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日本礙子開發(fā)出可使LED發(fā)光效率提高1倍的GaN晶圓
- 日本礙子稱，開發(fā)出了可將LED光源的發(fā)光效率提高1倍的GaN(氮化鎵)晶圓。該晶圓在生長GaN單結晶體時采用自主開發(fā)的液相生長法，在整個晶圓表面實現(xiàn)低缺陷密度的同時獲得了無色透明特性。 日本礙子在其他研究機構的協(xié)助下，在開發(fā)出來的GaN晶圓上制造了LED元件，并進行了發(fā)光性能試驗，結果表明，該LED元件的內部量子效率達到約90%(注入電流200mA時)。據(jù)日本礙子介紹，市售LED元件的內部量子效率為30～40%(注入電流200mA時)，照此計算，利用新開發(fā)的晶圓制造的LED元件，其內部量子效率提
- 關鍵字： LED GaN晶圓
十二五計劃擬建50個“十城萬盞”試點城市
- 科技部昨(7)日發(fā)布《半導體照明科技發(fā)展十二五專項規(guī)劃(征求意見稿)》提出，到2015年，大陸半導體照明產業(yè)規(guī)模要達到5000億元，形成20-30家龍頭企業(yè)，建成50個“十城萬盞”試點示范城市。 據(jù)意見稿提出，十二五半導體照明的具體目標為，白光LED器件光效達國際同期先進水平(150-200 1m/W)，LED光源/照明燈具光效達到80 lm/W，硅基半導體照明、創(chuàng)新應用、智能化照明系統(tǒng)及解決方案開發(fā)等達到世界領先水平，形成核心專利300項。 產品發(fā)展目標為，80%
- 關鍵字： LED MOCVD
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