍵字: MSP430  RISC  SoC  
          共472條 24/32 |‹ « 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 » ›|

          l31 risc-v介紹

          您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條l31 risc-v!
          歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對l31 risc-v的理解,并與今后在此搜索l31 risc-v的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

          熱門主題

          樹莓派    linux   
          關(guān)于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
          Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
          《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
          備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473
          看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();