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麥格理分析師：DRAM和Flash價格會持續(xù)漲到年底
- 據(jù)外媒報道，存儲芯片市場上周出現(xiàn)降溫雜音，麥格理分析師Daniel Kim提出反駁。 他認為下半年DRAM和NAND價格仍會續(xù)漲，有利美光、西部數(shù)據(jù)、三星、南亞科、力成、東芝和SK海力士股價。 據(jù)巴隆周刊(Barron's)報導，Daniel Kim發(fā)布報告說：「所有數(shù)據(jù)和消息都表明存儲芯片市場今年下半年會比預期更強。 」他看好存儲芯片價格會持續(xù)漲到今年底。 整體來說，Daniel Kim認為芯片價格上漲，即暴露看空論點的瑕疵。 他指出，建構(gòu)數(shù)據(jù)中心的廠商「重視的是系統(tǒng)的表現(xiàn)而
- 關(guān)鍵字： DRAM Flash
傳日本硅晶圓廠下砍大陸訂單 優(yōu)先供貨臺/美/日半導體大廠
- 全球硅晶圓缺貨嚴重，已成為半導體廠營運成長瓶頸，后續(xù)恐將演變成國家級的戰(zhàn)火，半導體業(yè)者透露，日本硅晶圓大廠Sumco決定出手下砍大陸NOR Flash廠武漢新芯的硅晶圓訂單，優(yōu)先供貨給臺積電、英特爾(Intel)、美光(Micron)等大廠，不僅加重NOR Flash短缺情況，日系供應商供貨明顯偏向臺、美、日廠，恐讓大陸半導體發(fā)展陷入硅晶圓不足困境。 硅晶圓已成為半導體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵物資，過去10年來硅晶圓產(chǎn)能都是處于供過于求狀態(tài)，如今硅晶圓卻面臨缺貨，且已缺到影響半導體廠生產(chǎn)線運作，尤其是12吋規(guī)
- 關(guān)鍵字： 晶圓 DRAM
高盛:DRAM漲勢將趨冷明年轉(zhuǎn)跌
- 據(jù)外電報道，高盛判斷，DRAM價格漲勢可能在未來幾季降溫， 2018年價格也許會轉(zhuǎn)跌，決定調(diào)降內(nèi)存大廠美光評等。 巴倫周刊8日報導，高盛的Mark Delaney報告表示，過去四個季度以來，DRAM毛利不斷提高。 過往經(jīng)驗顯示，DRAM榮景通常持續(xù)四到九季，此一趨勢代表DRAM多頭循環(huán)已經(jīng)來到中后段。 業(yè)界整合使得本次價格高點，比以往更高。 Delaney強調(diào)，和DRAM業(yè)界人士談話發(fā)現(xiàn)，DRAM現(xiàn)貨價的成長動能放緩，價格似乎觸頂或略為下滑。 NAND情況較不嚴重;產(chǎn)業(yè)人士表示，NAND價
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
后PC時代 移動型DRAM成市場主力
- 三星挾帶存儲器產(chǎn)業(yè)龍頭優(yōu)勢，本季營收可望超越英特爾而榮登半導體產(chǎn)業(yè)王座，證明了后PC時代的到來，隨著移動產(chǎn)業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)及智能汽車產(chǎn)業(yè)興起，讓原先并未擴產(chǎn)的存儲器產(chǎn)業(yè)成為炙手可熱的領(lǐng)域，也使得三星更加壯大。 三星本次挾帶自家DRAM及NANDFlash報價急速攀升的氣勢，半導體制造事業(yè)可望躍居產(chǎn)業(yè)龍頭，原因正是DRAM及NANDFlash都受惠于智能手機搭載需求倍增，在制程轉(zhuǎn)換及產(chǎn)能已數(shù)年未擴充等因素作用下，帶動存儲器報價上漲。 從DRAM角度來看，存儲器原廠中，有能力大量產(chǎn)出晶圓的僅有三星、
- 關(guān)鍵字： 英特爾 DRAM
三星投26億擴展Line 17工廠10nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)能
- 三星上月底發(fā)布了2017年Q1季度財報,營收只增加1.5%的情況下凈利潤大增46%,其中貢獻最多的就是閃存芯片部門,也就是DRAM內(nèi)存和NAND閃存。時至今日,DRAM、NAND閃存缺貨、漲價的情況都沒有緩解,現(xiàn)在還是供不應求,好在三星、SK Hynix、美光等公司也加大了投資力度提升產(chǎn)能,其中三星也要斥資26.4億美元擴產(chǎn)Line 17工廠,下半年加速10nm級DRAM內(nèi)存生產(chǎn)。 三星前不久才宣布了全球最大的半導體工廠平澤工廠竣工,那個是針對NAND閃存的,主力產(chǎn)品將是64層堆棧的3D NAN
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
新興內(nèi)存百家爭鳴 商品化腳步穩(wěn)健向前
- 內(nèi)存是半導體的主力產(chǎn)品之一，目前主要由動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項產(chǎn)品。 不過，由于DRAM必須持續(xù)上電才能保存數(shù)據(jù)，NAND Flash又有讀寫速度較DRAM慢，且讀寫次數(shù)相對有限的先天限制，因此內(nèi)存業(yè)者一直試圖發(fā)展出新的內(nèi)存架構(gòu)，希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非揮發(fā)特性。 根據(jù)研究機構(gòu)Tech Insights估計，包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代內(nèi)存，都已陸續(xù)進入小量生產(chǎn)階段。 不
- 關(guān)鍵字： 內(nèi)存 DRAM
2016年全球前十大半導體業(yè)者排名出爐
- 2016年全球前十大半導體業(yè)者排名出爐。據(jù)IHSMarkit所搜集的數(shù)據(jù)顯示，2016年全球半導體產(chǎn)業(yè)的營收成長2%，而前十大半導體業(yè)者的營收則成長2.3%，優(yōu)于產(chǎn)業(yè)平均水平。以個別產(chǎn)品類型來看，DRAM與NANDFlash是2016年營收成長動能最強的產(chǎn)品，成長幅度超過30%;車用半導體的市場規(guī)模也比2015年成長9.7%。 IHS預期，由于市場需求強勁，2017年內(nèi)存市場的營收規(guī)?？赏賱?chuàng)新高，車用半導體市場的規(guī)模則有機會成長超過10%。整體來說，2017年半導體產(chǎn)業(yè)的表現(xiàn)將出現(xiàn)穩(wěn)健成長。
- 關(guān)鍵字： DRAM NANDFlash
微軟與Rambus合作研發(fā)超低溫DRAM存儲系統(tǒng)
- 量子計算機如今已經(jīng)成為科技巨頭們爭奪的新高地，IBM、谷歌都涉獵其中。 現(xiàn)在，微軟也要在量子計算領(lǐng)域發(fā)揮能量了。 半導體技術(shù)公司Rambus最新宣布已經(jīng)與微軟達成合作，雙方將研發(fā)一種能夠在零下180攝氏度環(huán)境下穩(wěn)定運行的DRAM系統(tǒng)，為未來的量子計算機服務。 Rambus研究所副總裁Gary Bronner介紹稱，與微軟的合作旨在零下180攝氏度環(huán)境下提升DRAM系統(tǒng)的容量和運算效率，并且降低功耗。 同時，高速串行/并行鏈路也能夠在低溫和超導環(huán)境中有效運行，從而確保整個存儲系統(tǒng)
- 關(guān)鍵字： 微軟 DRAM
力晶：大陸DRAM做不起來 5G時代存儲器會長缺
- 力晶創(chuàng)辦人暨執(zhí)行長黃崇仁表示，大陸扶植半導體以為撒錢就可以，但未來用補助研發(fā)費用來扶植新廠的策略很難再延續(xù)，必須要有技術(shù)在手才行，但現(xiàn)在美系存儲器大廠美光(Micron)已經(jīng)盯上大陸3家存儲器，包括紫光長江存儲、合肥長鑫和聯(lián)電的福建晉華，預計進入大陸DRAM產(chǎn)業(yè)的腳步會放緩，配合韓國2018年冬季奧運率先展示5G技術(shù)，未來DRAM是長期缺貨的走勢! 黃崇仁進一步表示，全球DRAM產(chǎn)業(yè)已經(jīng)5年沒有新廠加入，三星電子(Samsung Electronics)蓋廠也是針對10納米晶圓代工和NAND F
- 關(guān)鍵字： DRAM 5G
力晶：大陸DRAM做不起來 5G時代存儲器會長缺
- 力晶創(chuàng)辦人暨執(zhí)行長黃崇仁表示，大陸扶植半導體以為撒錢就可以，但未來用補助研發(fā)費用來扶植新廠的策略很難再延續(xù)，必須要有技術(shù)在手才行，但現(xiàn)在美系存儲器大廠美光(Micron)已經(jīng)盯上大陸3家存儲器，包括紫光長江存儲、合肥長鑫和聯(lián)電的福建晉華，預計進入大陸DRAM產(chǎn)業(yè)的腳步會放緩，配合韓國2018年冬季奧運率先展示5G技術(shù)，未來DRAM是長期缺貨的走勢! 黃崇仁進一步表示，全球DRAM產(chǎn)業(yè)已經(jīng)5年沒有新廠加入，三星電子(Samsung Electronics)蓋廠也是針對10納米晶圓代工和NAND F
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三星制定DRAM發(fā)展藍圖 15納米是制程微縮極限
- 三星電子為了鞏固存儲器霸業(yè)，制定 DRAM 發(fā)展藍圖，擘劃制程微縮進度。業(yè)界預估，15 納米可能是 DRAM 制程微縮的極限，擔憂三星遭中國業(yè)者追上。 韓媒 etnews 18 日報導，業(yè)界消息稱，三星去年開始量產(chǎn) 18 納米 DRAM，目前正研發(fā) 17 納米 DRAM，預定今年底完成開發(fā)、明年量產(chǎn)。與此同時，三星也成立 16 納米 DRAM 開發(fā)小組，目標最快 2020 年量產(chǎn)。相關(guān)人士透露，微縮難度高，2020 年量產(chǎn)時間可能延后。 三星從 20 納米制程(28→25&rar
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
韓媒曝三星DRAM發(fā)展藍圖、15nm是制程微縮極限？
- 三星電子為了鞏固存儲器霸業(yè)，制定DRAM發(fā)展藍圖，擘劃制程微縮進度。業(yè)界預估，15納米可能是DRAM制程微縮的極限，擔憂三星遭中國業(yè)者追上。 韓媒etnews 18日報導，業(yè)界消息稱，三星去年開始量產(chǎn)18納米DRAM，目前正研發(fā)17納米DRAM，預定今年底完成開發(fā)、明年量產(chǎn)。與此同時，三星也成立16納米DRAM開發(fā)小組，目標最快2020年量產(chǎn)。相關(guān)人士透露，微縮難度高，2020年量產(chǎn)時間可能延后。 三星從20納米制程(28→25→20)，轉(zhuǎn)進10納米制程(18&rarr
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