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日韓擴(kuò)產(chǎn) DDR3漲勢(shì)受阻
- 消息指出，韓國(guó)DRAM大廠三星(Samsung)、海力士(Hynix)計(jì)劃本月底大幅提高DDR3產(chǎn)能，此動(dòng)作恐削緩目前DDR3供不應(yīng)求的力道，短期價(jià)格上漲恐出現(xiàn)阻力，使得上周五最新現(xiàn)貨報(bào)價(jià)已落破2美元。 此外，日本大廠爾必達(dá)(Elpida)也計(jì)劃將位于廣島的主力生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)全數(shù)轉(zhuǎn)生產(chǎn)DDR3，預(yù)計(jì)9月起DDR3的月產(chǎn)量將自現(xiàn)行的2到3萬(wàn)片倍增至7.5萬(wàn)片。 臺(tái)灣力晶上周五亦開始全面停止無(wú)薪假，且擴(kuò)大投片搶攻DDR3市場(chǎng)。 業(yè)界表示，DRAM廠爭(zhēng)相擴(kuò)大DDR3產(chǎn)出，供給與需求面逐漸取得平衡
- 關(guān)鍵字： Samsung DRAM DDR3
第二季度爾必達(dá) DRAM銷售大增
- 據(jù) iSuppli 公司，日本爾必達(dá)是第二季度全球 DRAM 市場(chǎng)明星，大幅提價(jià)導(dǎo)致其營(yíng)業(yè)收入比第一季度勁增了 50%。 在五大 DRAM 供應(yīng)商中，第二季度爾必達(dá)業(yè)績(jī)最好，營(yíng)業(yè)收入從第一季度時(shí)的 4.97 億美元上升到 7.45 億美元。第二季度該公司 DRAM 的平均銷售價(jià)格(ASP)比第一季度提高了 32%，推動(dòng)其業(yè)績(jī)明顯提升。 爾必達(dá)通過擴(kuò)大面向移動(dòng)與消費(fèi)應(yīng)用的專用 DRAM 銷售，大幅提高了營(yíng)業(yè)收入與 ASP。這些專用 DRAM 價(jià)格高于通用產(chǎn)品，幫助爾必達(dá)取得了優(yōu)于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的業(yè)
- 關(guān)鍵字： 爾必達(dá) DRAM DDR3
Q2全球DRAM內(nèi)存市場(chǎng)銷售收入環(huán)比增長(zhǎng)34%
- 據(jù)市場(chǎng)研究公司iSuppli稱，2009年第二季度全球DRAM內(nèi)存芯片的銷售收入達(dá)45億美元，比今年第一季度的34億美元增長(zhǎng)了34%。今年第一季度全球DRAM內(nèi)存芯片的銷售收入比去年第四季度下降了19%。不過，與去年同期相比，第二季度的DRAM內(nèi)存芯片的銷售收入下降了33.5%。 日本內(nèi)存芯片供應(yīng)商Elpida Memory第二季度的DRAM內(nèi)存銷售收入是7.45億美元，比第一季度的4.79億美元增長(zhǎng)了50%，是所有DRAM內(nèi)存芯片廠商中增長(zhǎng)率最高的。第二季度DRAM內(nèi)存芯片的平均銷售價(jià)格比第一
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM 內(nèi)存芯片 DDR3
臺(tái)灣半導(dǎo)體年產(chǎn)值預(yù)計(jì)將下滑13%
- 臺(tái)灣資訊工業(yè)策進(jìn)會(huì)日前預(yù)計(jì)，今年臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)值可達(dá)1.14萬(wàn)億元，比去年衰退13%。同時(shí)，受惠于新興市場(chǎng)成長(zhǎng)，部分領(lǐng)域的產(chǎn)值可能超過全球平均水準(zhǔn)。 臺(tái)灣媒體引述資策會(huì)的分析稱，今年第一季度是臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的景氣底限，在上下游業(yè)者同步快速調(diào)整庫(kù)存的情況下，第二季度的產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈恢復(fù)正常供需水準(zhǔn)。受惠于下游系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)回暖，目前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)各項(xiàng)指標(biāo)都出現(xiàn)回升跡象。 其中，臺(tái)灣晶圓代工產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值約占全球產(chǎn)值的70%，今年第一、第二季度產(chǎn)值分別約為525億元、1000億元，第三季度將比第二季度增長(zhǎng)15%以上
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 DRAM
力晶復(fù)工生產(chǎn) 投片量近8萬(wàn)片
- 全球DRAM產(chǎn)業(yè)景氣回春，價(jià)格逐漸觸底反彈，促使原本減產(chǎn)的臺(tái)系DRAM廠紛復(fù)工生產(chǎn)，其中，華亞科和南亞科率先增產(chǎn)，力晶近期亦宣布全面取消無(wú)薪假，大家都想多生產(chǎn)一點(diǎn)，為2009年傳統(tǒng)旺季行情拼一拼。存儲(chǔ)器業(yè)者表示，力晶目前單月投片量已接近8萬(wàn)片，但其中有50%是晶圓代工生意，標(biāo)準(zhǔn)型存儲(chǔ)器的量還不多。 力晶2008年10月在DRAM價(jià)格過低，虧損劇烈的情況下，率先宣布減產(chǎn)，之后引發(fā)其它DRAM廠包括爾必達(dá)(Elpida)、南亞科、華亞科、海力士(Hynix)、茂德等陸續(xù)跟進(jìn)，在供給逐漸減少的情況下，
- 關(guān)鍵字： 力晶 DRAM DDR3
上網(wǎng)本LED背光是未來(lái)主流
- DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)、顯示和背光對(duì)于上網(wǎng)本來(lái)說是較耗電的部分。現(xiàn)在在芯片組上Intel、VIA和AMD公司均已提出將推出大幅降低功耗的產(chǎn)品，因此后續(xù)改為采用較省電的DDR3以及LED背光方式能夠使上網(wǎng)本更節(jié)能。 由于本身相關(guān)芯片均比筆記本電腦的功率需求低，所以上網(wǎng)本相對(duì)有較高的電池使用時(shí)間?，F(xiàn)在的電源方案與筆記本電腦應(yīng)該是相同的設(shè)計(jì)思路，未來(lái)的電源設(shè)計(jì)可能會(huì)有一些改變，但還需要市場(chǎng)的認(rèn)同。 我們可以提供PWMIC(電源管理集成電路)、LDO(低壓差線性穩(wěn)壓器)和MOSFET。這些
- 關(guān)鍵字： Intel DRAM DDR3 LED背光
2013年閃存需求規(guī)模將達(dá)到08年的11倍
- 根據(jù)配備各種存儲(chǔ)器的電子終端等的產(chǎn)量，筆者預(yù)測(cè)了2013年之前NAND型閃存和DRAM的需求走勢(shì)。預(yù)測(cè)結(jié)果為，1990年代曾經(jīng)拉動(dòng)半導(dǎo)體元件投資增長(zhǎng)的DRAM即將完成其使命，NAND型閃存將取而代之，一躍成為投資主角。 按8Gbit產(chǎn)品換算，NAND需求規(guī)模將達(dá)到400億個(gè) 《日經(jīng)市場(chǎng)調(diào)查》的調(diào)查結(jié)果顯示，按8Gbit產(chǎn)品換算，2013年NAND型閃存的需求規(guī)模將達(dá)到約400億個(gè)。這一規(guī)模相當(dāng)于2008年的11倍左右。支持需求增長(zhǎng)的產(chǎn)品是個(gè)人電腦用SSD(固態(tài)硬盤)。不過，SSD市場(chǎng)要到2
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM NAND
名家觀點(diǎn):臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)大有可為
- 臺(tái)灣芯片產(chǎn)業(yè)正走在十字路口上，今天的決定可能影響業(yè)界未來(lái)多年的方向與活力。 目前臺(tái)灣的DRAM公司太多，又都債臺(tái)高筑，政府急于整合DRAM產(chǎn)業(yè)，因而創(chuàng)設(shè)臺(tái)灣記憶體公司(TMC)，推動(dòng)整合。政府也終于處理迫切需要改變的半導(dǎo)體大陸投資政策。 民間半導(dǎo)體業(yè)者也做好改變的準(zhǔn)備，張忠謀回任臺(tái)積電董事長(zhǎng)，準(zhǔn)備領(lǐng)導(dǎo)臺(tái)積電進(jìn)軍大陸市場(chǎng)。聯(lián)電也把自己和大陸和艦半導(dǎo)體的關(guān)系正常化，準(zhǔn)備迎接即將來(lái)臨的改變。 臺(tái)積電與聯(lián)電深知下一階段的成長(zhǎng)機(jī)會(huì)在大陸，也深知如果要成為大陸半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)廠商，必須做好全力打進(jìn)市場(chǎng)
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 DRAM
美光新加坡廠年底導(dǎo)入40納米 為明年大戰(zhàn)暖身
- 三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)40納米制程開始試產(chǎn)，爾必達(dá)(Elpida)也考慮在2010年直接從65納米跳至40納米制程，美光計(jì)劃年底在新加坡12寸廠率先導(dǎo)入40納米制程，將成為美光旗下第1個(gè)導(dǎo)入40納米制程的廠房，為2010年40納米大戰(zhàn)來(lái)臨作暖身!美光指出，雖然現(xiàn)在多家DRAM廠開始復(fù)工生產(chǎn)，但多是采用落后制程生產(chǎn)，也很難募得新資金升級(jí)機(jī)器設(shè)備，因此不認(rèn)為全球DRAM產(chǎn)業(yè)供需會(huì)因此惡化。 美光表示，2009、2010年對(duì)美光而言，最大的挑戰(zhàn)是從目前
- 關(guān)鍵字： Samsung 40納米 DRAM
美光：TMC模式不會(huì)成功
- 隨著TMC股東和班底逐漸浮上臺(tái)面，美光(Micron)和臺(tái)塑集團(tuán)將加速送出整合計(jì)畫書，美光在臺(tái)代表暨華亞科執(zhí)行副總勒松言(Michael Sadler)表示，TMC模式不會(huì)成功，即使成功亦不會(huì)解決臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)問題，但臺(tái)系DRAM廠并不會(huì)步上奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)后塵，因?yàn)榕_(tái)灣12寸廠產(chǎn)能相當(dāng)吸引人，不會(huì)像奇夢(mèng)達(dá)倒了都還找不到買主，而美光在臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)布局策略，除華亞科之外，亦將尋求與其它DRAM廠合資(JV)機(jī)會(huì)。 現(xiàn)階段TMC還未有產(chǎn)能奧援，初期定位以利基型存儲(chǔ)器公司作出發(fā)，采取爾必
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM NAND
三星計(jì)劃升級(jí)美國(guó)內(nèi)存芯片工廠 裁員500人
- 三星電子正計(jì)劃對(duì)美國(guó)德克薩斯州奧斯汀的一處內(nèi)存芯片工廠進(jìn)行升級(jí)改造，這一過程中將裁員500人。 三星奧斯汀半導(dǎo)體公司將投資5億美元將對(duì)該工廠進(jìn)行改造。該工廠將于10月份關(guān)閉，改造工作將于2009年末至2010年初開始。 今年早些時(shí)候，三星奧斯汀半導(dǎo)體公司在三星電子的大規(guī)模重組中裁員20人。該公司在當(dāng)?shù)負(fù)碛袃杉夜S，分別生產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片和NAND閃存芯片。
- 關(guān)鍵字： 三星 內(nèi)存芯片 DRAM NAND
飛索半導(dǎo)體瘦身 專攻嵌入式和IP授權(quán)兩大業(yè)務(wù)
- “2009年一定會(huì)有一些閃存或者DRAM廠商倒閉，產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)一步整合是必然趨勢(shì)，而剩下的閃存或DRAM廠商要想生存，就必需盡快尋找到自己的重生之道。”8月11日，全球最大的NOR閃存廠商Spansion(飛索)公司企業(yè)營(yíng)銷總監(jiān)John Nation抵京，他帶來(lái)了Spansion最新的第二季度財(cái)務(wù)狀況，以及公司為脫離破產(chǎn)保護(hù)而進(jìn)行的戰(zhàn)略調(diào)整。 Spansion是全球最大的NOR型閃存制造商，也是全球最大一家專門出品閃存的企業(yè)。 今年3月1日，Spansion公司宣布，根
- 關(guān)鍵字： Spansion DRAM 閃存
矽品將投資臺(tái)灣新成立DRAM公司TMC
- 臺(tái)灣新成立DRAM公司——臺(tái)灣創(chuàng)新記憶體公司(TMC)擬于第四季投入市場(chǎng)的計(jì)劃正進(jìn)入沖刺階段，臺(tái)灣半導(dǎo)體封測(cè)廠矽品周四表示，董事會(huì)通過將投資TMC普通股，金額10-20億臺(tái)幣，為首家表態(tài)將投資TMC的企業(yè)。 矽品發(fā)言人江百宏表示，“決定投資主要是看好TMC與日本爾必達(dá)的合作模式，而且這是政府支持的產(chǎn)業(yè)再造計(jì)劃。” TMC公司人士則是不予置評(píng)。 為了整合臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)，“經(jīng)濟(jì)部”在今年3月便宣布主導(dǎo)成立TMC，由
- 關(guān)鍵字： TMC DRAM
耶魯大學(xué)和SRC共同研制出高性能鐵電存儲(chǔ)器
- 耶魯大學(xué)的研究人員和Semiconductor Research Corp (SRC)稱利用鐵電材料制作存儲(chǔ)器來(lái)代替DRAM和閃存非常合適。目前DRAM技術(shù)必須每幾個(gè)毫秒就刷新一下，而鐵電存儲(chǔ)器可以持續(xù)幾分鐘而無(wú)需刷新。 耶魯大學(xué)和SRC的研究人員制成了一種用于FeDRAM的鐵電晶體管實(shí)驗(yàn)樣品，該FeDRAM保存信息的時(shí)間比DRAM長(zhǎng)1000倍，而功耗僅為DRAM的1/20，而且尺寸可以縮至ITRS上的最先進(jìn)節(jié)點(diǎn)。 “我們的存儲(chǔ)器的速度至少和DRAM一樣快，但尺寸和閃存一樣小，
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器 DRAM 閃存 FeDRAM
爾必達(dá)問題出在推遲代工業(yè)務(wù)
- 爾必達(dá)和Numonyx已經(jīng)推遲它們的代工計(jì)劃達(dá)6個(gè)月。NOR閃存大廠Numonyx原本與爾必達(dá)簽約的第一個(gè)代工訂單，計(jì)劃在2009年中期開始量產(chǎn)，如今要推遲到2010年的上半年。 盡管近期DRAM價(jià)格回升及日本政府為爾必達(dá)注資，可是對(duì)于存儲(chǔ)器制造商爾必達(dá)最大的問題是如何生存下來(lái)。顯然爾必達(dá)還不可能如奇夢(mèng)達(dá)同樣的命運(yùn)，退出存儲(chǔ)器。但是日本存儲(chǔ)器制造商需要經(jīng)濟(jì)剌激，因?yàn)閺拈L(zhǎng)遠(yuǎn)看能生存下來(lái)可能是個(gè)奇跡。 前些時(shí)候爾必達(dá)CEO己經(jīng)把爾必達(dá)的生存問題提高到日本國(guó)家的利益上。但是仍有人質(zhì)疑為什么要支持
- 關(guān)鍵字： 爾必達(dá) DRAM 50nm 40nm
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