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基于PI LinkSwitch-TN2 LNK3294G/P 的Standby Power方案
- Power Integrations，近日推出LinkSwitc-TN2 系列 IC，此系列適用于非隔離離線式電源供應器，且應屬高度整合(內(nèi)建Mosfet與控制器)，可大幅提高效能與節(jié)省空間，相較于傳統(tǒng)線性或電容式降壓器更具優(yōu)勢。所有裝置中內(nèi)建的半導體，除了以往傳統(tǒng)的耐壓為725V外，更是推出了高達耐壓900V的MOSFET，使得設計與應用方面更為彈性，其控制器也包含了振蕩器、于輕負載時實現(xiàn)最高效率的開/關(guān)控制、自偏壓的高電壓切換電流源、頻率抖動(Jitter)、current limit(可調(diào)整)、磁滯
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外媒評GPT-4：人工智能領域的一次巨大飛躍，也是技術(shù)道德規(guī)范的又一重大轉(zhuǎn)變
- 3月15日消息，當?shù)貢r間周二，人工智能研究實驗室OpenAI發(fā)布了最新版的大型語言模型GPT-4。這一讓人期待已久的高級工具不僅可以自動生成文字，還可以描述分析圖像內(nèi)容；不僅推高人工智能浪潮的技術(shù)水平，也讓技術(shù)開發(fā)的道德邊界愈發(fā)變得不可忽視。OpenAI早期上線的聊天機器人ChatGPT用自動生成的流暢文字獲得了大量關(guān)注，也讓公眾對其杜撰論文、虛構(gòu)劇本的能力感到不安。要知道，ChatGPT用的還是一年多前就已經(jīng)落伍的老一代技術(shù)GPT-3。相比之下，最先進的GPT-4模型不僅能夠自動生成文字，還能夠根據(jù)用戶
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OpenAI總裁：GPT-4并不完美但卻絕對與眾不同
- 3月16日消息，人工智能研究公司OpenAI于昨日發(fā)布了備受期待的文本生成AI模型GPT-4。OpenAI聯(lián)合創(chuàng)始人兼總裁格雷格·布羅克曼（Greg Brockman）在接受采訪時表示，GPT-4并不完美，但卻絕對與眾不同。GPT-4在其前身GPT-3的基礎上，在許多關(guān)鍵方面進行了改進，例如提供了更多真實的陳述，并允許開發(fā)人員更容易控制其風格和行為。從某種意義上說，GPT-4也是多模式的，因為它可以理解圖像，能給照片添加注釋，甚至詳細描述照片中的內(nèi)容。但GPT-4也有嚴重的缺陷。就像GPT-3一樣，該模型
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微軟：支持多模態(tài)的 GPT-4 即將發(fā)布，AI 有望催生新職業(yè)
- 微軟德國首席技術(shù)官安德烈亞斯?布勞恩在今日的人工智能啟動活動上提到，GPT-4 即將發(fā)布，并且將支持多模態(tài)。在名為“AI in Focus - Digital Kickoff”的活動中，微軟德國的四名成員詳細介紹了像 GPT 系列這樣的大型語言模型（LLM）作為公司及其 Azure-OpenAI 提供的顛覆性力量。微軟德國首席技術(shù)官兼數(shù)據(jù)和人工智能主管安德烈亞斯?布勞恩（Andreas Braun）輕描淡寫地提到了他所說的 GPT-4 即將發(fā)布的消息。自從 3 月初發(fā)布了 Kosmos-1 以來，微軟正在
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基于PI HiperPFSTM-4 PFS7627H 的 275 W 之電源供應器方案
- Power Integrations，推出HiperPFSTM-4系列 IC，此系列將連續(xù)導通模式 (CCM) 升壓式功率因數(shù)修正 (PFC) 控制器、閘極驅(qū)動器和 600 V 功率 MOSFET 整合至一Package中，同時節(jié)省了對外部電流感測電阻器的零件，消除了由其所產(chǎn)生的功率損失，而是改用創(chuàng)新的控制技術(shù)來調(diào)整輸出負載、輸入線電壓和輸入線電壓周期的切換頻率，大大的將低了周邊空間，但仍保持了水準以上的Performance。HiperPFSTM-4系列 IC適用于前端非隔的升壓線路，用以提升功率因數(shù)，
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三星發(fā)布PM9C1a系列PCIe 4.0 SSD
- 近日，三星宣布高性能PCIe 4.0 NVMe SSD（固態(tài)硬盤）——PM9C1a的生產(chǎn)工作準備就緒。PM9C1a是基于三星5納米（nm）高端工藝和第七代V-NAND技術(shù)的全新存儲器產(chǎn)品，將為 PC 和筆記本電腦提供更高的計算和游戲性能。三星存儲事業(yè)部執(zhí)行副總裁Yong Ho Song表示，三星將持續(xù)推進PC SSD領域的創(chuàng)新，致力于打造多樣化的存儲產(chǎn)品，以滿足不斷變化的市場需求。三星的PM9C1a SSD采用PCIe 4.0接口，與其前一代存儲產(chǎn)品PM9B1相比，PM9C1a SSD擁有快1.6倍的
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IC設計廠逆風搶單 攻USB 4、Type-C
- PC、筆電市場在2022年下半年開始需求銳減后，進入2023年需求依舊未有改善，為了搶救業(yè)績成長動能，筆電IC設計供應鏈在今年開始加大Type-C、USB 4等高速傳輸接口布局動能。法人指出，當中譜瑞-KY（4966）、祥碩（5269）及威鋒（6756）等IC設計廠在今年將可望擴大切入相關(guān)供應鏈，力拚增加訂單動能。PC、筆電市場在2022年下半年開始迎來景氣寒冬，且在歷經(jīng)半年的積極去化庫存后，在今年第一季市場庫存水位仍未有效改善，供應鏈甚至預期，PC、筆電市場的庫存去化潮恐將一路延續(xù)到今年下半年，且今年整
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Digi-Key 推出《未來工廠》第 2 季視頻系列
- 全球供應品類豐富、發(fā)貨快速的現(xiàn)貨電子元器件和自動化產(chǎn)品分銷商?Digi-Key Electronics， 日前發(fā)布了《未來工廠》視頻系列第 2 季中的第一集，該視頻系列重點關(guān)注工廠和制造設施在自動化和控制方面的發(fā)展。?Digi Key 與 Siemens、Schneider Electric 及 Phoenix Contact 共同推出了《未來工廠》視頻系列第 2 季。?該三集視頻系列由?Siemens、Schneider Electric?和?
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高性價比4.8W雙組輸出IGBT驅(qū)動電源：QA_HD2-R3 / QA_HCD2-R3系列
- 一、產(chǎn)品介紹隨著新能源行業(yè)的發(fā)展，IGBT /SiC MOSFET作為充電樁設備、光伏SVG系統(tǒng)中的關(guān)鍵半導體器件組成部分，市場對其應用條件和性能提出更高的要求，對于驅(qū)動方案的要求也隨之提高。日前，金升陽推出了IGBT/SiC MOSFET專用第三代驅(qū)動電源QA-R3/QA_C-R3系列產(chǎn)品，以及滿足更加嚴苛的應用需求的驅(qū)動電源QA_H-R3/QA_HC-R3系列產(chǎn)品。為打造更具有高性價比的驅(qū)動電源，金升陽基于自主IC設計平臺升級開發(fā)出內(nèi)部采用非對稱式電壓輸出形式的QA_HD2-R3 / QA_HCD2-
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英睿達P3 Plus 1TB上手體驗：PCIe 4.0 M.2 SSD性價之選
- 隨著 PCIe 5.0 在 AMD / Intel 新一代硬件平臺上的引入，消費級 M.2 固態(tài)存儲市場也正經(jīng)歷著從 PCIe 3.0 x4 向 PCIe 4.0 x4 迭代轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵時期。此前，我們已經(jīng)體驗過高端的英睿達 P5 / P5 Plus 型號，兩者在 PCIe 3.0 / 4.0 產(chǎn)品線中都極具代表性。但是對于想要淺嘗一下 PCIe 4.0 固態(tài)的 PC / PS5 玩家們來說，品質(zhì)與性價比仍是其更為關(guān)注的兩大因素。【1 開箱介紹】本文要為大家介紹的，就是近期開售的英睿達（Crucial）P3
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Solidigm 推出 P44 Pro PCIe 4.0 SSD：可達 7000 MB/s，低功耗設計
- IT 之家 10 月 19 日消息，今日，Solidigm 推出 P44 Pro PCIe 4.0 SSD，速度可達 7000 MB/s，采用低功耗設計。IT 之家了解到，P44 Pro 順序讀取速度最高可達 7,000 MB/s。在 Solidigm 的測試中，其功耗僅為 5.3W。此外，P44 Pro 提供 512GB、1TB 和 2TB 三種容量選擇。官方表示，該固態(tài)硬盤采用領先的 NAND 技術(shù)打造而成。與強大的軟件相結(jié)合后，該款產(chǎn)品能夠為要求嚴苛的應用提供出色的性能支持。P44 Pro 是迄今為
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iPhone SE 4高清渲染圖搶先看：簡直A16處理器復刻版iPhone XR
- 以價格來看，iPhone SE無疑是蘋果手機產(chǎn)品線中最入門的存在。盡管現(xiàn)款iPhone SE 3實際銷量不佳，但似乎并未阻擋蘋果繼續(xù)更新?lián)Q代的決心。爆料大神Jon Prosser標識，iPhone SE 4（第四代iPhone SE）將采用類似iPhone XR的外觀設計。為了直觀，Jon Prosser和美工好手Ian Zelbo 合作，制作了一批iPhone SE 4的高清外形渲染圖，供大家搶先預覽。渲染圖出現(xiàn)了6.1寸劉海屏、Face ID、單攝像頭、圓潤的中框等元素，簡直就是iPhone XR的復
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基于 PI LinkSwitch-HP LNK6774V 之 15W 小家電電源供應器方案
- LinkSwitch-HP 裝置在單芯片上將控制器和高電壓功率 MOSFET整合到單一封裝。它具有最新開發(fā)的模擬控制設計，可實現(xiàn)具有連續(xù)導通模式 (CCM) 與一次側(cè)調(diào)節(jié) (PSR) 功能的電源供應器，其功率高達 90 W，且沒有 DCM 的效率限制，也不會產(chǎn)生噪音。它采用增強型峰值電流模式 PWM 控制方案，以多重模式操作。多重模式控制引擎在補償接腳上使用誤差放大器輸出訊號電壓來設定工作峰值電流和切換頻率，進而將輸出電壓維持在穩(wěn)壓狀態(tài)，如下圖 所示。。對于低于 VC(MCM) (典型值為 1.
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